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[CES 2025预告视频] 与SK海力士携手探索人工智能浪潮
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[CES 2025视频] 与SK海力士携手掀起人工智能浪潮
与SK海力士共同体验由人工智能驱动的新世界
与SK海力士一起成为半导体专家—通用闪存存储（UFS）
与SK海力士一起成为半导体专家 – 人工智能半导体
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[CES 2023] SK海力士展示绿色数字解决方案
基于PCB01，专为NVIDIA显卡用户定制的全新消费级SSD产品
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[预告视频] SK海力士即将开启人工智能时代的新篇章
SK-hynix_SK-AI-Summit-2024_06
SK海力士代表理事兼社长郭鲁正，在SK AI峰会上发表主题演讲
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SK集团崔泰源会长为SK AI峰会致开幕辞
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参观者可以通过创新产品的展示深入探索人工智能服务的无限可能
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48GB 16层HBM3E在人工智能数据中心展区占据核心地位
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SK海力士在CES 2025上重申了其在面向人工智能的存储器领域的领导地位
SK海力士在CES 2025展示人工智能驱动的创新成果，助力可持续未来
SK海力士社长兼CEO郭鲁正在CES 2024新闻发布会上进行演讲
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SK海力士展示其突破性的人工智能存储技术
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SK海力士领先的HBM3E解决方案亮相CES 2024
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128-Layer 1Tb TLC NAND
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青州厂区
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蓬勃发展的数字经济，内存与存储正在深度参与
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NVIDIA GTC 2024： SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景
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SK海力士于CES 2024上展望由人工智能驱动的新世界
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全面了解SK海力士的可视化ESG进程: 以健全的公司治理获得利益相关方信任
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白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键
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全面了解SK海力士的可视化ESG进程: SK海力士践行创新举措，创造绿色未来
持续引领HBM市场:与全球首款12层HBM3产品的开发团队面对面
SK海力士2022年在ESG领域达成的里程碑
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不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较
专注“芯”科技，共享“芯”未来： SK海力士参展第四届中国国际进口博览会
ISSCC上发表的HBM相关文章的趋势
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
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LPDDR5X的速度较LPDDR5提升了33%，仅1秒就可以下载13部5GB大小的视频
SK海力士实现世界最早、最高成就的LPDDR研发历程不断实现了更快的运行速度和更低的功耗
Logic Scaling(逻辑微缩)的机遇与挑战
Transistor Scaling(晶体管微缩)
于OCP全球峰会2022公开的CMS（Computational Memory Solution_512GB)
SK海力士业界首推基于CXL的存算一体计算存储器解决方案CMS
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共创社会幸福： 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
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HBM3 DRAM技术革新的幕后推手─SK海力士DRAM产品规划担当
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SK海力士2021年创造的社会价值达 9.4173 万亿韩元
时代0接触，从“芯”知识界
智能家居的半导体存储器
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生活在柿子树旁的老人家的秘密
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SK Hynix 20nm class 8Gb LPDDR4_01
Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (左二)，Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右二)
Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (中间)， Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右一)
为了庆祝国际护士节SK海力士员工向当地医院员工捐赠疫情防控物资
无锡SK海力士幸福公益资金会（SKHPIF）向当地社区捐赠疫情防控物资
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https://news.skhynix.com.cn/sk%e6%b5%b7%e5%8a%9b%e5%a3%ab%e5%9c%a8%e6%97%a5%e6%9c%ac%e6%88%90%e7%ab%8bcmos%e5%9b%be%e5%83%8f%e4%bc%a0%e6%84%9f%e5%99%a8%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%89%80-%e5%8a%9b%e4%ba%89%e5%a2%9e%e5%bc%ba%e6%8a%80/
CIS
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We are looking for a person who has a "Tenacity Syndrome." (英文字幕版)
Tenacity series 3. Hi-Gineers, their crisis tackling DNA. (英文字幕版)
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2021年超大规模集成电路（VLSI）国际研讨会上对新兴内存技术的探讨
In-DRAM ECC应用于DDR5的可靠性改进效果
DRAM与NAND存储密度增长趋势的年度比较
在任意设定的芯片价格下，通过增加芯片存储密度来降低位元生产成本
在任意设定的芯片价格下，通过增加每个晶圆的芯片数量来降低每个芯片的成本
全球DRAM IDM公司数量的年度变化（不包括在全球DRAM市场占有率低于3%的公司）
扇入型晶圆级封装 (Fan-In Wafer-Level Package) & 扇出型晶圆级封装 (Fan-Out Wafer-Level Package)
ToF（飞行时间）传感器工作原理和应用领域
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密封法(Hermetic)和模塑法(Molding)的比较
模塑(Molding)工艺：传递模塑(Transfer Molding)和压缩模塑(Compression Molding)
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引线键合(Wire Bonding) VS加装芯片键合(Flip Chip Bonding)的工艺
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传统激光切割（grooving）&激光隐形切割（SD）方法的比较
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Increased Importance of ESG in terms of corporate value enhancement
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