新闻稿featured

SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM

By 2021年07月11日 No Comments

韩国首尔,2021年7月12日

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com)宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移动端DRAM产品。

* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council,简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称,DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。

自从10纳米级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名,此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM,其意义非凡。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术,事先完成了对其稳定性的验证。

* EUV (Extreme Ultraviolet):指利用极紫外线的光刻设备

工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备,并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性,并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。

SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品,1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。 在今年全球DRAM需求持续增长的背景下,公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。

此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度(4266Mbps),并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势,助力碳排放量的减少,充分体现了SK海力士注重ESG(环境、社会、公司治理)经营的精神理念。

在本次LPDDR4产品之后,SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

SK海力士1a纳米级DRAM领导小组(Task Force)的曹永万副社长表示:“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善,从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序,SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。”

下载图片

 

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn

 

 

媒体关系联系人(Media Contact)

SK hynix Inc.
Global Public Relations

Technical Leader
李银淅(Eun Suk Yixi Lee)
E-Mail:

Technical Leader
金载桓(Jaehwan Kevin Kim)
E-Mail:

Technical Leader
尹柱珉(Jumin Yoon)
E-Mail:

// // wechat qr 현재 URL 로 변경 // https://github.com/mkdynamic/jquery-popupwindow /*! * Display popup window. * * Requires: jQuery v1.3.2 */ // weibo show