设想一下,如果没有了智能手机、电脑或互联...
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SK海力士携下一代解决方案实力现身2024台北国际电脑展
SK海力士携下一代解决方案实力现身2024台北国际电脑展
SK海力士携下一代解决方案实力现身2024台北国际电脑展
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SK海力士携下一代解决方案实力现身2024台北国际电脑展
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SK海力士李康旭副社长成为首位荣获“IEEE-EPS年度大奖”的韩国人
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SK海力士与韩国材料及设备企业 联手,合作研发半导体行业首项氖气回收技术
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NVIDIA GTC 2024: SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景
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SK hynix_GPU TechnoNVIDIA GTC 2024: SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景logy Conference 2024_04
NVIDIA GTC 2024: SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景
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SK海力士于NVIDIA GTC发布AI PC端最高性能SSD新产品
SK海力士于CES 2024上展望由人工智能驱动的新世界
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全面了解SK海力士的可视化ESG进程: 以健全的公司治理获得利益相关方信任
SK海力士荣庸 “2023 R&D 100”研发创新大奖, 采访新一代“KV-CSD”研发团队
全面了解SK海力士的可视化ESG进程: SK海力士以可持续发展构建更美好的世界
白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键
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全面了解SK海力士的可视化ESG进程: SK海力士践行创新举措,创造绿色未来
持续引领HBM市场:与全球首款12层HBM3产品的开发团队面对面
SK海力士2022年在ESG领域达成的里程碑
传统的背照式(BSI)结构和作为附加像素分割结构的背侧深沟槽隔离(BDTI)工艺
不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较
ISSCC上发表的HBM相关文章的趋势
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
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LPDDR5X的速度较LPDDR5提升了33%,仅1秒就可以下载13部5GB大小的视频
SK海力士实现世界最早、最高成就的LPDDR研发历程不断实现了更快的运行速度和更低的功耗
Logic Scaling(逻辑微缩)的机遇与挑战
Transistor Scaling(晶体管微缩)
于OCP全球峰会2022公开的CMS(Computational Memory Solution_512GB)
SK海力士业界首推基于CXL的存算一体计算存储器解决方案CMS
[SEDEX 2022] 以尖端技术打造更美好世界,遇见“We Do Technology”
[SEDEX 2022] 以尖端技术打造更美好世界,遇见“We Do Technology”
SK海力士开发出DDR5 DRAM CXLTM存储器,将扩大CXL存储器生态系统
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共创社会幸福: 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
共创社会幸福: 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
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共创社会幸福: 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
共创社会幸福: 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
共创社会幸福: 重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目
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HBM3 DRAM技术革新的幕后推手─SK海力士DRAM产品规划担当
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SK海力士2021年创造的社会价值达 9.4173 万亿韩元
SK Hynix 20nm class 8Gb LPDDR4_01
Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (左二),Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右二)
Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (中间), Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右一)
为了庆祝国际护士节SK海力士员工向当地医院员工捐赠疫情防控物资
无锡SK海力士幸福公益资金会(SKHPIF)向当地社区捐赠疫情防控物资
https://news.skhynix.com.cn/%e4%bb%8e%e5%a4%9a%e5%8a%9f%e8%83%bd%e6%91%84%e5%83%8f%e6%9c%ba%e5%a4%9a%e6%91%84%e6%99%ba%e8%83%bd%e6%89%8b%e6%9c%ba%e8%b5%b0%e5%90%91%e4%ba%ba%e5%b7%a5%e6%99%ba%e8%83%bd%e6%9c%ba%e5%99%a8-cmos/
https://news.skhynix.com.cn/sk%e6%b5%b7%e5%8a%9b%e5%a3%ab%e5%9c%a8%e6%97%a5%e6%9c%ac%e6%88%90%e7%ab%8bcmos%e5%9b%be%e5%83%8f%e4%bc%a0%e6%84%9f%e5%99%a8%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%89%80-%e5%8a%9b%e4%ba%89%e5%a2%9e%e5%bc%ba%e6%8a%80/
CIS
CMP工艺机制 / CMP process mechanism
物理气相沉积 (PVD, Physical Vapor Deposition)
化学气相沉积 (CVD, Chemical Vapor Deposition)
2021年超大规模集成电路(VLSI)国际研讨会上对新兴内存技术的探讨
In-DRAM ECC应用于DDR5的可靠性改进效果
DRAM与NAND存储密度增长趋势的年度比较
在任意设定的芯片价格下,通过增加芯片存储密度来降低位元生产成本
在任意设定的芯片价格下,通过增加每个晶圆的芯片数量来降低每个芯片的成本
全球DRAM IDM公司数量的年度变化(不包括在全球DRAM市场占有率低于3%的公司)
扇入型晶圆级封装 (Fan-In Wafer-Level Package) & 扇出型晶圆级封装 (Fan-Out Wafer-Level Package)
ToF(飞行时间)传感器工作原理和应用领域
SV measurement Graph
密封法(Hermetic)和模塑法(Molding)的比较
模塑(Molding)工艺:传递模塑(Transfer Molding)和压缩模塑(Compression Molding)
压缩模塑(Compression Molding)
引线键合(Wire Bonding) VS加装芯片键合(Flip Chip Bonding)的工艺
一次键合:在芯片焊盘上的球引线键合(Ball Bonding)
二次键合:PCB焊盘上的针脚式键合(stitch bonding)
SK海力士_经人工智能增强的扩展卡尔曼滤波器的定位估计
传统激光切割(grooving)&激光隐形切割(SD)方法的比较
SK海力士_光电二极管结构随像素尺寸减小而变化的示意图
Increased Importance of ESG in terms of corporate value enhancement
Major ESG Activities by SK hynix
SK海力士_晶圆制造工艺和半导体制造工艺中的形态变化
SK海力士_多芯片封装(MCP,Multi Chip Package)结构
SK海力士_分布式ECU、集成式ECU和DCU示意图
SK海力士_每种应用的NAND闪存的估计密度和存储类型
SK海力士_革命之路(Revolutionary Path)与进化之路(Evolutionary Path)