本系列第四篇文章将聚焦SK海力士以压倒性的技术实力，成功创造全球最高堆叠层数的321层NAND产品这一里程碑式成就，并深入探讨背后支撑这一壮举的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
本系列第三篇文章将深入探讨SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力，并回顾“一个团队”协作精神在DRAM发展过程中的关键节点上所发挥的重要作用。
在SK海力士巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM无疑发挥了决定性作用。本系列第二篇文章，将回顾全体成员齐心协力推动HBM技术创新的驱动力——“一个团队”协作精神的闪耀时刻。
2025台北国际电脑展上，SK海力士以“存储器，驱动人工智能与未来”为主题设立四大展区，展示了多种面向的AI存储器解决方案。
本文采访了宋清基TL，深入了解他研发的心路历程以及本次获奖感言。
SK海力士22日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。
新闻稿
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