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SK海力士荣庸 “2023 R&D 100”研发创新大奖，采访新一代“KV-CSD”研发团队

企业文化和员工
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SK海力士荣庸 “2023 R&D 100”研发创新大奖，采访新一代“KV-CSD”研发团队

SK 海力士键值计算存储驱动器（KV-C...

SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

新闻稿
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SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

新闻概要正式向全球智能手机制造商供应移...

[半导体后端工艺：第九篇] 探索不同材料在传统半导体封装中的作用

技术
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[半导体后端工艺：第九篇] 探索不同材料在传统半导体封装中的作用

可靠性和稳定性是保障半导体产品顺畅运行的...

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新闻稿 featured

2023年11月13日

SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

新闻概要正式向全球智能手机制造商供应移动端16GB容量套装…

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商业 featured

2023年10月30日

[品牌短片] 谁是打破常规者

伽利略、毕加索、莱特兄弟⋯⋯纵观历史，从天文、艺术到科技、工…

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新闻稿 featured

2023年10月25日

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

通过技术力和产品竞争力提升收入，减少营业损失规模 DRAM随…

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企业文化和员工 featured

2023年11月29日

SK海力士荣庸 “2023 R&D 100”研发创新大奖，采访新一代“KV-CSD”研发团队

SK 海力士键值计算存储驱动器（KV-CSD）荣庸2023 …

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技术 featured

2023年11月02日

[半导体后端工艺：第九篇] 探索不同材料在传统半导体封装中的作用

可靠性和稳定性是保障半导体产品顺畅运行的关键因素。半导体器件…

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ESG featured

2023年11月01日

全面了解SK海力士的可视化ESG进程: SK海力士以可持续发展构建更美好的世界

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[品牌短片] 谁是打破常规者

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[品牌短片] 谁是打破常规者

[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家—通用闪存存储（UFS）

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[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家—通用闪存存储（UFS）

[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – 人工智能半导体

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[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – 人工智能半导体

[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – HBM

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[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – HBM

[CES 2023] SK海力士展示绿色数字解决方案

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[CES 2023] SK海力士展示绿色数字解决方案

践行 ESG 理念，SK 海力士连点成线

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践行 ESG 理念，SK 海力士连点成线

SK海力士：创新，引领改变

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SK海力士：创新，引领改变

蓬勃发展的数字经济，内存与存储正在深度参与

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蓬勃发展的数字经济，内存与存储正在深度参与

SK海力士最新封装技术

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SK海力士最新封装技术

封装技术发展带来的变化

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封装技术发展带来的变化

存储器封装弥补了器件和系统之间的范围差距

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存储器封装弥补了器件和系统之间的范围差距

SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (11)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (11)

SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (10)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (10)

SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (9)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (8)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (7)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (6)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (5)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (4)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (3)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (2)

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SK海力士携绿色数字解决方案亮相CES 2023 (1)

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2022年SK海力士引领科技创新成就

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2022年SK海力士引领科技创新成就

SK海力士2022年参加的全球性科技活动

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SK海力士2022年在ESG领域达成的里程碑

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W型栅格结构和空气栅格结构

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W型栅格结构和空气栅格结构

传统的背照式(BSI)结构和作为附加像素分割结构的背侧深沟槽隔离(BDTI)工艺

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传统的背照式(BSI)结构和作为附加像素分割结构的背侧深沟槽隔离(BDTI)工艺

不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较

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不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较

背照式(BSI)工艺流程图

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光衍射和像素大小的关系

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光衍射和像素大小的关系

量子效率(QE)方程式和前照式(FSI)结构图

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前照式(FSI)结构和单位像素示意图

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专注“芯”科技，共享“芯”未来： SK海力士参展第四届中国国际进口博览会

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专注“芯”科技，共享“芯”未来： SK海力士参展第四届中国国际进口博览会

数字孪生全球市场规模发展趋势

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数字孪生在工业制造领域的应用

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数字孪生的概念

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数字孪生的概念

PVT感知时序优化技术

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PVT感知时序优化技术

基于机器学习技术的信号线路优化

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各代HBM产品的数据传输路径配置

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各代HBM产品的数据传输路径配置

ISSCC上发表的HBM相关文章的趋势

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

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SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

LPDDR5X的速度较LPDDR5提升了33%，仅1秒就可以下载13部5GB大小的视频

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SK海力士实现世界最早、最高成就的LPDDR研发历程不断实现了更快的运行速度和更低的功耗

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SK海力士实现世界最早、最高成就的LPDDR研发历程不断实现了更快的运行速度和更低的功耗

HKMG Application

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HKMG Application

HKMG让DRAM开发更加有效且经济

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HKMG让DRAM开发更加有效且经济

采用HKMG的效果

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采用HKMG的效果

设备架构的微缩进程

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设备架构的微缩进程

Logic Scaling(逻辑微缩)的机遇与挑战

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Logic Scaling(逻辑微缩)的机遇与挑战

Transistor Scaling(晶体管微缩)

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SK海力士的NAND技术研发

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SK海力士的NAND技术研发

2D NAND到4D NAND的发展概念图 (2)

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2D NAND到4D NAND的发展概念图 (2)

2D NAND到4D NAND的发展概念图 (1)

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采用SK海力士CMS解决方案的平台结构

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CMS(基手CXL的内存扩展+加速器)示意图

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采用SK海力士CMS的大数据分析平台演示

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于OCP全球峰会2022公开的CMS（Computational Memory Solution_512GB)

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于OCP全球峰会2022公开的CMS（Computational Memory Solution_512GB)

SK海力士业界首推基于CXL的存算一体计算存储器解决方案CMS

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

质量设计新政：SK海力士如何开发出高品质产品

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[SEDEX 2022] 在参与问答活动和多种游戏的观众们

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[SEDEX 2022] 开展半导体学院元宇宙入学说明会的‘人才’展区

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[SEDEX 2022] 开展半导体学院元宇宙入学说明会的‘人才’展区

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[SEDEX 2022] 开展半导体学院元宇宙入学说明会的‘人才’展区

[SEDEX 2022] 开展半导体学院元宇宙入学说明会的‘人才’展区

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[SEDEX 2022] 展示SK海力士视频内容与周边产品的‘沟通’展区

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[SEDEX 2022] 介绍SK海力士多样环境经营活动的‘ESG’展区

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[SEDEX 2022] 观众们在参观‘尖端技术’展区

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[SEDEX 2022] Platainum P41 SSD 展区

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[SEDEX 2022] 展示DRAM和NAND发展进程的展区

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[SEDEX 2022] SK海力士社长兼联合CEO郭鲁正在参观SK海力士展区

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[SEDEX 2022] 以尖端技术打造更美好世界，遇见“We Do Technology”

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NAND和DRAM的区别

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NAND解决方案结构图

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SK海力士HBM开发背后的故事

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SK海力士DRAM产品规划，引领后HBM3时代的内存发展

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SK海力士开发出DDR5 DRAM CXLTM存储器，将扩大CXL存储器生态系统

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共创社会幸福：重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目

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共创社会幸福：重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目

共创社会幸福：重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目

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共创社会幸福：重温SK海力士2022上半年主要社会贡献项目

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HBM3 DRAM技术革新的幕后推手─SK海力士DRAM产品规划担当

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HBM3 DRAM技术革新的幕后推手─SK海力士DRAM产品规划担当

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SK海力士2021年创造的社会价值达 9.4173 万亿韩元

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SK海力士实施技术助力安全的理念

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Smart Safety Technology_500px

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时代0接触，从“芯”知识界

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智能家居的半导体存储器

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[SK HYNIX STUDIO] 视力派要员

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SK海力士宣传视频(中文版) / SK hynix PR Video (Chinese Ver.)

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CES 2020: 芯片的未来

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生活在柿子树旁的老人家的秘密

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[SK hynix TV Commercial 2019] Cheongju, a city of world-class semiconductors(英文字幕版)

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人工智能(AI)半导体的现状与未来（2）：AI技术的多种应用

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回顾SK海力士过去的十年

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SK海力士十年间的变化（*2021年12月31日为准）

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郭正社（首席安全制造官）

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卢钟元社长（事业总管）

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MBUX Hyperscreen

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Semiconductor products

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SK Hynix 20nm class 8Gb LPDDR4_01

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SK海力士_CIS图像传感器

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SK海力士成祝HBM2E量产

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Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (左二)，Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右二)

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Sam Lee, Head of SK hynix America Inc. (中间)， Tony Yoon, Head of SKSKHMS America (右一)

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为了庆祝国际护士节SK海力士员工向当地医院员工捐赠疫情防控物资

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无锡SK海力士幸福公益资金会（SKHPIF）向当地社区捐赠疫情防控物资

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SK海力士_Deep Change 2020

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SK海力士_Deep Change 2020

SK海力士_金镇国_1

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SK海力士_金镇国_2

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SK海力士_金镇国_3

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SK海力士_金镇国_4

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SK海力士_环保产品认证

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SK海力士_创新专利奖励

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SK海力士无_SK海力士得表彰

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SK海力士无_SK海力士幸福保有限公司

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SK海力士无_SK·亮睛

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SK海力士的全球首款128层1Tb 4D NAND闪存

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CIS

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CMOS

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DDR5

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开在健康之路上的幸福巴士

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[SK hynix TV Commercial 2018_2] SK hynix, create the universe from within” (英文字幕版)

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We are looking for a person who has a "Tenacity Syndrome." (英文字幕版)

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Tenacity series 3. Hi-Gineers, their crisis tackling DNA. (英文字幕版)

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CMP工艺机制 / CMP process mechanism

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物理气相沉积 (PVD, Physical Vapor Deposition)

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化学气相沉积 (CVD, Chemical Vapor Deposition)

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蚀刻 ( Etching ) 工程

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初始籽晶和外延层

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外延层与非晶层

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单晶层平均电子流动速率

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多晶层平均电子流动速率

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多晶层平均电子流动速率

无定形层平均电子流动速率

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晶格常数

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晶格常数

外延层晶格常数大时

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外延层晶格常数小时

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内存带宽与容量需求

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存储器的层次与新兴存储器技术

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2021年超大规模集成电路（VLSI）国际研讨会上对新兴内存技术的探讨

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两种不同类别铁电存储器的工作原理

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STT-MRAM与SOT-MRAM的对比

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二维扩展和三维堆叠的概念

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传统计算VS内存内计算

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存内模拟计算的关键指标对比

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携手共时限，此月与你明

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光刻流程

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“状态检修”的概念

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无线输电与能量收集

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不同能量收集来源间的比较

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无电池自行车轮灯如何自我供电

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信息物理系统的两种架构方案

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质量和可靠性之间的区别

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浴盆曲线

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浴盆曲线

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老化测试的效果

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In-DRAM ECC应用于DDR5的可靠性改进效果

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文化反映提问

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DRAM与NAND存储密度增长趋势的年度比较

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半导体定价结构

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在任意设定的芯片价格下，通过增加芯片存储密度来降低位元生产成本

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在任意设定的芯片价格下，通过增加每个晶圆的芯片数量来降低每个芯片的成本

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全球DRAM IDM公司数量的年度变化（不包括在全球DRAM市场占有率低于3%的公司）

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半导体封装(Packaging)方法的分类

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封装 (Packaging)方法

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应用TSV技术的DRAM产品

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扇入型晶圆级封装 (Fan-In Wafer-Level Package) & 扇出型晶圆级封装 (Fan-Out Wafer-Level Package)

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人眼与CIS响应系统对比

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光响应特征与动态范围扩展(1)

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光响应特征与动态范围扩展(2)

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低光信噪比和动态范围扩展技术

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像素缩放技术

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ToF（飞行时间）传感器工作原理和应用领域

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SK海力士的首款ToF传感器

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iToF和dToF的进化发展

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应用领域的扩展

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SV measurement Graph

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半导体的导电与绝缘性质与其电阻率的改变有关

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四个影响半导体的常数

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TR的内部结构和电阻率@旧模型结构

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SK海力士水系统流程图

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密封法(Hermetic)和模塑法(Molding)的比较

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模塑(Molding)工艺：传递模塑(Transfer Molding)和压缩模塑(Compression Molding)

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传递模塑（Transfer Molding）

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压缩模塑(Compression Molding)

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应急贮水设施流程

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扩展XR的组成部分

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ESG债券 1

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ESG债券 3

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键合法的发展史

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引线键合(Wire Bonding) VS加装芯片键合(Flip Chip Bonding)的工艺

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引线键合的结构

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引线键合法

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一次键合：在芯片焊盘上的球引线键合（Ball Bonding）

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二次键合：PCB焊盘上的针脚式键合（stitch bonding）

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SK海力士_应用传统扩展卡尔曼滤波器的定位估计

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SK海力士_经人工智能增强的扩展卡尔曼滤波器的定位估计

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SK海力士_人工智能辅助航迹推算的性能

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键合类型

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芯片键合与倒装芯片键合之间的比较

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芯片拾取和放置

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芯片顶出工艺：在三个方向施加力时的放大图

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使用晶片黏结薄膜（DAF）的芯片键合工艺

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晶圆切割方法的发展历程（切单）

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早期的划片切割法

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刀片切割（锯切）方法

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刀片切割（锯切）过程中，保护膜的附着与摘除

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现存的刀片切割&DBG（先切割，后减薄）方法

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传统激光切割（grooving）&激光隐形切割（SD）方法的比较

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社会投资回报指数

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智慧工厂解决方案

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MTJ的电阻随着MRAM外部磁场的变化而变化

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自由层的磁化方向(a)

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STT-MRAM施加电流

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霍尔效应

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MRAM、STT-MRAM和SOT-MRAM的电路结构对比

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各种存储半导体编程1比特（bit）时所消耗的能量对比

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社会价值2030

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绿色2030五大目标

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碳排放权交易机制

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ECOVision 2022

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洗涤器的温室气体处理流程

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模疼痛信生成程

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敏度透明示器

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神形算法

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Increased Importance of ESG in terms of corporate value enhancement

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Major ESG Activities by SK hynix

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SK海力士_Data Science_4

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SK海力士_晶圆制造工艺和半导体制造工艺中的形态变化

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SK海力士_UXUI_解决方案

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芯片尺寸随单元层数而减小

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从 2D 发展到 4D-NAND 的概念图

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SK海力士_降低潜在成本的温室气体减排

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SK海力士_每种应用的NAND闪存的估计密度和存储类型

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SK海力士_出行技术

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SK海力士_主要行业对CIS的需求占比

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3D-硅通孔 (TSV) DRAM & 高带宽存储器(HBM)

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3D-硅通孔（TSV）DRAM & 双层封装 Dual-Die Package

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DRAM规格

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系统级封装内高带宽存储器

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2022年环境与清洁愿景

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SK海力士安保环管理体系

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SK海力士霸主本纪

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