公司概览
SK海力士总部位于韩国，作为世界顶级半导体供应商之一，为全球众多知名企业提供动态随机存取存储器(DRAM)、NAND快闪存储器(NAND Flash)及CMOS图像传感器（CIS）等产品。
概况
总收入 32,766
营业利润 -7,730
净利润 -9,138
产品&服务
销售比重（以2023年为准，韩国地区）
业务领域
DRAM
通过创新技术研发，针对移动产品、服务器等领域的多元化市场需求，提供高质量的DRAM产品，致力于引领全球DRAM产业。
NAND闪存
生产制造TLC和QLC等最新NAND闪存，并且不断研发数据处理速度更快、容量更大的产品。
SSD
提供最佳的NAND闪存解决方案，以满足包括服务器厂商(企业级SSD)、PC厂商以及大众消费者对高品质SSD的多元化需求。
CIS
通过开发具备良好兼容性、有效抑制噪点的高分辨率CIS(CMOS Image Sensor)，开启市场新篇章。
员工
46,255
员工数
以2023年为准
7,574
(16%)
海外员工数
(不包含韩国在内)
34.1%
女性员工比例
品牌识别
SK海力士旨在引领以科技为基础的未来IT生态圈。凭借强烈的信念和技术创新，希冀所有利益相关者和社会成员共同发展，携手走向美好未来。SK海力士建立的品牌识别系统，致力于成为以先进技术为核心力量，创造更美好世界的公司。
双重底线(Double Bottom Line)
SK海力士深刻地认识到为赢得利益相关者信任而提升企业价值的重要性。加强社会责任意识，既是企业应尽的责任，也是一种生存方式。为此，公司已宣布同时遵循经济和社会价值的双重底线（Double Bottom Line，简称DBL）管理原则，同时采取具体措施以保持两种价值的平衡，努力确保竞争优势。该原则不仅是SK海力士平衡社会价值（Social Value）和经济价值（Economic Value）管理体系的指导原则，亦是实现公司章程规定的企业观，即“为推动社会和经济发展发挥核心作用，进而为人类福祉做出贡献”的实践办法。SK海力士正致力于在双重底线管理体系（DBLMS）的基础上，制定事业计划，建立实施、补偿及评价体系并不断升级优化，将追求员工幸福感和为解决社会问题做出贡献作为企业社会价值的内涵。
可持续发展报告
主要历程
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
- 1987
- 1986
- 1985
- 1984
- 1983
2023
- 8月 开发出全球最高规格“HBM3E”
量产全球最大容量“LPDDR5X DRAM”
公开全球最高层“321层NAND”样品 - 6月 全球最高层“238层4D NAND”进入量产
- 4月 开发出全球首款12层堆叠HBM3
- 1月 开发出全球最快移动DRAM，LPDDR5T
2022
- 9月 决定投资M15X新厂
- 8月 完成对Key Foundry的收购
开发出全球最高层“238层NAND”闪存 - 6月 HBM3 DRAM正式量产
- 3月 郭鲁正社长接任独立代表理事职务
加入SK集团10周年 - 2月 开发新一代智能半导体存储器PIM
- 1月 SK集团旗下三家子公司成立ICT联盟
2021
- 12月 完成收购英特尔NAND内存及SSD业务的第一阶段交易
- 10月 成功开发全球首款HBM3 DRAM
- 7月 采用EUV量产第四代10纳米级DRAM
- 5月 公布“2020年社会价值（SV）成果”
- 3月 宣布正式量产业界最高容量的LPDDR5移动DRAM
- 2月 宣布M16新厂竣工
2020
- 12月 加入RE100
成功研发业界最高堆叠层数的176层 4D NAND闪存 - 10月 推出全球首款DDR5 DRAM
宣布收购英特尔NAND闪存业务 - 8月 推出Gold P31，世界首款128层 NAND客户级 PCIe NVMe SSD
- 7月 公司宣布开始量产超高速DRAM ‘HBM2E’
- 4月 荣获2019 CDP选定的‘水管理’大奖
公司最先进的企业级固态硬盘(eSSD) PE8000系列 – 现已开始提供样品
2019
- 12月 10纳米级LPDDR4产品通过环保产品认证
- 10月 成功研发第三代10纳米（1Znm）DDR4 DRAM
- 8月 于美国亚马逊开始销售”Gold S31”消费者用SSD
成功研发业界最快的HBM2E高带宽存储器 - 6月 开始量产全球首款128层4D NAND闪存
- 5月 基于96层4D NAND的1Tb QLC样品出货
- 4月 中国无锡工厂（C2F）完成扩建
- 3月 确定1.22万亿韩元规模的“半导体共赢集群”支持方案
在业内首次演示用于下一代数据中心的ZNS SSD - 2月 半导体产业集群特殊目的公司向龙仁市政府提交投资意向书
2018
- 12月 利川总部举行M16奠基仪式
新任代表理事李锡熙社长就任 - 11月 成功研发第二代10纳米级（1Y）16Gb DDR5
成功研发第二代10纳米级（1Y）DDR4 DRAM
成功研发全球首款基于CTF的96层4D NAND - 10月 宣布以科技为本的新口号“We Do Technology”
举行清州M15工厂竣工仪式 - 7月 宣布在京畿道利川新建半导体工厂
- 6月 韩美日企业联合体完成Toshiba Memory Corporation收购工作/li>
- 5月 子公司型残疾人标准单位“Happy More”竣工
- 3月 引进外部董事制度、在董事会内成立可持续管理委员会
- 2月 成功研发第四代（72层）3D NAND 4TByte企业级SATA SSD
基于第四代（72层）3D NAND的下一代PCIe eSSD启动客户验证
2017
- 10月 “SK海力士产业卫生先进化持续委员会”启动
- 9月 宣布利川园区研发中心建设计划
董事会决议通过Toshiba Memory Corporation投资方案 - 7月 代工业务子公司“SK海力士System IC”成立
- 4月 成功研发基于20纳米级8Gb的全球最快下一代绘图DRAM——GDDR6
成功研发堆叠层数最高的72层3D NAND闪存 - 1月 首发全球最大容量的8GB超低功耗移动DRAM——LPDDR4X
2016
- 12月 宣布在庆尚北道清州建设最新半导体工厂计划
- 10月 与美国斯坦福大学签署“关于联合研究和开发人工神经网络半导体器件”的协议
在韩国首次跻身碳信息披露项目（CDP）最高荣誉“白金俱乐部Platinum Club” - 8月 与韩国残疾人雇佣公团签署旨在成立“子公司型标准单位”的谅解备忘录
- 2月 男子手球队“SK Hawks”成立
2015
- 8月 利川M14生产线竣工
与SanDisk（闪迪）签署专利授权延长及供货合同 - 6月 在业内首次引进“薪酬共享制”
- 2月 8Gb LPDDR4在业界首次实现商业化
- 1月 2014年度经营业绩创历史新高
2014
- 12月 与Toshiba（东芝）签署联合开发NIL技术的谅解备忘录等加强全方位合作
- 10月 首次研发16GB非挥发性混合DRAM模块
- 9月 中国重庆后段制程生产法人竣工
连续五年被列入道琼斯可持续发展世界指数（DJSI World）
全球首次研发Wide IO2移动DRAM - 6月 收购白俄罗斯Softeq固件部门
- 5月 收购美国Violin Memory公司PCIe卡部门
- 4月 首次开发128GB DDR4模块
2013
- 12月 全球首次研发20纳米级LPDDR4
全球首次研发基于TSV技术的HBM - 11月 构建16纳米NAND闪存量产体系
- 10月 在韩国首次进入“碳信息披露项目CDP荣誉殿堂”
全球首次研发20纳米级6Gb LPDDR3
季度销售额首破4万亿韩元 - 8月 综合“分析中心”建成落户
- 7月 与三星电子签署半导体专利交叉授权许可协议
- 6月 与Rambus签署专利授权框架协议
全球首次研发大容量8Gb LPDDR3 - 3月 企业博客“Hilight”开通
- 2月 新任代表理事朴星昱就任
2012
- 11月 在业内首次连续两次荣获可持续管理大奖（2008年首获殊荣）
- 10月 连续四年入选碳信息披露项目CDP及碳管理全球领袖俱乐部
- 9月 成功研发20纳米级4Gb绘图DDR3
“闪存设计解决方案中心”成立 - 6月 清州M12生产线竣工
消费级SSD上市
收购美国LAMD 控制器厂商
收购意大利NAND闪存开发商Ideaflash后转型成立欧洲技术中心
与IBM签署PC RAM战略合作协议 - 4月 与美国Spansion（飞索半导体）签署战略合作协议
- 2月 公司改名“SK海力士株式会社”并宣布成立SK海力士
- 1月 最大股东变更为SK电讯
代表理事崔泰源会长就任
河成旼就任SK电讯社长兼董事会主席
在与Rambus的反垄断诉讼中胜诉
2011
- 11月 获得第19届韩国物流大奖总统表彰
SK电讯与海力士半导体签署股权收购合同 - 9月 获得第35届国家生产性大会国家生产性大奖总统表彰
- 7月 与日本Toshiba（东芝）签署下一代内存MRAM战略合作协议
- 6月 连续两年被韩国企业治理结构院（KCGS）评选为优秀企业
全寅伯就任董事会主席
获得第20届经济正义企业奖大奖 - 5月 在与美国Rambus的专利二审中胜诉
- 4月 成功研发30纳米级2Gb下一代DDR4 DRAM
- 3月 采用TSV技术开发全球最大容量DRAM
- 2月 获得2011年第7届透明经营大奖
- 1月 为实现公正评价和公平补偿，废除晋升制度，全新引进积分式人事制度
2010
- 12月 全球首次开发30纳米级4Gb DRAM
获得健康劳资关系有功者表扬及优秀行政机构认证总统表彰 - 11月 在半导体行业首次发行碳管理报告
在韩国企业“企业治理结构”排行榜中排名第一 - 9月 首次被列入道琼斯可持续发展世界指数（DJSI World）
与美国HP（惠普）签署ReRAM联合开发协议 - 6月 中国后段制程合资工厂——海太半导体有限公司竣工
- 5月 新任代表理事权五哲就任
在晶圆级封装全球首次开发“堆叠技术” - 2月 成功研发NAND闪存20纳米级64Gb芯片
2009
- 12月 全球首次研发40纳米级2Gb绘图DDR5
- 11月 荣获可持续管理大奖
在大中小企业合作大奖荣获企业/团体类总统表彰 - 10月 成功研发性能业界最佳的第二代1Gb DDR3
在韩国半导体企业中最早加入联合国全球契约（UNGC） - 8月 4Gb移动DRAM全球首获英特尔认证
- 5月 在中国无锡市设立后段制程合资公司
与Numonyx（恒忆）、Phison（群联）签署NAND闪存应用产品控制器三方联合开发协议 - 4月 成功研发全球性能最佳的移动DRAM
发布可持续发展报告《Good Memory，Better Tomorrow》
日本撤销保护关税 - 3月 8GB DDR3服务器模块全球首获英特尔认证
- 2月 全球首次研发44纳米级DDR3 DRAM
- 1月 全球最快DDR3服务器模块4GB ECC UDIMM获得英特尔认证
2008
- 12月 全球首次研发采用“晶圆级封装”的超小型服务器模块
全球首次研发8层NAND闪存
美国和欧洲的SRAM反垄断调查以无嫌疑结束
全球首次研发2Gb大容量移动DRAM - 11月 成功研发全球最快的1Gb绘图DRAM
获得温室气体国际验证声明 - 10月 荣获可持续管理大奖
- 9月 全球首次研发新概念双面封装基板
- 8月 专门生产300mm产品的清州第三工厂竣工
美国撤销保护关税
全球首次研发16GB服务器模块 - 7月 荣获“可持续发展报告”半导体类大奖
与CNS签署汽车半导体合作协议 - 6月 与台湾Phison（群联）正式签署业务合作协议
全球首次研发采用3重单元技术的32Gb NAND闪存 - 5月 与ProMOS（茂德科技）签署合作框架协议
- 4月 业界首发《可持续发展报告》
欧盟撤销保护关税
全新制定核心价值——挑战、创造、合作
成功研发全球最快的移动LPDDR2
与美国Grandis签署STT RAM授权及联合开发协议 - 3月 选出新任董事
与韩国无晶圆厂FIDELIX签署合作协议
清州300mm工厂（M11）设备搬入仪式 - 2月 与美国MetaLab开发基于2-Rank的高性能服务器8GB DDR2内存模块
加大研发力度，以重夺收益性第一宝座 - 1月 下一代非挥发性存储器领域原始技术联合开发签署仪式
为构建全新创新系统，借鉴学习丰田公司
54纳米1GB/2GB DDR2模块获得英特尔认证
为纪念推动可持续管理的元年，举办经营战略研讨会
2007
- 12月 成功发行约6亿美元的境外可转换债券
- 11月 世贸组织宣判“日本对海力士征收保护关税不合理”
与SiliconFile签署旨在推进CIS的合作协议
引进新董事会制度“工作的董事会”
54纳米1Gb DDR2 DRAM获得英特尔认证
与韩国企业合作运营性能评价Fab
全球首次研发1Gb GDDR5 - 10月 与环境运动联合签署“环保经营验证委员会”协议
与美国Ovonyx签署下一代内存PRAM技术授权协议 - 9月 Hynix-ST半导体有限公司与CRH签署200mm设备出售合同
全球首次研发24层NAND闪存MCP - 8月 与Innovative Silicon签署新概念内存ZRAM授权协议
成功研发超高速、超小型1Gb移动DRAM - 7月 发布企业口号“Good Memory”
发布旨在实现第二次创业愿景的中长期综合规划 - 3月 成功研发超薄型20层NAND闪存MCP
超高速下一代闪存DDR3业内首获认证 - 4月 利润率刷新业界最高纪录
清州300mm工厂（M11）破土动工
融合式内存DOC H3正式投入量产 - 3月 新任代表理事金锺甲就任、宣布“第二次创业”愿景
与SanDisk（闪迪）签署专利相互授权及供货协议、关于成立合资公司的谅解备忘录
与Toshiba（东芝）签署专利相互授权及供货协议
宣布绿色环保标志
成功研发全球最快的ECC移动DRAM
组建新任董事会 - 1月 创造历史最高销售额和利润
成功研发采用最新“晶圆级封装”技术的超高速内存模块
2006
- 12月 全球首次研发60纳米级超高速DDR2模块
成功研发全球最快的200MHz 512Mb移动DRAM - 10月 中国合资工厂竣工，构建全球300mm生产体系
- 9月 300mm研发Fab“R3”启用
- 3月 80纳米DDR2 DRAM在业界首获英特尔认证
- 1月 决定与M-Systems联合研发下一代融合式内存“DOC H3”
2005
- 12月 成功研发全球最快、容量最大的绘图内存512Mb GDDR4 DRAM
- 11月 首次研发采用自研半导体堆叠技术的超小型内存模块两款
- 7月 2GB DDR2-667笔记本电脑模块在业界首获英特尔认证
确定提前结束与债券金融机构开展的联合管理 - 6月 超高速1GB DDR2-800模块在业界首获认证
- 5月 利川M10工厂竣工仪式、300mm晶圆投入量产
- 4月 位于江苏省无锡市的中国当地合资工厂破土动工
- 3月 2004年经营业绩实现史上最高的年度营业利润
- 1月 成功研发功耗减少30%且基于x8技术的服务器内存模块
与台湾ProMOS（茂德科技）正式签署旨在开展战略合作的协议
2004
- 11月 与STMicro正式签署旨在建立中国当地合资工厂的协议
- 10月 非存储器事业部门完成营业转让
- 8月 与中国江苏省无锡市正式签署在中国当地建厂的协议
- 6月 与System Semoconductor有限公司签署非存储器事业部门营业转让协议
- 3月 业内首次研发超高速DDR SDRAM 550MHz
1Gb DDR2 SDRAM获得英特尔认证 - 2月 成功研发512Mb NAND闪存
2003
- 12月 与台湾ProMOS（茂德科技）签署战略合作协议
512Mb DDR2 SDRAM获得英特尔认证 - 9月 荣获由Celestica（天弘集团）颁奖的优秀合作伙伴奖
- 8月 成功研发0.18微米高电压工艺技术
成功研发1Gb DDR2 - 7月 超高速256M DDR500上市
- 6月 512Mb/512MB DDR400获得英特尔认证
4096色有机EL驱动芯片上市
成立环境/安全/卫生技术研究所 - 5月 超低功耗移动256Mb SDRAM批量生产
成功研发0.10微米级黄金芯片量产技术 - 4月 与STMicro签署闪存战略合作协议
- 3月 成功研发兆级（Mega）FeRAM商业化技术
CMOS高频率PLL集成电路芯片上市 - 2月 256Mb/256MB DDR 400获得英特尔认证
- 1月 333Mbs级超高速512Mb DDR SDRAM获得英特尔认证
2002
- 11月 完成HYDIS出售
- 10月 成功研发0.10微米级512Mb DDR
- 9月 签署出售子公司HYDIS（TFT-LCD）的谅解备忘录
- 8月 首推超高速绘图内存256Mb DDR SDRAM
内存模块韩国境内销售网站开通 - 7月 成功研发蓝牙“嵌入式快闪基带芯片”
- 6月 首推高性能信息家电256Mb SDRAM
- 5月 与Cirrus Logic（凌云逻辑）签署代工及长期战略供货协议
- 3月 1GB DDR DRAM模块上市
- 2月 台湾VIA（威盛电子）公司正式认证DDR SDRAM
- 1月 签署现代Syscom股权转让合同
2001
- 12月 全球最快的绘图128Mb DDR SDRAM上市
- 11月 DDR333获得台湾SiS（矽统科技）公司的客户认证
- 10月 车载音响8b MCU开发及投入量产
- 9月 凭借“Blue Chip”项目确保全球最高水平的竞争力
以6.5亿美元出售TFT-LCD资产 - 8月 确定从现代集团分离
- 7月 闪存卡MCU开发及投入量产
通信系统事业部拆分成立为现代Syscom - 6月 FED驱动IC开发完成
经营支援部门拆分成立为Astec株式会社
在国内外成功发行大规模GDR
进入MCP市场
32Mb超低电压型闪存两款上市 - 5月 通信ADSL事业部拆分成立为现代Networks
通信ADSL事业正式拆分
成功研发1Mb铁电体内存（FeRAM）
通信终端设备事业部拆分成立为现代Curitel - 4月 全球最快的超高速绘图DDR SDRAM投入量产
制定新的企业形象（CI）
美国Rambus正式认证288Mb总线式DRAM - 3月 公司改名为海力士半导体株式会社
主存储器DDR SDRAM模块全面供货
成功研发下一代终端设备低功耗8Mb SRAM
服务事业部门拆分成立为现代Digitech Service株式会社 - 2月 向KCC出售Gulliver’s篮球队
“卫星服务事业部门”拆分
DDR SDRAM模块正式获得美国AMD认证 - 1月 获得安全及卫生领域国际认证规范
成功研发超高速512Mb DDR SDRAM
2000
- 12月 获得TL9000质量管理系统认证
成功研发超小型256MB半导体模块 - 10月 全面启动企业资源计划（ERP）系统
实施家庭日休假制度
进入印度CDMA WLL设备市场
宣布新口号“Human & Digital” - 9月 推行公司内部研究委员制
- 8月 成功研发新功能15.0/18.1英寸TFT-LCD模块
进入国内外卫星通信服务事业
显示器事业部门拆分成立为现代Image Quest
PDP事业部门拆分 - 7月 与LG电子签署半导体领域战略合作协议
获得中国电子货币规范认证
启用电子采购系统
开启员工年薪制时代 - 6月 开发和量产下一代高性能18.1英寸TFT-LCD
成功量产用于半导体的新型感光剂
进入巴西WLL终端设备市场 - 5月 公司所有事业地点获得环境管理认证
韩国首次出口ADSL系统 - 4月 向摩托罗拉出售苏格兰半导体工厂
成功实现铁电体内存（FeRAM）产品化
超低电压闪存上市
MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业
开发和量产用于电池充电的MCU
MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业 - 2月 在英特尔开发者大会获得由美国英特尔公司颁发的CMTL奖
1999
- 12月 与美国AirTouch签署CDMA设备长期供货协议
在韩国大型制造商中首次实施股票期权制 - 11月 全球首次研发新内存工艺技术
- 10月 吸收合并现代半导体株式会社
- 7月 收购LG半导体大股东股权
- 6月 量产全球最快的绘图16Mb SDRAM
- 5月 与LG电子签署LG半导体股权转让承让协议
- 3月 出售半导体组装专业公司ChipPAC
- 2月 在韩国首次生产MP3解码芯片
1998
- 12月 全球首次实现4Gb DRAM感光剂量产技术化并出口技术
成功研发0.25微米非存储器制造技术 - 11月 量产全球最快的128Mb SRAM
- 10月 成功研发第四代64Mb SDRAM
- 9月 成功研发64Mb DDR SDRAM
成功研发全球最小的直接总线式DRAM
成功研发下一代内存FeRAM - 8月 HDD生产商MAXTOR在纳斯达克挂牌上市
- 4月 采用韩国自主研发技术的“语音识别”PCS终端设备上市
- 3月 采用MPEG-4核心技术国际标准方案
- 2月 韩国首次研发汽车非存储器半导体
自主研发26英寸PDP
1997
- 12月 构建64Mb DRAM月产量500万个生产体系
韩国首次开发数字HDTV广播系统 - 11月 全球首次开发同步链路DRAM（SLDRAM）试产品
- 5月 全球首次采用SOI技术开发1Gb SDRAM
1996
- 12月 企业公开上市
- 10月 在英国的苏格兰成立半导体工厂
- 9月 参与台湾卫星通讯服务
- 8月 参与印度卫星通讯服务
- 2月 美国俄勒冈州半导体工厂（HSA）破土动工
- 1月 收购美国HDD生产商MAXTOR
1995
- 12月 步入韩国制造业十强
- 10月 全球首次开发256Mb SRAM
- 8月 在美国俄勒冈州兴建半导体工厂HSA
- 4月 全球首次开发MPEG-2 SAVI记录芯片
- 2月 在美国成立非存储器当地法人SYMBIOS
1994
- 5月 中国当地法人HECS成立
- 4月 美国当地法人AXIL成立
- 3月 参与GLOBALSTAR人工卫星项目
1993
- 12月 车载音响产量突破1千万台
- 10月 显示器出货量突破400万台
通信领域获得ISO 9002认证
车载音响在韩国首次获得ISO 9001认证
与FUJITSU（富士通）签署半导体技术协议 - 9月 半导体领域获得ISO 9001认证
- 8月 成功研发CD-Vision 2000
成功研发车载CD Auto Changer
计算机获得ISO 9002认证
收购HDD公司Maxtor
成功研发1Mb Fast SRAM - 7月 显示器及终端获得ISO 9002认证
16Mb DRAM投入试生产（FAB IV） - 6月 成功研发8M MASK ROM
FAB IV竣工
成功研发HA无人警卫系统
收购金星公司摄像机生产线 - 3月 混合（Hybrid）IC及内存模块获得 ISO 9002认证
新媒体事业部成立 - 2月 全球第三个成功研发车载GPS自动导航系统
- 1月 实现汽车CDP DECK国产化
成功研发用于扩展存储器的IC卡
成功研发3英寸STN LCD
1992
- 12月 FAB 2 B-Line生产线竣工
- 11月 半导体组装，美国Analog Devices–PMI
- 9月 成功研发国策课题64Mb DRAM中试产品
半导体组装领域获得ISO 9002标准认证
成功研发第二代16Mb DRAM
成功研发半导体64Mb DRAM - 7月 开发韩国首款内置DSP的车载音响
- 6月 启动汽车电子事业本部IN-line System
- 5月 成功研发ISDN专用自动交换分机HNT-832
- 3月 成功研发G4 FAX
- 1月 金柱瑢社长就任
1991
- 11月 成功研发1Mb Slow SRAM
- 10月 韩国最小最轻手机开售
- 8月 新加坡当地法人HES成立
486PC正式在韩国境内开售 - 7月 半导体组装生产能力突破1亿个
- 5月 确定现代电子CI
- 4月 4Mb DRAM投入量产
- 3月 成功研发半导体16Mb DRAM
- 2月 成功研发国策课题16Mb DRAM中试产品
1990
- 11月 车载音响产量突破500万台
- 9月 照相机首次出口美洲
- 7月 举办全国大学生软件创新大赛
- 4月 开发韩国首款1200bps PAGER
- 2月 HEA半导体/计算机研发中心成立
- 1月 1Mb DRAM投入生产
1989
- 11月 VGA彩色显示器投入生产
FAB III竣工 - 10月 在韩国首次向日本出口PC
- 9月 成功研发4Mb DRAM
Art Phone产量突破100万部 - 8月 成功研发256K Fast SRAM
- 7月 生产第100万台显示器
- 5月 现代电子篮球队成立
- 4月 车载音响获得质量管理第一等级
正式联合开发16Mb DRAM - 1月 首次迈进全球半导体20强
1988
- 12月 成功研发自动应答电话机
- 11月 欧洲当地法人HEE成立
- 10月 车载音响产量破200万台
半导体组装SMD线竣工 - 7月 半导体营业本部月销量突破700万
- 6月 成功研发256K Slow SRAM
显示器出口破50万台
与美国LSI逻辑签署ASIC技术合作协议 - 4月 PC出口量排名韩国第一
- 1月 完成1Mb DRAM开发工作
1987
- 12月 汽车电话HKP-308成为首款获得政府批准的产品
3.5″ FDD生产启动 - 10月 汽车电话出口破10万部
256Kb DRAM正式出口
车载音响产量破100万台 - 9月 成功研发HX-400 ABCS第四代交换机
- 8月 与美国TI（德州仪器）签署256Kb DRAM代工及供货合同
- 7月 与美国MOS ELECTRONIC签署256Kb SRAM技术合作协议
- 4月 进军FA业务
卫星广播接收器开发并上市 - 2月 按键式电话机销量排名第一
- 1月 与日本AIWA（爱华）签署车载音响OEM供货合同
1986
- 11月 现代Art Phone产量突破10万部
- 10月 FAB 1B-LINE生产线竣工
- 9月 联合开发国策课题4Mb DRAM
- 8月 成功研发CMOS型256K EPROM
- 7月 按键式电话机OEM生产启动
成功研发专用自动交换分机PABX HX-50 - 6月 举办第一届员工文化节“Ami Club”
- 5月 生产首款车载音响CX-135E并出口加拿大
- 4月 半导体营业本部成立
半导体研究所成立 - 3月 Art Phone电话机正式生产和销售
- 1月 软件事业本部成立
1985
- 12月 16Kb SRAM正式出货
- 10月 256Kb DRAM投入量产
- 9月 400MHz级按键式电话机量产
- 7月 半导体组装工厂竣工
- 5月 普通电话机在韩国开售
16Kb SRAM投入量产
64Kb DRAM投入量产 - 4月 车载音响工厂竣工
- 3月 与美国TI（德州仪器）签署半导体代工及供货合同
半导体组装试生产启动
1984
- 12月 韩国首次成功试生产16Kb SRAM
- 10月 美国当地法人HEA竣工
- 9月 FAB II-A竣工
- 8月 半导体组装工厂破土动工
- 4月 通信设备工厂竣工
信息设备工厂竣工 - 2月 郑梦宪社长就任
1983
- 11月 开始生产一号产品，多功能电话LX-2
- 10月 利川工厂开工
- 5月 与美国IBM公司签约PC销售代理店合同
- 3月 成立美国当地法人HEA
- 2月 创立现代电子株式会社
开展半导体业务
