Overview

关于我们

公司简介

SK海力士作为全球面向AI存储领域的先驱者之一，在高带宽存储器（HBM）和企业级固态硬盘（eSSD）方面展现出卓越的领导地位。

作为一家全方位面向AI的存储器供应商，SK海力士致力于为全球客户提供量身定制的产品，以满足其系统需求。凭借领先的技术实力，公司不断推动面向AI的存储技术创新，并在更广泛的人工智能生态系统中发挥核心作用。

概况

财务业绩

财年2024 单位: 10亿韩元

总收入 66,193
营业利润 23,467
净利润 19,797

产品&服务

销售比重 (以2024年为准，韩国地区)

业务领域

DRAM

通过创新技术研发，针对移动产品、服务器等领域的多元化市场需求，提供高性能的DRAM产品，致力于引领全球DRAM产业。

NAND闪存

生产制造TLC和QLC等最新NAND闪存，并且不断研发数据处理速度更快、容量更大的产品。

SSD

为服务器厂商、PC厂商及大众消费者提供革命性的高性能固态硬盘。

员工

员工数

(以2024年为准)

46,863

海外员工数
(不包含韩国在内)

7,564(16%)

女性员工比例

33.4%

品牌识别

SK海力士正以引领IT生态系统的先锋姿态，开创一个崭新的未来。凭借坚定的信念和技术创新，公司致力于为所有利益相关者和社会成员铺就一条共享繁荣的发展之路。通过塑造全新的品牌形象，SK海力士不仅推动技术迈向更高境界，更励志成为构建美好世界的重要力量。

双重底线 (Double Bottom Line)

SK海力士深刻认识到，社会责任是赢得利益相关者信任并提升公司价值的重要组成部分。我们已经宣布实施“双重底线”（DBL）管理体系，旨在实现经济和社会价值的双重创造，并采取措施平衡这两种价值，以在获得竞争优势的同时保持两者之间的和谐。此外，秉持SK管理体系（SKMS）的理念：“公司为利益相关者的幸福创造的一切价值即为社会价值”。通过创造社会价值，企业“将提升其经济价值并与利益相关者建立信任关系”。因此，SK海力士将社会价值的定义扩展到包括追求员工幸福和解决社会问题。

主要历程

2025

- 3月出货全球首款12层堆叠HBM4样品

2024

11月 启动全球首款321层NAND闪存的量产
9月开始量产全球首款12层堆叠HBM3E DRAM
开发用于数据中心的高性能SSD ‘PEB110 E1.S’
8月开发全球首款10纳米级第六代DRAM ‘1c DDR5’
6月开发用于AI PC的高性能SSD ‘PCB01’
5月开发下一代移动NAND解决方案 ‘ZUFS 4.0’
4月决定投资清州M15X DRAM工厂
与TSMC签署HBM技术合作谅解备忘录
与美国印第安纳州签署先进封装领域投资协议
3月启动全球首款HBM3E DRAM的量产

2023

8月开发出全球最高规格“HBM3E”
量产全球最大容量“LPDDR5X DRAM”
公开全球最高层“321层NAND”样品
6月全球最高层“238层4D NAND”进入量产
4月开发出全球首款12层堆叠HBM3
1月开发出全球最快移动DRAM，LPDDR5T

2022

9月决定投资M15X新厂
8月完成对Key Foundry的收购
开发出全球最高层“238层NAND”闪存
6月 HBM3 DRAM正式量产
3月郭鲁正社长接任独立代表理事职务
加入SK集团10周年
2月开发新一代智能半导体存储器PIM
1月 SK集团旗下三家子公司成立ICT联盟

2021

12月 完成收购英特尔NAND内存及SSD业务的第一阶段交易
10月 成功开发全球首款HBM3 DRAM
7月采用EUV量产第四代10纳米级DRAM
5月公布“2020年社会价值（SV）成果”
3月宣布正式量产业界最高容量的LPDDR5移动DRAM
2月宣布M16新厂竣工

2020

12月 加入RE100
成功研发业界最高堆叠层数的176层 4D NAND闪存
10月 推出全球首款DDR5 DRAM
宣布收购英特尔NAND闪存业务
8月推出Gold P31，世界首款128层 NAND客户级 PCIe NVMe SSD
7月公司宣布开始量产超高速DRAM ‘HBM2E’
4月荣获2019 CDP选定的‘水管理’大奖
公司最先进的企业级固态硬盘(eSSD) PE8000系列 – 现已开始提供样品

2019

12月 10纳米级LPDDR4产品通过环保产品认证
10月 成功研发第三代10纳米（1Znm）DDR4 DRAM
8月于美国亚马逊开始销售”Gold S31”消费者用SSD
成功研发业界最快的HBM2E高带宽存储器
6月开始量产全球首款128层4D NAND闪存
5月基于96层4D NAND的1Tb QLC样品出货
4月中国无锡工厂（C2F）完成扩建
3月确定1.22万亿韩元规模的“半导体共赢集群”支持方案
在业内首次演示用于下一代数据中心的ZNS SSD
2月半导体产业集群特殊目的公司向龙仁市政府提交投资意向书

2018

12月 利川总部举行M16奠基仪式
新任代表理事李锡熙社长就任
11月 成功研发第二代10纳米级（1Y）16Gb DDR5
成功研发第二代10纳米级（1Y）DDR4 DRAM
成功研发全球首款基于CTF的96层4D NAND
10月 宣布以科技为本的新口号“We Do Technology”
举行清州M15工厂竣工仪式
7月宣布在京畿道利川新建半导体工厂
6月韩美日企业联合体完成Toshiba Memory Corporation收购工作/li>
5月子公司型残疾人标准单位“Happy More”竣工
3月引进外部董事制度、在董事会内成立可持续管理委员会
2月成功研发第四代（72层）3D NAND 4TByte企业级SATA SSD
基于第四代（72层）3D NAND的下一代PCIe eSSD启动客户验证

2017

10月 “SK海力士产业卫生先进化持续委员会”启动
9月宣布利川园区研发中心建设计划
董事会决议通过Toshiba Memory Corporation投资方案
7月代工业务子公司“SK海力士System IC”成立
4月成功研发基于20纳米级8Gb的全球最快下一代绘图DRAM——GDDR6
成功研发堆叠层数最高的72层3D NAND闪存
1月首发全球最大容量的8GB超低功耗移动DRAM——LPDDR4X

2016

12月 宣布在庆尚北道清州建设最新半导体工厂计划
10月 与美国斯坦福大学签署“关于联合研究和开发人工神经网络半导体器件”的协议
在韩国首次跻身碳信息披露项目（CDP）最高荣誉“白金俱乐部Platinum Club”
8月与韩国残疾人雇佣公团签署旨在成立“子公司型标准单位”的谅解备忘录
2月男子手球队“SK Hawks”成立

2015

8月利川M14生产线竣工
与SanDisk（闪迪）签署专利授权延长及供货合同
6月在业内首次引进“薪酬共享制”
2月 8Gb LPDDR4在业界首次实现商业化
1月 2014年度经营业绩创历史新高

2014

12月 与Toshiba（东芝）签署联合开发NIL技术的谅解备忘录等加强全方位合作
10月 首次研发16GB非挥发性混合DRAM模块
9月中国重庆后段制程生产法人竣工
连续五年被列入道琼斯可持续发展世界指数（DJSI World）
全球首次研发Wide IO2移动DRAM
6月收购白俄罗斯Softeq固件部门
5月收购美国Violin Memory公司PCIe卡部门
4月首次开发128GB DDR4模块

2013

12月 全球首次研发20纳米级LPDDR4
全球首次研发基于TSV技术的HBM
11月 构建16纳米NAND闪存量产体系
10月 在韩国首次进入“碳信息披露项目CDP荣誉殿堂”
全球首次研发20纳米级6Gb LPDDR3
季度销售额首破4万亿韩元
8月综合“分析中心”建成落户
7月与三星电子签署半导体专利交叉授权许可协议
6月与Rambus签署专利授权框架协议
全球首次研发大容量8Gb LPDDR3
3月企业博客“Hilight”开通
2月新任代表理事朴星昱就任

2012

11月 在业内首次连续两次荣获可持续管理大奖（2008年首获殊荣）
10月 连续四年入选碳信息披露项目CDP及碳管理全球领袖俱乐部
9月成功研发20纳米级4Gb绘图DDR3
“闪存设计解决方案中心”成立
6月清州M12生产线竣工
消费级SSD上市
收购美国LAMD 控制器厂商
收购意大利NAND闪存开发商Ideaflash后转型成立欧洲技术中心
与IBM签署PC RAM战略合作协议
4月与美国Spansion（飞索半导体）签署战略合作协议
2月公司改名“SK海力士株式会社”并宣布成立SK海力士
1月最大股东变更为SK电讯
代表理事崔泰源会长就任
河成旼就任SK电讯社长兼董事会主席
在与Rambus的反垄断诉讼中胜诉

2011

11月 获得第19届韩国物流大奖总统表彰
SK电讯与海力士半导体签署股权收购合同
9月获得第35届国家生产性大会国家生产性大奖总统表彰
7月与日本Toshiba（东芝）签署下一代内存MRAM战略合作协议
6月连续两年被韩国企业治理结构院（KCGS）评选为优秀企业
全寅伯就任董事会主席
获得第20届经济正义企业奖大奖
5月在与美国Rambus的专利二审中胜诉
4月成功研发30纳米级2Gb下一代DDR4 DRAM
3月采用TSV技术开发全球最大容量DRAM
2月获得2011年第7届透明经营大奖
1月为实现公正评价和公平补偿，废除晋升制度，全新引进积分式人事制度

2010

12月 全球首次开发30纳米级4Gb DRAM
获得健康劳资关系有功者表扬及优秀行政机构认证总统表彰
11月 在半导体行业首次发行碳管理报告
在韩国企业“企业治理结构”排行榜中排名第一
9月首次被列入道琼斯可持续发展世界指数（DJSI World）
与美国HP（惠普）签署ReRAM联合开发协议
6月中国后段制程合资工厂——海太半导体有限公司竣工
5月新任代表理事权五哲就任
在晶圆级封装全球首次开发“堆叠技术”
2月成功研发NAND闪存20纳米级64Gb芯片

2009

12月 全球首次研发40纳米级2Gb绘图DDR5
11月 荣获可持续管理大奖
在大中小企业合作大奖荣获企业/团体类总统表彰
10月 成功研发性能业界最佳的第二代1Gb DDR3
在韩国半导体企业中最早加入联合国全球契约（UNGC）
8月 4Gb移动DRAM全球首获英特尔认证
5月在中国无锡市设立后段制程合资公司
与Numonyx（恒忆）、Phison（群联）签署NAND闪存应用产品控制器三方联合开发协议
4月成功研发全球性能最佳的移动DRAM
发布可持续发展报告《Good Memory，Better Tomorrow》
日本撤销保护关税
3月 8GB DDR3服务器模块全球首获英特尔认证
2月全球首次研发44纳米级DDR3 DRAM
1月全球最快DDR3服务器模块4GB ECC UDIMM获得英特尔认证

2008

12月 全球首次研发采用“晶圆级封装”的超小型服务器模块
全球首次研发8层NAND闪存
美国和欧洲的SRAM反垄断调查以无嫌疑结束
全球首次研发2Gb大容量移动DRAM
11月 成功研发全球最快的1Gb绘图DRAM
获得温室气体国际验证声明
10月 荣获可持续管理大奖
9月全球首次研发新概念双面封装基板
8月专门生产300mm产品的清州第三工厂竣工
美国撤销保护关税
全球首次研发16GB服务器模块
7月荣获“可持续发展报告”半导体类大奖
与CNS签署汽车半导体合作协议
6月与台湾Phison（群联）正式签署业务合作协议
全球首次研发采用3重单元技术的32Gb NAND闪存
5月与ProMOS（茂德科技）签署合作框架协议
4月业界首发《可持续发展报告》
欧盟撤销保护关税
全新制定核心价值——挑战、创造、合作
成功研发全球最快的移动LPDDR2
与美国Grandis签署STT RAM授权及联合开发协议
3月选出新任董事
与韩国无晶圆厂FIDELIX签署合作协议
清州300mm工厂（M11）设备搬入仪式
2月与美国MetaLab开发基于2-Rank的高性能服务器8GB DDR2内存模块
加大研发力度，以重夺收益性第一宝座
1月下一代非挥发性存储器领域原始技术联合开发签署仪式
为构建全新创新系统，借鉴学习丰田公司
54纳米1GB/2GB DDR2模块获得英特尔认证
为纪念推动可持续管理的元年，举办经营战略研讨会

2007

12月 成功发行约6亿美元的境外可转换债券
11月 世贸组织宣判“日本对海力士征收保护关税不合理”
与SiliconFile签署旨在推进CIS的合作协议
引进新董事会制度“工作的董事会”
54纳米1Gb DDR2 DRAM获得英特尔认证
与韩国企业合作运营性能评价Fab
全球首次研发1Gb GDDR5
10月 与环境运动联合签署“环保经营验证委员会”协议
与美国Ovonyx签署下一代内存PRAM技术授权协议
9月 Hynix-ST半导体有限公司与CRH签署200mm设备出售合同
全球首次研发24层NAND闪存MCP
8月与Innovative Silicon签署新概念内存ZRAM授权协议
成功研发超高速、超小型1Gb移动DRAM
7月发布企业口号“Good Memory”
发布旨在实现第二次创业愿景的中长期综合规划
3月成功研发超薄型20层NAND闪存MCP
超高速下一代闪存DDR3业内首获认证
4月利润率刷新业界最高纪录
清州300mm工厂（M11）破土动工
融合式内存DOC H3正式投入量产
3月新任代表理事金锺甲就任、宣布“第二次创业”愿景
与SanDisk（闪迪）签署专利相互授权及供货协议、关于成立合资公司的谅解备忘录
与Toshiba（东芝）签署专利相互授权及供货协议
宣布绿色环保标志
成功研发全球最快的ECC移动DRAM
组建新任董事会
1月创造历史最高销售额和利润
成功研发采用最新“晶圆级封装”技术的超高速内存模块

2006

12月 全球首次研发60纳米级超高速DDR2模块
成功研发全球最快的200MHz 512Mb移动DRAM
10月 中国合资工厂竣工，构建全球300mm生产体系
9月 300mm研发Fab“R3”启用
3月 80纳米DDR2 DRAM在业界首获英特尔认证
1月决定与M-Systems联合研发下一代融合式内存“DOC H3”

2005

12月 成功研发全球最快、容量最大的绘图内存512Mb GDDR4 DRAM
11月 首次研发采用自研半导体堆叠技术的超小型内存模块两款
7月 2GB DDR2-667笔记本电脑模块在业界首获英特尔认证
确定提前结束与债券金融机构开展的联合管理
6月超高速1GB DDR2-800模块在业界首获认证
5月利川M10工厂竣工仪式、300mm晶圆投入量产
4月位于江苏省无锡市的中国当地合资工厂破土动工
3月 2004年经营业绩实现史上最高的年度营业利润
1月成功研发功耗减少30%且基于x8技术的服务器内存模块
与台湾ProMOS（茂德科技）正式签署旨在开展战略合作的协议

2004

11月 与STMicro正式签署旨在建立中国当地合资工厂的协议
10月 非存储器事业部门完成营业转让
8月与中国江苏省无锡市正式签署在中国当地建厂的协议
6月与System Semoconductor有限公司签署非存储器事业部门营业转让协议
3月业内首次研发超高速DDR SDRAM 550MHz
1Gb DDR2 SDRAM获得英特尔认证
2月成功研发512Mb NAND闪存

2003

12月 与台湾ProMOS（茂德科技）签署战略合作协议
512Mb DDR2 SDRAM获得英特尔认证
9月荣获由Celestica（天弘集团）颁奖的优秀合作伙伴奖
8月成功研发0.18微米高电压工艺技术
成功研发1Gb DDR2
7月超高速256M DDR500上市
6月 512Mb/512MB DDR400获得英特尔认证
4096色有机EL驱动芯片上市
成立环境/安全/卫生技术研究所
5月超低功耗移动256Mb SDRAM批量生产
成功研发0.10微米级黄金芯片量产技术
4月与STMicro签署闪存战略合作协议
3月成功研发兆级（Mega）FeRAM商业化技术
CMOS高频率PLL集成电路芯片上市
2月 256Mb/256MB DDR 400获得英特尔认证
1月 333Mbs级超高速512Mb DDR SDRAM获得英特尔认证

2002

11月 完成HYDIS出售
10月 成功研发0.10微米级512Mb DDR
9月签署出售子公司HYDIS（TFT-LCD）的谅解备忘录
8月首推超高速绘图内存256Mb DDR SDRAM
内存模块韩国境内销售网站开通
7月成功研发蓝牙“嵌入式快闪基带芯片”
6月首推高性能信息家电256Mb SDRAM
5月与Cirrus Logic（凌云逻辑）签署代工及长期战略供货协议
3月 1GB DDR DRAM模块上市
2月台湾VIA（威盛电子）公司正式认证DDR SDRAM
1月签署现代Syscom股权转让合同

2001

12月 全球最快的绘图128Mb DDR SDRAM上市
11月 DDR333获得台湾SiS（矽统科技）公司的客户认证
10月 车载音响8b MCU开发及投入量产
9月凭借“Blue Chip”项目确保全球最高水平的竞争力
以6.5亿美元出售TFT-LCD资产
8月确定从现代集团分离
7月闪存卡MCU开发及投入量产
通信系统事业部拆分成立为现代Syscom
6月 FED驱动IC开发完成
经营支援部门拆分成立为Astec株式会社
在国内外成功发行大规模GDR
进入MCP市场
32Mb超低电压型闪存两款上市
5月通信ADSL事业部拆分成立为现代Networks
通信ADSL事业正式拆分
成功研发1Mb铁电体内存（FeRAM）
通信终端设备事业部拆分成立为现代Curitel
4月全球最快的超高速绘图DDR SDRAM投入量产
制定新的企业形象（CI）
美国Rambus正式认证288Mb总线式DRAM
3月公司改名为海力士半导体株式会社
主存储器DDR SDRAM模块全面供货
成功研发下一代终端设备低功耗8Mb SRAM
服务事业部门拆分成立为现代Digitech Service株式会社
2月向KCC出售Gulliver’s篮球队
“卫星服务事业部门”拆分
DDR SDRAM模块正式获得美国AMD认证
1月获得安全及卫生领域国际认证规范
成功研发超高速512Mb DDR SDRAM

2000

12月 获得TL9000质量管理系统认证
成功研发超小型256MB半导体模块
10月 全面启动企业资源计划（ERP）系统
实施家庭日休假制度
进入印度CDMA WLL设备市场
宣布新口号“Human & Digital”
9月推行公司内部研究委员制
8月成功研发新功能15.0/18.1英寸TFT-LCD模块
进入国内外卫星通信服务事业
显示器事业部门拆分成立为现代Image Quest
PDP事业部门拆分
7月与LG电子签署半导体领域战略合作协议
获得中国电子货币规范认证
启用电子采购系统
开启员工年薪制时代
6月开发和量产下一代高性能18.1英寸TFT-LCD
成功量产用于半导体的新型感光剂
进入巴西WLL终端设备市场
5月公司所有事业地点获得环境管理认证
韩国首次出口ADSL系统
4月向摩托罗拉出售苏格兰半导体工厂
成功实现铁电体内存（FeRAM）产品化
超低电压闪存上市
MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业
开发和量产用于电池充电的MCU
MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业
2月在英特尔开发者大会获得由美国英特尔公司颁发的CMTL奖

1999

12月 与美国AirTouch签署CDMA设备长期供货协议
在韩国大型制造商中首次实施股票期权制
11月 全球首次研发新内存工艺技术
10月 吸收合并现代半导体株式会社
7月收购LG半导体大股东股权
6月量产全球最快的绘图16Mb SDRAM
5月与LG电子签署LG半导体股权转让承让协议
3月出售半导体组装专业公司ChipPAC
2月在韩国首次生产MP3解码芯片

1998

12月 全球首次实现4Gb DRAM感光剂量产技术化并出口技术
成功研发0.25微米非存储器制造技术
11月 量产全球最快的128Mb SRAM
10月 成功研发第四代64Mb SDRAM
9月成功研发64Mb DDR SDRAM
成功研发全球最小的直接总线式DRAM
成功研发下一代内存FeRAM
8月 HDD生产商MAXTOR在纳斯达克挂牌上市
4月采用韩国自主研发技术的“语音识别”PCS终端设备上市
3月采用MPEG-4核心技术国际标准方案
2月韩国首次研发汽车非存储器半导体
自主研发26英寸PDP

1997

12月 构建64Mb DRAM月产量500万个生产体系
韩国首次开发数字HDTV广播系统
11月 全球首次开发同步链路DRAM（SLDRAM）试产品
5月全球首次采用SOI技术开发1Gb SDRAM

1996

12月 企业公开上市
10月 在英国的苏格兰成立半导体工厂
9月参与台湾卫星通讯服务
8月参与印度卫星通讯服务
2月美国俄勒冈州半导体工厂（HSA）破土动工
1月收购美国HDD生产商MAXTOR

1995

12月 步入韩国制造业十强
10月 全球首次开发256Mb SRAM
8月在美国俄勒冈州兴建半导体工厂HSA
4月全球首次开发MPEG-2 SAVI记录芯片
2月在美国成立非存储器当地法人SYMBIOS

1994

5月中国当地法人HECS成立
4月美国当地法人AXIL成立
3月参与GLOBALSTAR人工卫星项目

1993

12月 车载音响产量突破1千万台
10月 显示器出货量突破400万台
通信领域获得ISO 9002认证
车载音响在韩国首次获得ISO 9001认证
与FUJITSU（富士通）签署半导体技术协议
9月半导体领域获得ISO 9001认证
8月成功研发CD-Vision 2000
成功研发车载CD Auto Changer
计算机获得ISO 9002认证
收购HDD公司Maxtor
成功研发1Mb Fast SRAM
7月显示器及终端获得ISO 9002认证
16Mb DRAM投入试生产（FAB IV）
6月成功研发8M MASK ROM
FAB IV竣工
成功研发HA无人警卫系统
收购金星公司摄像机生产线
3月混合（Hybrid）IC及内存模块获得 ISO 9002认证
新媒体事业部成立
2月全球第三个成功研发车载GPS自动导航系统
1月实现汽车CDP DECK国产化
成功研发用于扩展存储器的IC卡
成功研发3英寸STN LCD

1992

12月 FAB 2 B-Line生产线竣工
11月 半导体组装，美国Analog Devices–PMI
9月成功研发国策课题64Mb DRAM中试产品
半导体组装领域获得ISO 9002标准认证
成功研发第二代16Mb DRAM
成功研发半导体64Mb DRAM
7月开发韩国首款内置DSP的车载音响
6月启动汽车电子事业本部IN-line System
5月成功研发ISDN专用自动交换分机HNT-832
3月成功研发G4 FAX
1月金柱瑢社长就任

1991

11月 成功研发1Mb Slow SRAM
10月 韩国最小最轻手机开售
8月新加坡当地法人HES成立
486PC正式在韩国境内开售
7月半导体组装生产能力突破1亿个
5月确定现代电子CI
4月 4Mb DRAM投入量产
3月成功研发半导体16Mb DRAM
2月成功研发国策课题16Mb DRAM中试产品

1990

11月 车载音响产量突破500万台
9月照相机首次出口美洲
7月举办全国大学生软件创新大赛
4月开发韩国首款1200bps PAGER
2月 HEA半导体/计算机研发中心成立
1月 1Mb DRAM投入生产

1989

11月 VGA彩色显示器投入生产
FAB III竣工
10月 在韩国首次向日本出口PC
9月成功研发4Mb DRAM
Art Phone产量突破100万部
8月成功研发256K Fast SRAM
7月生产第100万台显示器
5月现代电子篮球队成立
4月车载音响获得质量管理第一等级
正式联合开发16Mb DRAM
1月首次迈进全球半导体20强

1988

12月 成功研发自动应答电话机
11月 欧洲当地法人HEE成立
10月 车载音响产量破200万台
半导体组装SMD线竣工
7月半导体营业本部月销量突破700万
6月成功研发256K Slow SRAM
显示器出口破50万台
与美国LSI逻辑签署ASIC技术合作协议
4月 PC出口量排名韩国第一
1月完成1Mb DRAM开发工作

1987

12月 汽车电话HKP-308成为首款获得政府批准的产品
3.5" FDD生产启动
10月 汽车电话出口破10万部
256Kb DRAM正式出口
车载音响产量破100万台
9月成功研发HX-400 ABCS第四代交换机
8月与美国TI（德州仪器）签署256Kb DRAM代工及供货合同
7月与美国MOS ELECTRONIC签署256Kb SRAM技术合作协议
4月进军FA业务
卫星广播接收器开发并上市
2月按键式电话机销量排名第一
1月与日本AIWA（爱华）签署车载音响OEM供货合同

1986

11月 现代Art Phone产量突破10万部
10月 FAB 1B-LINE生产线竣工
9月联合开发国策课题4Mb DRAM
8月成功研发CMOS型256K EPROM
7月按键式电话机OEM生产启动
成功研发专用自动交换分机PABX HX-50
6月举办第一届员工文化节“Ami Club”
5月生产首款车载音响CX-135E并出口加拿大
4月半导体营业本部成立
半导体研究所成立
3月 Art Phone电话机正式生产和销售
1月软件事业本部成立

1985

12月 16Kb SRAM正式出货
10月 256Kb DRAM投入量产
9月 400MHz级按键式电话机量产
7月半导体组装工厂竣工
5月普通电话机在韩国开售
16Kb SRAM投入量产
64Kb DRAM投入量产
4月车载音响工厂竣工
3月与美国TI（德州仪器）签署半导体代工及供货合同
半导体组装试生产启动

1984

12月 韩国首次成功试生产16Kb SRAM
10月 美国当地法人HEA竣工
9月 FAB II-A竣工
8月半导体组装工厂破土动工
4月通信设备工厂竣工
信息设备工厂竣工
2月郑梦宪社长就任

1983

11月 开始生产一号产品，多功能电话LX-2
10月 利川工厂开工
5月与美国IBM公司签约PC销售代理店合同
3月成立美国当地法人HEA
2月创立现代电子株式会社
开展半导体业务

全球布局

生产基地 (4)
研发子公司 (5)
销售办公室 (24)