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SK海力士研发出全球首款高容量8GB LPDDR3内存

By 2013年06月10日 1月 2nd, 2020 No Comments

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首尔,2013年6月10日

SK海力士(或 ‘公司’, www.skhynix.com)宣布采用最先进的20纳米级工艺技术,成功研发全球首款8Gb(Gigabit, 千兆位) LPDDR3(Low Power DDR3, 低功耗DDR3)产品。这款产品是兼具高容量, 超高速, 低功耗等特性的高性能移动存储解决方案。

新产品可以堆叠并在一个封装中能现最大4GB(Gigabytes, 32Gb)的高容量解决方案。此外,封装高度比现有基于4Gb的产品更薄。由于其高密度和具有竞争力的封装高度,可满足对超薄型要求高的移动设备最新发展趋势。

该产品的数据传输速率为2133Mbps,远高于现有LPDDR3的1600Mbps,是世界上最快的移动DRAM。使用32-bit I/O,在单通道中每秒处理高达8.5GB数据,在双通道中处理高达17GB数据,而且能在1.2V的超低电压下工作。

新的LPDDR3产品运行速度为LPDDR2两倍,而待机功耗比LPDDR2降低了10%以上,因此能同时满足移动应用较高的低功耗和高性能需求。

这款产品能以各种形式提供,如:封装体叠层(PoP,Package-on-Package)或与“嵌入式多媒体卡(eMMC,embedded Multi Media Card)”安装在移动设备中的单一封装中,以及嵌入在高端超极本和平板电脑中的“板载(On-board)”类型。

SK海力士全球销售与营销部门长Richard Chin表示:“随着20纳米级高容量LPDDR3的问世,SK海力士能够向市场提供适合移动设备的高性能产品。特别是,这一发展具有重要意义,因为公司利用相同的20纳米级工艺技术同步开发PC DRAM,确保了在移动产品市场上的顶级竞争力。”

这款新产品的样品已经运到客户手中,公司计划在今年年底开始批量生产。

从今年下半年开始,超过2GB的高容量LPDDR3内存产品将主要搭载到高端移动设备上。为了满足移动市场日益增长的需求,SK海力士计划为快速发展的移动应用产业开发最先进的技术,并凭借高性能产品引领市场。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多,请点击公司网站(www.skhynix.com)。

 

媒体关系联系人(Media Contact)

SK Hynix Inc.
Public Relations
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Phone: +82.2.3459.5316
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SK Hynix Inc.
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Seong-Ae Park
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*本中文新闻稿是根据英文新闻稿翻译。

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