SK海力士管理层呈现年轻化趋势。为培养年轻领导力，李东训副社长于2023年底被任命为“N-S委员会”1高管，成为“SK海力士史上最年轻的新任高管”。
1N-S委员会：SK海力士于2024年初成立的战略性组织，旨在提升NAND快闪存储器（NAND flash）及解决方案业务的竞争力。
李副社长出生于1983年，2006年获选为“SK海力士奖学金获得者”，在攻读硕士和博士学位后，在2011年加入公司，是年轻技术人才代表。特别是在4D NAND 的开发过程中，李副社长发挥了关键作用。他在128层和176层NAND闪存的开发过程中担任技术战略团队负责人，在238层NAND闪存的开发过程中担任性能与可靠性（PnR, Performance & Reliability）团队高管，为SK海力士的4D NAND技术成为行业标准做出了贡献。
作为本系列访谈的一部分，李副社长畅谈了NAND闪存开发的未来，以及他作为新任高管的愿景和感想。
变革时期，关键在于“灵活应对”
李副社长希望通过灵活应对的方式，在NAND闪存技术领域达到新高度
李副社长强调了人工智能时代来临后，在迅速变化的技术环境下灵活应对的重要性。
“随着技术的发展，我们的生活正在发生巨变，如何应对这种变化对于公司的未来至关重要。”他表示，“如互联网与智能手机的崛起给人们生活带来的变化及影响，就是一个很好的先例。”
李副社长所属的“N-S委员会”便是SK海力士为引领这一商业环境变革的最佳例证。生成式人工智能等应用需要存储海量数据，而NAND闪存则需要NAND解决方案的协助才能实现高效存储数据，因此，公司计划通过“N-S委员会”，充分发挥其关键性塔台作用，同步优化NAND闪存和NAND解决方案业务，提高开发效率和顾客满意度，强化竞争力。
“为了在新技术出现时灵活应对，所有相关部门需要经常共享信息并加强协作”，李副社长还表示，“为了加快供给客户所需产品，NAND闪存与NAND解决方案的开发必须紧密协作，这不是选择，而是必然。作为新任高管，我将致力于提高团队的协作效率。”
超越 4D，人工智能时代的NAND闪存革新仍在继续
李副社长认为，NAND闪存技术的进一步发展是引领人工智能时代的关键
李副社长对开发全球最高321层4D NAND并确保其产品的性能、可靠性和质量这项工作充满热情。
“我们正在开发的321层4D NAND产品将以其卓越的性能，成为行业全新的里程碑，这就是为什么我们的角色如此重要。”李副社长表示，“对于这款产品，不仅要保证它的性能，还要确保其可靠性。如果我们只专注迅速增长的需求，质量和可靠性可能会面临潜在风险。我们的短期目标是尽快完成开发并交付产品，同时最大限度地降低风险。”
李副社长强调，从长远来看，公司需要通过不断接受新挑战，以实现持续创新。
“迄今为止，NAND闪存开发的关键在于最大限度地提高性能与性价比”。他表示，“这就是我们为什么从过去的2D、3D NAND，发展到如今的4D NAND。而现在我们正处于转型期，NAND闪存需要在多个方向上进行创新。”
李副社长还强调了，要关注跨领域爆发性增长的数据。
“伴随各行业广泛采用人工智能技术，生成数据的个体也在不断攀升”。李副社长解释道，“仅在汽车领域，与自动驾驶相关的道路及交通数据就正在迅速增长。考虑到数据生成的具体设备或环境不同，对NAND闪存产品所需的性能和条件可能也会发生急剧变化。我的工作重点将是预测这些行业的变化，积极引领创新，确保SK海力士持续保持技术领先地位。”
与团队建立共鸣是克服挑战的关键
李副社长认为，团队协作是克服突发挑战的有效途径
李副社长表示，当前半导体行业发展势头良好，他预测NAND闪存有望和DRAM一样，会在2024年迎来持续增长。不过他也预测，各个领域都将迎来创新，而这些创新将SK海力士成员带来更多挑战。
“在面临众多挑战中，关键在于让团队成员真正的理解为什么要克服这些挑战的原因，并在正确的激励下不断取得发展。归根结底，公司和成员之间需要达成共识，以实现共同目标。”
甚至在对团队成员的新年祝贺中，李副社长也在强调关注技术领域的重要变革，灵活应对各类情况的重要性。
“半导体存储市场在2024年呈上升趋势，我认为我们可以用微笑迎接这一繁荣时刻，因为此前我们克服了重重困难。然而，前方仍然存在很多挑战。特别是今年有望推出新一代NAND闪存产品，我将尽我所能帮助公司渡过这一剧烈转型期，希望我们能在2024年达成各类目标。”
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