为加强公司未来在AI基础设施市场的竞争力，SK海力士在去年年末实施2024架构重组时，新设立了“AI Infra”组织，并任命权彦五副社长为下属负责HBM1 PI(Process Integration) 的新任高管。
2022年，权副社长担任DRAM开发技术研究委员期间，首次在全球范围内将HKMG（High-K Metal Gate）2工艺应用于移动DRAM LPDDR产品，并成功开发出具备超高速及超低功耗特性的LPDDR5X与LPDDR5T。他的努力也因此得到认可，并于去年获得了SUPEX追求奖3。
1高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory): 一种高附加值、高性能存储器，通过硅通孔技术（TSV）垂直互联多个DRAM芯片。与现有的DRAM产品相比，数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的顺序开发，HBM3E是HBM3的扩展版。SK海力士已在全球首次开始批量生产该产品。
2HKMG(High-K Metal Gate)：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。
3SUPEX追求奖：SK集团内部最具权威的奖项，授予那些敢于面对新挑战、实现创新的旗下公司成员。
今年，他肩负起完成引领SK海力士高带宽存储器技术发展蓝图的重任。本文采访了权副社长，听取了他对于新一代高带宽存储器技术开发的愿景，及应对AI时代变革的战略。
通过成立专注于高宽带存储器的“HBM业务部”，提高开发效率
权副社长预测，HBM业务部不仅可以提高成员的技术能力，同时也将提升效率
随着AI技术的发展，适用于AI的存储器HBM产品需求也在持续攀升。权副社长分享了自己的抱负：“当下，SK海力士的HBM产品被寄予厚望。能够担此重任，我感到自豪的同时也深觉责任重大。”他还表示，“我们将以开发全球顶尖HBM产品团队成员们的实践经验和挑战精神为基础，全力推动新一代HBM的技术革新。”去年年末公司设立了HBM业务部（HBM Business），将分散于各部门的相关职能整合到一起，旨在提升HBM从开发到产品化，再到商业化这一全过程的整体效率和执行力度。以产品为导向成立新部门是罕见的创举，也彰显了公司为巩固HBM市场领先地位而展现出的坚定决心。
权副社长指出，高效性是HBM业务部的最大优势。缩短开发初期的决策过程，可以实现快速协调和执行工作任务，从开发阶段便能直接与客户沟通，并在开发过程中及时反馈客户的价值。
“我认为，得益于以‘HBM’为共同目标的HBM业务部成立，为我们营造了一个可以集中发挥技术力量的工作环境。在此环境下，成员们可以获得更加明确的目标和视野。我现在也可以从商业角度分析我们的技术发展方向，我很期待通过这些能在这个领域作出贡献。”
以半导体元件绝对性技术实力，全面开展HBM技术革新
权副社长计划通过其过往在系统半导体领域的经验，推动HBM技术发展
权副社长表示，将HKMG工艺应用于LPDDR是自己职业生涯中最具意义的一项成就。HKMG工艺是半导体基础技术4的代表性革新之一，虽然这种工艺早已在系统半导体中广泛应用，但在存储器半导体中，特别是在移动DRAM中控制泄漏电流和最小化电力消耗很难实现。
4基础技术: 基础技术是实现产品特性变化和改进的关键技术。
以此前在一家全球大型科技企业成功地将HKMG工艺应用于系统半导体的经验为基础，权副社长突破了移动DRAM的技术壁垒。他表示：“与SK海力士的成员们一起创造了改变存储电路结构范式的技术成果，意义非凡。”
权副社长表示：“HBM是目前最具挑战性和复杂性的高科技产品，被称为‘技术密集度最高的DRAM’。HBM也是我决定接收挑战，将我的关注点从系统半导体转向半导体存储器的主要原因。” 权副社长执着于主导系统存储器和半导体存储器融合的HBM技术，目前，他正在计划通过自己掌握的经验，再次为实现技术革新贡献力量。
“我认为技术将飞速进步，届时将超越传统缩放技术（Tech Scaling）所实现的性能改善；系统半导体和半导体存储器完成结构、元件和工艺融合的技术发展时期即将到来。我认为以半导体存储器为主导的革新将迎来新机遇，而且我坚信，HBM便是这次革新的开始。我会全力以赴，让我的经验在SK海力士HBM技术方面发挥更强的协同作用。”
面对不断变化的人工智能时代，要自豪地迎接挑战
权副社长认为，适应能力和挑战精神将引领AI时代的创新
权副社长在预测HBM市场时表示：“市场将更倾向于专业化(Specialized)和定制化(Customized)产品，以满足客户需求。”他强调，对于新一代HBM，卓越的性能是基本条件，同时，还须具备满足不同客户的特定需求、超越传统存储器性能的优势。
“随着AI时代的到来，我们正见证前所未有的快速变化，预测变化并灵活应对变得至关重要。为引领AI时代，持续巩固技术领先地位，HBM PI组织将致力于新型元件创新技术、及快速产品化技术的开发，并积极与客户及外部伙伴保持紧密合作。”
此外权副社长还表示，除了需要接受变化之外，拓展视野并积极迎接挑战也至关重要。“未来，用于AI的存储器除面向当前的数据中心外，还将拓展到具备特定功能的专用集成芯片（ASIC）5，或更适配客户的端侧（On Device）设备等领域，以提高性能和效率。除HBM外，其他类型的DRAM也将被作为用于AI的存储器。因此，需要开发出既有传统特性，还能满足用于AI的存储器各项需求的特殊化元件。我认为，在当前变革的趋势下，关键是要积极主动、开阔视野并融合多种技术以实现协同效应。即便失败，我们也要从失败中获得经验，保持乐观，并勇于不断迎接挑战，这一点非常重要。”
5专用集成电路(ASIC，Application Specific Integrated Circuit)：为特定目的而设计的集成电路，也称为定制半导体。
最后，权副社长呼吁成员们，要拥有引领AI时代变革的自豪感。
“尽管过去出现过许多技术拐点，但AI时代带来的改变比以往任何时候都更大。请不要忘记，SK海力士正凭借着绝对的技术实力引领当前的技术变革。每位成员都是AI时代的主角，我会怀着这样的自豪感和责任感，继续加强HBM的技术实力。”
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