以“超级”之名: 半导体推动超级计算机突破未来想象

以“超级”之名: 半导体推动超级计算机突破未来想象

随着对宇宙的了解逐渐深入,人类对世界的好奇与想象愈发多样,而解决未知的方式则离不开大量数据的积累与处理。大数据时代下,各行各业对数据存储、处理及分析的需求皆愈发高涨。作为此类挑战的应对方式之一,超级计算机通过集中大量处理器,执行个人计算机无法完成的海量数据高性能运算。...
SK海力士DRAM产品规划,引领后HBM3时代的内存发展

SK海力士DRAM产品规划,引领后HBM3时代的内存发展

在上一篇发表于《电子工程专辑》的文章中,SK海力士DRAM产品规划担当柳成洙和SK海力士IPM规划Technical Leader李圣学介绍了HBM3如何满足市场对DRAM和内存产品的更高需求。两位作者再次合作,通过本文介绍他们的团队在SK海力士未来计划中所发挥的作用。...
SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高,面积最小的NAND闪存,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 “公司将持续创新并不断突破技术瓶颈” SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)1 4D...
SK海力士开发出DDR5 DRAM CXLTM存储器,将扩大CXL存储器生态系统

SK海力士开发出DDR5 DRAM CXLTM存储器,将扩大CXL存储器生态系统

开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品 提升扩展性的CXL存储器,通过开发专用HMSDK确保技术可达性 SK海力士将扩大CXL存储器生态系统,加快抢占下一代存储器解决方案市场步伐 SK海力士开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品,加快了抢占下一代内存解决方案市场的步伐。该产品的形状系数(Form Factor,产品的形状或尺寸)为EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor)E3.S,支持PCIe 5.0...
践行 ESG 理念,SK 海力士连点成线

践行 ESG 理念,SK 海力士连点成线

  强有力的环境、社会和公司治理(ESG)政策正在迅速成为企业不可或缺的政策,SK海力士正在努力确保其ESG表现超出预期。 SK海力士的ESG实践以“Double Bottom Line 双重底线”理念为支撑,即在商业决策中坚持经济价值与社会价值并重的原则。经济价值用于衡量和管理财务经营成果,而社会价值用于量化经营活动解决社会问题的贡献。...