SK海力士高层团队（Top Team）是指责公司主要业务部门的管理层。公司将推出高层团队领导的系列访谈，目的是让读者以关键字为导向，了解领导者们为实现公司愿景而强调的企业策略、组织文化等。本系列报道传达了管理层的声音，读者亦可以从中获取稳健且富有价值的信息。本期访谈的第二位主人公，是公司 “P&T(封装与测试)”担当崔宇镇副社长。
SK海力士P&T担当崔宇镇副社长，在过去的30年中一直专注于半导体存储器的封装技术研发。近期，他正引领着以HBM为代表的，用于AI的存储器封装与测试核心技术领域的发展。
随着技术环境的不断发展，封装技术已成为用于AI的存储器市场领域游戏规则的改变者。去年底新任封装与测试部门担当的崔宇镇副社长表示，他的目标旨在证明SK海力士在此技术领域的领先优势。
以“不为挑战设限”的态度，巩固公司在AI市场的优势
P&T是负责半导体生产后端工艺的部门，主要职责是将工厂前端工艺中生产出来的晶圆，以产品形态封装(Packaging)并进行测试(Test)，验证其是否符合客户要求的运行标准。
目前，封装技术已经超越了“将芯片电气连接，并保护芯片免受外部冲击”的传统作用，而是成为实现差异化产品性能的重要技术。SK海力士HBM以硅通孔技术（TSV）1、批量回流模制底部填充（MR-MUF）2先进封装工艺作为核心技术，赢得了卓越的市场声誉。
1硅通孔技术（TSV, Through Silicon Via）：一种在DRAM上打孔使其垂直互连至电极的技术。
2批量回流模制底部填充 (MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）: 批量回流焊（MR）是通过融化堆叠芯片之间的凸块，让芯片互相连接的技术。模塑底部填充（MUF）是在堆叠的芯片之间填充保护材料从而提高耐久性和散热效果的技术。
崔副社长认为在AI时代，只有勇于面对新的挑战，才能成为行业的领导者
“封装与测试技术的创新，正在成为抢占半导体市场领导地位的关键因素。在高性能芯片需求量暴增的AI时代，我们将凭借先进的封装技术，为开发最高性能的存储产品贡献力量。”
崔副社长对团队成员们特别强调，要保持“不为挑战设限”的心态。他认为，“韩国在半导体行业取得今天的地位，正是得益于‘不为挑战设限‘的精神”。他还强调，“在世界各国都在努力投入大量资金以争夺市场主导地位的时代，不为挑战设限态度更具意义。”
“全球芯片市场的主导权竞争之激烈，堪比一场战争。在这场竞争中，任何参与者稍有迟疑，都可能面临危机。我们必须以超越极限的态度投入到工作中，专注产品性能、良品率、成本竞争力等各个方面。”
崔副社长表示，先进的封装技术是开发下一代标志性存储产品的关键
崔副社长提出，需要将开发出“标志性存储产品（Signature Memory）”作为用于AI的存储器领域创新的关键战略，这是主导半导体市场的关键。
“为适应AI时代的需求，SK海力士专注于开发‘标志性存储产品’以满足客户对于性能、功能、尺寸、形态、功效等方面的差异化需求。为了实现这一目标，我们正在推进TSV和MR-MUF的技术发展，这些技术在HBM性能中发挥着关键作用。此外，我们正致力于芯粒（Chiplet）3及混合键合（Hybrid bonding）4等下一代先进封装技术的开发，以支持半导体存储器和逻辑芯片之间的异构集成，同时促进新型半导体的发展。在这个过程中，我们将不设限，不断挑战，并展示强大的技术优势。”
3芯粒（Chiplet）：一种按功能对芯片进行拆分，将芯粒（chiplet）放在同一个基板上互连，以实现芯片双层集成的技术。
4混合键合（Hybrid bonding）：为了实现更高带宽和更大容量、使芯片间不再采用凸块，即可直接键合的技术。通过此技术，可缩短互连间距且在同等大小空间内，实现更多芯片堆叠。
勇于挑战坚持创新…构建海外生产基地
崔副社长强调不畏挑战的原因，可以从他的职业发展道路中找到答案。2020年，崔副社长投身于HBM3散热解决方案开发的挑战并成功取得了突破，为提升产品性能做出了贡献；2023年，他成功实现了材料费、其它经费在内的成本削减，为化解业务低迷贡献了一臂之力。面对ChatGPT热潮带来的DRAM需求激增，崔副社长迅速做出反应，确保了产能持续稳定，为加强公司在用于AI的存储器领域的领先地位再献功绩。
“去年，用于AI的储芯器产品需求骤增，能否及时满足市场需求成为关键的问题。我们很快利用了TSV封装线，在没有追加投资的前提下，提高了基于DDR5 DRAM的面向服务器的3D堆叠存储器（3DS）5的产量 。这就是快速果断决策带来重大成效的一个典型范例，稍有迟疑都将无法实现这样的目标。”
53D堆叠存储器（3DS，3D Stacked Memory）：将2个以上的DRAM芯片通过硅通孔技术（TSV）连接封装的高带宽存储器产品。与3DS堆叠存储器不同，HBM则是在封装前供货给系统企业，与GPU等逻辑芯片一同封装。
崔副社长在SK海力士印第安纳州新工厂规划中发挥了重要作用
现在，崔副社长的挑战范围已经扩展到海外市场。为了加强公司在全球HBM市场的竞争力，并提升在先进封装领域的研发实力，SK海力士于4月3日公布了将赴美国印第安纳州建设封装生产设施的计划。
在工厂建设和运营战略制定过程中，崔副社长将发挥关键领导作用。未来，位于美国的封装工厂将从总公司引进完成前段工艺流程的HBM晶圆，生产成品，并继续与全球企业积极拓展研发合作。
“目前，我们正在为具体的工厂设计和量产系统、以及构建与跨国企业R&D合作生态系统做准备。工厂正式投产后，我们期待为增强公司“用于AI的存储器产品“技术实力、加强商业领导力作出重要贡献。
目标是开发‘超越HBM的封装技术’，注重以数据为中心的创新并关注成员成长
崔副社长希望实现收益最大化并开始他的‘超越HBM的封装技术’任务。他表示，“短期内，我们的主要目标是扩大在韩国国内的产能，以应对HBM市场的需求，同时我们也要充分利用全球各地的生产基地，实现收益最大化。从长远来看，正如当前作为HBM核心工艺的MR-MUF技术一样，确保开发创新的先进封装技术是我们的目标。”
为了实现这个目标，崔副社长强调了从“数据中寻找答案”的重要性。这是他数十年来在封装领域坚持的哲学理念和革新秘诀。
“正如某个电视剧里经常提到的台词’答案就在现场’一样，我深信在封装与测试的工作现场存在着大量的宝贵数据。充分利用这些数据不仅可以提高产量，还可以为新产品开发提供启发。在工作中我们要牢记，数据是指引我们成功的捷径。”
为实现开发超越HBM的封装技术目标，要有效利用数据以促进创新，同时要专注于成员成长
最后，崔副社长强调，他将不遗余力地帮助团队成员成长。他指出，“提升封装技术实力的主体正是我们的团队成员。对问题进行突破性改进，例如在封装阶段找出HBM散热问题的解决方案，都是来自团队成员们的想法”。崔副社长希望所有的团队成员持续保持引领市场的信心，并将为团队成员创造持续性的发展空间。
“公司目前积极与国内外多所大学和研究机构展开合作与交流。我们鼓励封装团队成员充分利用这些平台，积累丰富的全球经验，进一步培养研发能力。我们将与成员们共同打造一个持续成长和发展的封装及测试团队。”
