[One-Team Spirit] “一个团队”协作精神铸就SK海力士奇迹：从半导体行业后进者到面向AI的存储器市场领跑者

近年来，SK海力士屡获创新成果，这些成就皆得益于“一个团队”协作精神（One Team Spirit）”。无论是创下历史最佳业绩、开发出全球领先产品，还是跃升成为全球顶级面向AI的存储器供应商，这些辉煌成就无一不是全体成员齐心协力的结果。本系列文章将回顾铸就SK海力士成功神话背后的驱动力——“一个团队”协作精神的闪耀时刻。 

本系列第一篇文章将聚焦于SK海力士自创立以来所面临的危机与挑战，并剖析在这些关键时刻，其“一个团队”协作精神所展现出的强大力量。

克服后进劣势，成功扭亏为盈 

1983年，SK海力士正式进军半导体产业。当时，全球半导体市场几乎由美国和日本主导。在半导体产业几乎空白的韩国，作为后来者踏入这一领域无疑极为艰难，但SK海力士仍毅然选择了勇敢挑战。 

但现实并不乐观。尽管创业初期公司雄心勃勃，但始终未能缩小与行业先行者的技术差距。工厂建设屡次延误，最终艰难地建成了利川工厂，并成功试产了16K SRAM。然而，随之而来的产品研发滞后、良率不足等问题，使公司的各个部门都拉响了警报。 

公司创立仅两年便遭遇危机，但此时放弃为时尚早。为此，公司决定集中力量扩充人才队伍，并提升技术实力。这一战略最终奏效——SK海力士通过增聘研发人员、扩建基础设施，夯实了技术根基，并于1987年成功自主开发出256K DRAM。 

这样的发展势头延续到了1988年，行业复苏的东风进一步助推了公司的发展。公司相继自主研发成功了1M DRAM、4M DRAM。1988年，凭借256K DRAM的热销，公司实现盈利，此时距离公司成立仅五年。 

当时，员工们以在100天内实现良率50%为目标，发起了“150行动”，齐心协力，以弥补后进者所带来的劣势。倘若没有公司坚定的发展意志与全体成员团结一致的坚决态度，这一切都难以实现。“一个团队”精神不仅为SK海力士在半导体行业深耕奠定了基础，更成为未来其克服危机、迎接挑战的核心DNA。 

以“一个团队”协作精神为DNA，实现绝地重生

在20世纪90年代初的经济衰退期间，SK海力士的“一个团队”精神再次闪耀光芒。基于对行业即将回升的预判，SK海力士以“扩大投资”为应对策略，在行业低谷期果断投入数千亿韩元，用于16M和64M DRAM的量产以及未来技术布局。 

1995年，正如公司所预测的那样，半导体行业迎来空前繁荣。SK海力士凭借对16M和64M DRAM的核心投资策略，获得了丰厚的回报。这一次，“一个团队”精神再次为公司的重大成就提供了强有力的支持。而在繁荣达到顶峰之后，面对行业竞争迅速加剧带来的挑战，全体成员通过宣布“劳资一体”¹化，继续携手共进，再次展现了 ‘一个团队’精神。” 

¹劳资一体：对应当时由韩文“身土不二”演变而来的新造词“勞使不二”，意为劳动者与企业是一体的。

2001年，经济危机到达顶峰，再次袭来的经济萧条比往年更加严重。更为严峻的是，公司面临债务叠加与互联网泡沫破裂的双重困境，不得不进行重组（债权人共同管理），甚至传出“低价抛售公司”的谣言。 

尽管面临困难，但成员们依然坚定不移，他们喊着“能省一分是一分”的口号，自愿退还薪资，并积极参与无薪休假。同时，利川市民也纷纷挺身而出，发起了“拯救海力士”，“认购海力士股票”等活动，为企业复苏贡献自己的力量。  

研究人员们夜以继日地攻克技术难关，通过对旧设备改造，实现了0.15微米²工艺的重大突破——这正是至今仍广为人知的“蓝芯计划”。随后，1Gb DDR2和512M NAND的研发，以及300mm晶圆相继实现量产。2005年初，SK海力士提前结束了债务重组，这标志着“劳资一体”与“一个团队”精神的终极胜利。 

²微米：百万分之一米（10⁻⁶ m）。数值越小，表明工艺精细化程度越高。 

登顶面向AI的存储器市场，“一个团队”精神再创辉煌

SK海力士的“一个团队”精神在企业上升期愈显光芒。2012年，SK海力士正式成为SK集团的一员，公司发展步入快车道。SK集团曾表示，之所以敢于进行大规模投资，是基于对其增长潜力的高度认可。 

得到数万亿韩元支持的SK海力士，凭借全球战略合作，积极加大投资与研发力度，以及扩建晶圆厂，为未来的发展奠定坚实基础。公司在提升技术实力的同时，更致力于重塑企业文化：不仅推出助力员工成长的多元发展计划，更将“一个团队”协作精神深度融入企业基因，从而构建起成员和组织之间协同创新、融合共进的生态系统。 

在“一个团队”协作精神的凝聚下，全体成员们持续推出契合客户与市场需求的多款创新产品——涵盖了10纳米级DDR5 DRAM、超高堆叠4D NAND以及大容量SSD等，刷新了公司年度最高业绩纪录。 

其中，HBM无疑是核心所在。自2009年以来，SK海力士便前瞻性地布局HBM³技术，随着AI时代的到来，这一领域迎来了爆发式增长。这一成就的背后，充分现了SK海力士“一个团队”协作精神——从负责产品设计和元件开发的前道工序团队，到实现芯片电气互联的后道封装团队，全体成员通力协作，共同专注于性能提升。正是因为硅通孔⁴（TSV）、批量回流模制底部填充⁵（MR-MUF）及先进MR-MUF⁶技术等创新技术的不断迭代，才成就了如今HBM在行业中的领先地位。

³高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）：一种高附加值、高性能存储器，通过垂直互联多个DRAM芯片, 与DRAM相比可显著提升数据处理速度。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的顺序开发。
⁴硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）：一种在DRAM上打数千个微孔使其垂直互连至电极的技术。
⁵批量回流模制底部填充 (MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，使其固化。 
⁶先进MR-MUF：先进 MR-MUF 技术具有翘曲控制功能(Warpage Control)，可实现无翘曲堆叠，芯片厚度比传统芯片薄 40%，此技术采用新型保护材料，可有效改善散热性能。

这种发展趋势持续延伸至HBM4——公司于今年3月率先向客户交付了12层HBM4样品 [相关报道]。由此SK海力士不仅在面向AI的存储器市场中稳居榜首，更实现了从1983年作为半导体行业“新进者”到如今成为“资深专家”的华丽蜕变。 

正处于高速增长期的SK海力士，目前正投入120万亿韩元打造龙仁半导体集群，并积极推进M15X工厂、美国印第安纳州工厂等新生产基地的建设，持续扩大产业规模。 

以“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”为目标，SK海力士全体成员正秉持“一个团队”协作精神，携手共进，开启崭新的征程。