SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存

SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存

新闻概要 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证 以业界最高层、超小型产品,确保最高水平的成本和品质竞争力 “以NAND技术竞争力为基础,期待下半年业绩回升” 韩国首尔,2023年6月8日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)8日宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。 SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client...
SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM 全球首次开始数据中心兼容性验证

SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM 全球首次开始数据中心兼容性验证

新闻概要 实现现有DDR5 DRAM最高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗 期待成功完成最高性能的1b DDR5 DRAM 产品验证 “开始量产最先进的1b工艺,以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩” 明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品 韩国首尔,2023年5月30日...
SK海力士发布2023财年第一季度财务报告

SK海力士发布2023财年第一季度财务报告

结合并收入为5.0881万亿韩元,营业亏损为3.4023万亿韩元,净亏损为2.5855万亿韩元 需求疲软、价格下跌导致营业亏损,但第二季度收入有望改善 “以DDR5、LPDDR5和HBM3等主力产品引领高端市场” 韩国首尔,2023年4月26日...
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM,已向客户提供样品

SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM,已向客户提供样品

新闻概要 成功开发目前最高容量24GB HBM3 DRAM产品,正进行客户验证 世界上首次垂直堆叠12个单品DRAM芯片,实现高容量、高性能 将在上半年内完成量产准备,“加强尖端DRAM市场主导权” 韩国首尔,2023年4月20日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)20日宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM31的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字节)2的HBM3...
2023年第一季度财报 – 电话会议邀请

2023年第一季度财报 – 电话会议邀请

SK海力士将于2023年4月26日(周三)发布截止2023年3月31日的2023年第一季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...
SK海力士发布2022财年及第四季度财务报告

SK海力士发布2022财年及第四季度财务报告

2022财年结合并收入为44.6481万亿韩元,营业利润为7.0066万亿韩元 因需求不振、产品价格下降,第四季度出现10年来的营业亏损 “为扩大基于技术力的新市场做好准备,当市况好转时快速扭亏为盈”   韩国首尔,2023年2月1日 SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)今日发布截至2022年12月31日的2022财年及第四季度财务报告。公司2022财年结合并收入为44.6481万亿韩元,营业利润为7.0066万亿韩元,净利润为2.4389万亿韩元。2022财年营业利润率为16%,净利润率为5%。...