由 user | 10 月 7, 2022 | featured, 商业
与韩国合作商TEMC、浦项携手成功实现国产化，将不断加大使用比重，2024年目标实现100%的国产化 蚀刻工艺所需的氪(Kr)气和氙(Xe)气也将陆续实现国产化 SK海力士表示，公司在韩国率先成功实现半导体用关键原料“氖(Ne)气”的国产化后，已将其工艺使用比重扩大至40%。 得益于此，在不断升温的不稳定国际局势下，SK海力士不仅稳定了氖气供应，还大幅节省了其购买成本。公司目标截至2024年实现100%的氖气国产化。...
![[SEDEX 2022] 以尖端技术打造更美好世界，遇见“We Do Technology”](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2022/10/05114447/SK-hynix_SEDEX_thumbnail.png)
由 user | 10 月 6, 2022 | featured, 商业
引领第四次工业革命的尖端技术日新月异，正逐步改变我们的生活，而凝聚SK海力士科技力量的“半导体”在其中发挥举足轻重的作用。SK海力士为了展现半导体所改变的世界，在2022韩国半导体大展 （下称“SEDEX 2022”）展示了以“We Do Technology_T.E.C.H”为主题的展馆。...
由 user | 9 月 6, 2022 | featured, 新闻稿
新闻概要 M15X将于今年10月动工，预计2025年初竣工，决定在今后5年内投资约15万亿韩元 自2012年并入SK集团10年后，将开启新10年的第一个生产设施 在世界经济萧条中提早决定韩国内投资，奠定未来成长基础 SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）于6日表示，公司为了奠定未来成长基础，将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。 公司综合考虑市场情况等，决定在已确保的用地上提早开工M15的扩建工厂M15X。...
由 user | 8 月 2, 2022 | featured, 新闻稿
新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 “公司将持续创新并不断突破技术瓶颈” SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)1 4D...
由 user | 8 月 1, 2022 | featured, 商业
开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品 提升扩展性的CXL存储器，通过开发专用HMSDK确保技术可达性 SK海力士将扩大CXL存储器生态系统，加快抢占下一代存储器解决方案市场步伐 SK海力士开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品，加快了抢占下一代内存解决方案市场的步伐。该产品的形状系数（Form Factor，产品的形状或尺寸）为EDSFF（Enterprise & Data Center Standard Form Factor）E3.S，支持PCIe 5.0...
由 user | 7 月 26, 2022 | featured, 新闻稿
新闻概要 结合并收入13.811万亿韩元，营业利润4.193万亿韩元，净利润2.877万亿韩元 第二季度为准营收创历史新高，时隔两个季度实现超过4万韩元的营业利润 根据下半年需求放缓的预测，将慎重考虑明年的投资计划 首尔，2022年7月27日...
