![[半导体前端工艺：第四篇] 刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2023/01/18012048/SK%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4-%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4-%EC%A0%84%EA%B3%B5%EC%A0%95-4%ED%8E%B8_%EC%8D%B8%EB%84%A4%EC%9D%BC_CHN.png)
由 user | 2 月 21, 2023 | featured, 技术
光“堆叠”可不行 在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。 ▲ 图1: 移除饼干中间部分，再倒入巧克力糖浆 ...
由 user | 2 月 16, 2023 | featured, 企业文化和员工
SK海力士再一次成功推出当前速率最快的移动DRAM——LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）。今年1月25日，即LPDDR5X取得成功后仅两个月，SK海力士又一次刷新了LPDDR5X的速率，成功研发出LPDDR5T，实现了13%的速率提升。[相关报道]...
由 user | 2 月 9, 2023 | featured, 洞见
随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到“封装工艺”的重要性。 顺应发展潮流，SK海力士为了量产基于HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）的先进封装产品和开发下一代封装技术，尽力确保生产线投资与资源。一些曾经专注于半导体存储器制造技术的企业也纷纷布局封装技术领域，其投资力度甚至超过专攻此类技术的OSAT1（外包半导体组装和测试）公司。这是因为，越来越多的企业深信封装技术将会成为半导体行业及企业未来的核心竞争力。 1OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly...
由 user | 1 月 17, 2023 | featured, 企业文化和员工
SK海力士又一次书写了创造最初、最高价值的故事。SK海力士全球首次成功研发出“DDR5 MCR DIMM1”服务器DRAM样品，使服务器DRAM性能实现飞跃性提升。一直以来，为提高DDR5的运行速率，工程师们都把目光放在了提高单个DRAM芯片的运行速率上。MCR DIMM则打破了这一传统的思维模式，通过在单个DRAM芯片上加入特殊的模组，进一步提升了内存的运行速率。这也是MCR DIMM内存产品最大的一个特点。MCR...
![[半导体前端工艺：第三篇] 光刻——半导体电路的绘制](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2023/01/03071112/SKhynix_Semiconductor_frontend_process_episode_3_Thumbnail-CN.jpg)
由 user | 1 月 5, 2023 | featured, 技术
绘制精细电路的第一步 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。可见，制造更小的MOSFET成了关键因素，并且想制成微细的电路，第一步就是“绘制”。 我们以饼干烘培做比喻来说明一下。假设想在面饼上压出数百个“幸福之翼”形状的饼干，一个一个做显然是很费力的，那要采用什么样的方法呢？ ▲ 图1：在面饼上快速压出相同造型饼干的方法 ...
由 user | 12 月 27, 2022 | featured, 技术
1947年，晶体管正式诞生，电子时代迎来飞速发展。在过去的75年中，晶体管技术最明显的变化在于其尺寸实现了从微米级到纳米级的转变。随着硅晶体管稳步集成到设备之中，几乎所有类型的电子设备都依赖于它们来进行数据高速存储与计算。 以“晶体管诞生75周年，全球挑战下的新一代设备革新”为主题，第68届IEEE国际电子器件会议于12月3日至7日正式举行。在晶体管发明75周年的契机下，此次大会聚焦芯粒（Chiplet）、量子计算等后摩尔时代下极具发展潜力的话题，再度强调信息技术创新的远鉴1。 回顾发展历程：基于晶体管的芯片沿革...
