突破传统研发方式——专访成功实现“MCR DIMM”技术创新的主角

由 user | 1 月 17, 2023 | featured, 企业文化和员工

SK海力士又一次书写了创造最初、最高价值的故事。SK海力士全球首次成功研发出“DDR5 MCR DIMM1”服务器DRAM样品，使服务器DRAM性能实现飞跃性提升。一直以来，为提高DDR5的运行速率，工程师们都把目光放在了提高单个DRAM芯片的运行速率上。MCR DIMM则打破了这一传统的思维模式，通过在单个DRAM芯片上加入特殊的模组，进一步提升了内存的运行速率。这也是MCR DIMM内存产品最大的一个特点。MCR...

[半导体前端工艺：第三篇] 光刻——半导体电路的绘制

由 user | 1 月 5, 2023 | featured, 技术

绘制精细电路的第一步 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。可见，制造更小的MOSFET成了关键因素，并且想制成微细的电路，第一步就是“绘制”。 我们以饼干烘培做比喻来说明一下。假设想在面饼上压出数百个“幸福之翼”形状的饼干，一个一个做显然是很费力的，那要采用什么样的方法呢？ ▲ 图1：在面饼上快速压出相同造型饼干的方法  ...

后摩尔时代，以创新续写芯片发展新篇章

由 user | 12 月 27, 2022 | featured, 技术

1947年，晶体管正式诞生，电子时代迎来飞速发展。在过去的75年中，晶体管技术最明显的变化在于其尺寸实现了从微米级到纳米级的转变。随着硅晶体管稳步集成到设备之中，几乎所有类型的电子设备都依赖于它们来进行数据高速存储与计算。 以“晶体管诞生75周年，全球挑战下的新一代设备革新”为主题，第68届IEEE国际电子器件会议于12月3日至7日正式举行。在晶体管发明75周年的契机下，此次大会聚焦芯粒（Chiplet）、量子计算等后摩尔时代下极具发展潜力的话题，再度强调信息技术创新的远鉴1。 回顾发展历程：基于晶体管的芯片沿革...

实现全球化沟通并提升信任，SK海力士可持续发展公布系统‘SRS’上线

由 user | 12 月 26, 2022 | ESG, featured

透明化沟通逐渐成为ESG管理的关键。随着社会各界对ESG的关注与要求日益高涨，SK海力士顺应时势，率先推行透明化管理，展示客观数据。 SK海力士于27日表示，公司为了加强与全球客户、投资者、员工和民众等利益相关者的沟通，构建了综合ESG信息披露平台——可持续发展公布系统（SRS，Sustainability Reporting System）。...

全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术

由 user | 12 月 22, 2022 | featured, 洞见

CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS) 是一种可以将通过镜头捕获的光的颜色和亮度转换为电子信号，并将其传输至处理器的传感器。因此，图像传感器充当的是智能手机或平板电脑等移动设备“眼睛”的角色。近年来，随着虚拟现实(VR)、增强现实(AR) 、自动驾驶的兴起，CIS技术成为工业4.0的一项关键技术。人们预计，CIS技术将不仅可以作为设备的“眼睛”，还将在功能上有更进一步的发展。...

[半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化

由 user | 12 月 21, 2022 | featured, 技术

  半导体制程工艺概览 在第一篇的最后，我们说到金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的平面式结构让人们可以在晶圆上同时制造出好几个MOSFET。且与第一代晶体管BJT¹不同，MOSFET无需焊接过程。本期内容就让我们来详细了解一下具体的制程工艺。 为方便讲解，我们先来看一下普通电子零件是怎么制成的。只要拆解身边的任何一件电子产品，我们便不难发现：其基本结构都是把晶体管、干电池、蓄电池和电感线圈等各种单位电子元器件固定在PCB²上，制程工艺可简单概括为“电子元器件的制造 → 电子元器件的固定”。 ¹BJT...