![[2024年新高管访谈：第六篇] 完成引领AI时代的HBM技术发展蓝图，对话权彦五副社长](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/03/27061715/SK-hynix_New-Leadership-Spotlight-EP06-Unoh-Kwon_CN_Thumbnail.png)
由 user | 3 月 28, 2024 | featured, 企业文化和员工
为加强公司未来在AI基础设施市场的竞争力，SK海力士在去年年末实施2024架构重组时，新设立了“AI Infra”组织，并任命权彦五副社长为下属负责HBM1 PI(Process Integration) 的新任高管。 2022年，权副社长担任DRAM开发技术研究委员期间，首次在全球范围内将HKMG（High-K Metal Gate）2工艺应用于移动DRAM LPDDR产品，并成功开发出具备超高速及超低功耗特性的LPDDR5X与LPDDR5T。他的努力也因此得到认可，并于去年获得了SUPEX追求奖3。 1高带宽存储器(HBM,... ![[2024年高管访谈：第五篇] 引领以材料为基础的整合创新，对话基础设施技术中心材料开发负责人，吉德信副社长](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/03/12080540/SK-hynix_Leadership-Spotlight-Deoksin-Kil_CN_Thumb.png)
由 user | 3 月 13, 2024 | featured, 企业文化和员工
SK海力士在去年年末的2024年新任高管人事调整中，宣布设立“基础设施技术中心”（ITC，Infra Tech Center），并任命该部门下属材料开发负责人吉德信研究委员晋升为首席研究委员。 近年来，半导体材料在产品开发及生产的整个过程中都扮演着重要角色，被视为“技术革新的关键”。同时，材料在确保成本竞争力和减少碳排放方面的重要性也日益凸显。 自1999年加入公司以来，吉副社长始终专注于“材料创新”，为加强该领域的竞争力做出了多方面贡献。值得一提的是，2023年他成功将过去100%依赖海外进口的极紫外光刻胶（EUV... 
由 user | 3 月 7, 2024 | featured, 企业文化和员工
“为你的人生创造最崇高、最宏伟的愿景，因为你终将实现心中所愿。”知名媒体人奥普拉·温弗瑞（Oprah Winfrey）这句话在国际妇女节这一时刻显得格外深刻，因为它强调了信念是如何帮助女性在工作和生活中取得成功的。 毫无疑问，这种心态无疑对全球各地办事处的女性领导者崛起发挥了推动作用。在SK海力士，促进包容性的努力使2022年女性高管和女性领导者人数比去年有所增加。为了鼓励更多女性员工和领导者们，倾听那些拥有能够激励他人价值观及特质的女性声音至关重要。... ![[2024年新高管访谈：第四篇] 以先进封装技术，推动SK海力士越升为全方位人工智能存储器供应商，对话孙晧荣副社长](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/02/26090119/SK-hynix_New-Leadership-Highlight-series-4_Thumbnail_CN.png)
由 user | 2 月 27, 2024 | featured, 企业文化和员工
为了巩固人工智能领域核心半导体HBM1 封装技术的领导地位，SK海力士于2024年进行了新任高管人事调整，任命先进封装开发负责人孙晧荣副社长为新任高管。孙副社长去年在HBM核心之一的先进封装 (Advanced Packaging)2 技术开发上的贡献得到了公司认可，并荣获“海东青年工程师奖3 ”。本文采访了孙皓荣副社长，听取了随着人工智能时代的到来，他肩负责任的感想及对未来的抱负。 1高宽带存储器（HBM）:... ![[2024年新高管访谈：第三篇] 引领未来HBM市场领导力，金起台副社长](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/02/20075931/SK-hynix_New-Executive-Spotlight-EP.03_thumb.png)
由 user | 2 月 21, 2024 | featured, 企业文化和员工
2023年半导体存储器市场的超级明星无疑是SK海力士HBM1。公司凭借卓越的技术竞争力，实现了HBM销售创纪录式的增长，带动了第四季度的盈利，为行业复苏打响信号。 1高宽带存储器（HBM）：一种高附加值、高性能存储器，可将多个DRAM芯片通过硅通孔技术（TSV）垂直互联。与现有的DRAM产品相比，数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的顺序开发，HBM3E是HBM3的扩展版。... ![[2024年新高管访谈：第二篇] 与SK海力士最年轻高管李东训副社长共同塑造NAND快闪存储器的未来](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/02/07082617/SK-hynix_New-Leadership-Spotlight-ep.2-Lee-Donghun_CN_Thumb.png)
由 user | 2 月 14, 2024 | featured, 企业文化和员工
SK海力士管理层呈现年轻化趋势。为培养年轻领导力，李东训副社长于2023年底被任命为“N-S委员会”1高管，成为“SK海力士史上最年轻的新任高管”。 1N-S委员会：SK海力士于2024年初成立的战略性组织，旨在提升NAND快闪存储器（NAND flash）及解决方案业务的竞争力。 李副社长出生于1983年，2006年获选为“SK海力士奖学金获得者”，在攻读硕士和博士学位后，在2011年加入公司，是年轻技术人才代表。特别是在4D NAND...
