SK海力士发布2023财年第一季度财务报告

由 user | 4 月 26, 2023 | featured, 新闻稿

结合并收入为5.0881万亿韩元，营业亏损为3.4023万亿韩元，净亏损为2.5855万亿韩元 需求疲软、价格下跌导致营业亏损，但第二季度收入有望改善 “以DDR5、LPDDR5和HBM3等主力产品引领高端市场” 韩国首尔，2023年4月26日...

SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品

由 user | 4 月 20, 2023 | featured, 新闻稿

新闻概要 成功开发目前最高容量24GB HBM3 DRAM产品，正进行客户验证 世界上首次垂直堆叠12个单品DRAM芯片，实现高容量、高性能 将在上半年内完成量产准备，“加强尖端DRAM市场主导权” 韩国首尔，2023年4月20日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM31的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）2的HBM3...

2023年第一季度财报 – 电话会议邀请

由 user | 4 月 12, 2023 | featured, 新闻稿

SK海力士将于2023年4月26日（周三）发布截止2023年3月31日的2023年第一季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...

[半导体后端工艺：第一篇] 了解半导体测试

由 user | 4 月 6, 2023 | featured, 技术

半导体制作工艺可分为前端和后端：前端主要是晶圆制作和光刻（在晶圆上绘制电路）；后端主要是芯片的封装。随着前端工艺微细化技术逐渐达到极限，后端工艺的重要性愈发突显。作为可以创造新附加价值的核心突破点，其技术正备受瞩目。 此系列文章将以《提高半导体附加价值的封装与测试》一书内容为基础，详细讲解后端工艺。 #1 半导体后端工艺...

全球半导体顶尖研究员的盛宴： 半导体学术大会“IEEE EDTM 2023”首次在韩举办

由 user | 3 月 20, 2023 | featured, 商业, 商业洞察

3月7日至10日，为期四天的“IEEE EDTM 2023”国际学术大会在学术界与从业人员的积极参与下，首次在韩国举行。“IEEE EDTM 2023”作为电子器件领域的国际标杆学术会议，聚焦半导体等各种最新电子器件技术的研发议题。 IEEE1 电子器件技术与制造（EDTM）会议是由电气∙电子∙计算机工程领域的国际机构兼学术组织IEEE EDS2创立的学术大会，每年在亚洲各个半导体产业热点国家循环举办。第七届IEEE EDTM会议首次走进韩国、落地首尔，SK海力士和纳米技术研究协议会（Korea Nanotechnology...

[半导体前端工艺：第六篇（完结篇）] 金属布线 —— 为半导体注入生命的连接

由 user | 3 月 14, 2023 | featured, 技术

半导体的核心——“连接” 在前几篇文章中，我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。SK海力士等半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）1；而代工厂或CPU制造商则会让晶圆底部排列鳍式场效电晶体（FinFET）2等三维晶体管。 1电容（Capacitor）：蓄电池等储存电荷（电能）的设备，用于各种电子产品。在本文中，电容指半导体数据的存储设备。 2鳍式场效电晶体（FinFET，Fin Field-Effect...