[半导体后端工艺:第八篇] 探索不同晶圆级封装的工艺流程

[半导体后端工艺:第八篇] 探索不同晶圆级封装的工艺流程

在本系列第七篇中,介绍了晶圆级封装的基本流程。本篇文章将侧重介绍不同晶圆级封装方法所涉及的各项工艺。晶圆级封装可分为扇入型晶圆级芯片封装(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圆级芯片封装(Fan-Out WLCSP)、重新分配层(RDL)封装、倒片(Flip Chip)封装、及硅通孔(TSV)封装。此外,本文还将介绍应用于这些晶圆级封装的各项工艺,包括光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺和湿法(Wet)工艺。 扇入型晶圆级芯片封装工艺...
SK海力士在CIS HDR技术方面的发展与未来展望

SK海力士在CIS HDR技术方面的发展与未来展望

在过去几十年间,手机技术发展已实现了质的飞跃。从20世纪90年代末,随着移动通信技术发展而诞生的功能性手机,到如今常见的智能手机,手机已不仅仅是用来通话和收发讯息的工具。由于具备高性能摄像功能,当下人们普遍认为智能手机是重型数码单反相机(DSLR camera)的替代品。本文将介绍SK海力士为提升智能手机用户的拍摄体验而开发的各项技术,且将重点介绍高动态范围(HDR)1技术。 1高动态范围...
SK集团会长崔泰源:“龙仁半导体集群,书写挑战和创新的历史”

SK集团会长崔泰源:“龙仁半导体集群,书写挑战和创新的历史”

新闻概要 访问韩国龙仁半导体集群现场,检查工程现状、鼓励员工 提出“未来竞争力”、“气候正像”、“创新与共赢”的新蓝图和发挥作用 SK海力士将于2025年开工建设龙仁首座工厂,并在2027年竣工 韩国首尔,2023年9月15日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)表示,9月15日,SK集团会长崔泰源亲自访问了在韩国京畿道龙仁市远三面建设中的“龙仁半导体集群”(以下简称龙仁集群)现场。  ...
白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键

白皮书证实SK海力士DDR5是实现行业最优化数据中心的关键

SK海力士携手英特尔共同发布关于DDR5应用于英特尔CPU的性能验证白皮书 较上一代产品,SK海力士DDR5 DRAM使服务器带宽提升70%,功耗降低14.4% SK海力士计划将获取性能认证的DDR5 DRAM作为主力产品,加速改善公司下半年的业绩   9月14日,SK海力士宣布与英特尔公司(Intel)共同发布白皮书,该白皮书证实,SK海力士DDR5服务器DRAM搭载英特尔CPU,其性能达到了行业领先水平。该白皮书在SK海力士和英特尔官方网站同时发布。 自DDR5...
[半导体后端工艺:第七篇] 晶圆级封装工艺

[半导体后端工艺:第七篇] 晶圆级封装工艺

在本系列第六篇文章第六篇文章中,我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集,重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装(WLP)。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺,包括:光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀(Metal Etching)工艺。 封装完整晶圆 晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装(Fan-In...