2013年春，献身半导体开发事业
2013年，SK海力士的很多人在努力制造一款成为未来企业收入的重要来源的精品半导体。其中的关键人物是DRAM PI（Process Integration，工艺整合）负责人金宣淳，当时他为开发DRAM推进了DRAM工艺整合工作。
金宣淳于2009年至2012年在中国无锡工作后，2013年回到总部，参与了一个新的DRAM开发项目。当时，他作为PI Part的一员，参与了从核心研发到量产转移后提升产量（Ramp up）的整个生产工艺，后来又承担了一项新任务即开发20纳米级8Gb DDR4。他与当时在DRAM Device Group旗下DRAM Device Product Development（PD） Team工作的元器件工程师全面推进了开发工作。
“当时，IT技术发展非常迅猛。随之在IT行业出现了对超高速、大容量、低功耗产品的需求。其中，对大容量和超高速产品的需求特别大。因此，我们认为在降低功耗的同时提高大容量8Gb产品速度的DDR4将会有竞争优势。”
要开发20纳米级的8Gb DDR4，必须克服一些困难。首先，需要开发比现有2Xnm工艺技术更先进的2Ynm工艺技术。当时，竞争对手已经优化了2Ynm工艺技术。再加上，确保8GB容量的过程也不容易。在这种情况下，项目团队成员唯一能做的就是尽自己最大的努力，执着地献身于自己的工作。
作为项目团队的一员，金宣淳当时的日子非常忙碌，几乎没有休息。他平时喜欢爬山或和家人一起在公园散步，欣赏自然风光，但那年春天，他没有时间让自己放松和享受。当时他享受这个季节的唯一方法就是散散步或在办公室听着音乐放松片刻。
“每年春天我都有自己的习惯，走在不同的登山步道上，欣赏不同的鲜花。但是在做这个项目的时候，我实在太忙了，只能散散步听音乐。现在也是每到春天听我那时候听的歌，就会想起那段时光，告诉我很好地度过了那些日子。那些音乐，以及家人和同事的支持和鼓励，让我坚持到底全力开发出DRAM。”
全球首款超大容量128GB DDR4模块谱写IT行业新篇章
突破重围，立足岗位贡献力量的结果，全球首款基于2Ynm 8Gb DDR4的超大容量128GB DDR4模块成功亮相。作为2Ynm 8Gb DDR4的衍生产品，实现了最大容量，比当时的最大容量64GB翻了一番。
为了实现最大容量，首次将硅通孔（Through Silicon Via, 简称 TSV）技术应用于量产上。这是一种垂直堆叠DRAM芯片后，在整个叠层之间制作柱形导通，传输命令和数据的技术。硅通孔技术正在逐渐取代将导线连接到芯片外部进行信号传输的现有“引线键合（Wire Bonding）”技术，从而大大缩短芯片之间的距离或与印刷电路板（Printed Circuit Board，简称PCB）的距离。这不仅实现了高速和低功耗的通信，而且还可以堆叠两倍以上。
其结果，与上一代DDR3相比，性能（Spec.）提升了两倍以上，容量也从64GB增至128GB，翻了一番。传输速度由1333Mbps提高到2133Mbps，工作电压由1.35V降低到1.2V。
该产品通过工艺技术开发和TSV技术应用，实现了技术突破，为SK海力士后来成为服务器市场的主力军发挥了巨大作用。因为该产品满足了服务器市场对大容量、超高速和低功耗产品的不同需求。对于SK海力士来说，这是一个转折点，它让客户认识到SK海力士能够主动应对服务器市场。
春天象征着新的开始和新的变化，128GB DDR4模块再次向SK海力士赠予了春天。其开发者之一，金宣淳正基于自己的成就，作为DRAM业务的领导积极参与工作中。128GB DDR4模块对他意味着什么？
“对我来说，128GB DDR4模块意味着‘变化的开始’。自从开发这款产品以后，我个人有了很多变化。职位变了，工作方式也变了，而且当公司推进新的项目时，我总是会积极参与。我变得能够把握机会，享受变化并积极应对。世界正在迅速变化。如果我们保持不变，无论是个人还是公司，都不可能向前迈进。就像128GB DDR4模块开启了一个新的时代，我希望公司的成员也能主动改变、享受变化，成为未来世界的主角。”
