图1. SK海力士在台积电2024年技术研讨会上的展位
当地时间24日，SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“台积电2024年技术研讨会（TSMC 2024 Technology Symposium）”上，展示了其面向人工智能（AI）的存储器HBM的领先实力，以及公司与台积电在CoWoS (Chip on Wafer on Substrate）1先进封装技术方面的合作进展。
1CoWoS (Chip on Wafer on Substrate): 传统封装方式是先分别封装存储器芯片和非存储器芯片，再将它们在基板上连接起来。而CoWoS则是一种将芯片堆叠放置在硅基中阶层（Interposer）上进行封装的方式。由于芯片之间的距离更近，面积更小，并且可以增加更多的接线，因此能提供更快的信号传输速率。这是台积电独有的封装技术之一，也是将HBM与GPU结合起来的方式之一。
图2. SK海力士在现场展示HBM3E产品
“台积电技术研讨会”是台积电邀请主要合作伙伴展示各自新产品、新技术的重要技术盛会，在每年上半年举办。SK海力士在本次活动上以“存储器，人工智能的驱动力”（Memory, The Power of AI）为主题，展示了具备行业顶尖性能的HBM3E产品，并受到了广泛关注。据悉，该产品在最近搭载于AI系统的性能验证评估中，每输入/输出通道（I/O）的传输速率高达10Gbps / （每秒10千兆比特），充分证明了其在业内处于领先水平。
此外，SK海力士还与台积电设立了合作展区，强调双方就CoWoS技术领域展开的合作对于公司确保HBM的领先地位至关重要，并表示双方将继续进行密切的创新合作，以推动新一代HBM等新技术的研发。
图3. SK海力士展示CXL、MCRDIMM、3DS RDIMM等产品
同时，SK海力士还展示了用于支持AI产业发展的各种高性能产品，包括集成端口的CXL存储器、面向服务器的存储模块MCR DIMM和3DS RDIMM、针对端侧AI（On-Device AI）而优化的LPCAMM2和LPDDR5T，以及下一代图形动态随机存取存储器GDDR7等多项产品阵容。
图4. 权彦五与李在植在研讨会上发表演讲
在美国当地时间22日先期举办的研讨会上，SK海力士HBM PI部门负责人权彦五副社长和PKG Engineering部门负责人李在植围绕“HBM和异构集成技术”等主题发表了演讲。SK海力士希望通过在技术、业务、未来发展趋势等各个层面不断深化发展与合作伙伴的合作关系，持续增强其在面向AI的存储器领域的领先优势。
