- 与韩国合作商TEMC、浦项携手成功实现国产化，将不断加大使用比重，2024年目标实现100%的国产化
- 蚀刻工艺所需的氪(Kr)气和氙(Xe)气也将陆续实现国产化
SK海力士表示，公司在韩国率先成功实现半导体用关键原料“氖(Ne)气”的国产化后，已将其工艺使用比重扩大至40%。
得益于此，在不断升温的不稳定国际局势下，SK海力士不仅稳定了氖气供应，还大幅节省了其购买成本。公司目标截至2024年实现100%的氖气国产化。
一直以来，韩国半导体制造商完全依赖于进口氖气。但近几年，由于国外主要氖气生产国家因国际局势愈发动荡不安，氖气价格也出现飙升迹象。为抢先管控氖气的供应风险，SK海力士与半导体气体制造合作商TEMC、浦项(Posco)携手研发出了在本国生产氖气的方法。
想提取空气中稀薄的氖气需要大规模的ASU设备(Air Separate Unit: 空气分离设备)做支撑，因此初期投入费用相对较大。但在氖气国产化问题上与SK海力士不谋而合的TEMC和浦项，充分利用现有设备，以低成本成功研发出了氖气生产技术。如此生产出的氖气，再经过SK海力士的评价与验证，在今年年初实现了国产化。国产氖气先由浦项生产，再经TEMC的加工，最后，优先供应至SK海力士。
半导体光刻工艺主要以准分子激光（Excimer laser）为光源，而氖气是准分子激光气体的主原料。准分子激光是一种短波红外激光，用于在晶圆上绘制电路图案。氖气在准分子激光气体中的占比高达95%，但在空气中的含量却仅为0.00182%，非常稀少。
今年4月起，SK海力士在韩国半导体业内首次将国产氖气用于光刻工艺。目前，国产氖气使用占比已达到了40%。SK海力士计划截至2024年，完全以国产氖气替代进口氖气。
此外，SK海力士还准备到明年6月，实现蚀刻工艺*中使用的氪(Kr)气和氙(Xe)气的国产化，从而降低原材料的供应风险。SK海力士作为全球一流技术企业，将持续确保研发先进半导体技术所需的资源。
* 蚀刻工艺：经光刻工艺在晶圆上绘制电路图案后，去掉电路以外不必要部分的工艺。
SK海力士FAB原料采购担当尹洪晟副社长说道：“不断升温的国际政局加剧了全球氖气供应的不稳定性。在此局势下，公司通过与国内合作商的协作，在稳定氖气供应方面做出了贡献。”，又补充道：“将通过持续合作进一步加强半导体原材料供应链。”
