SK海力士宣布全球首次向客户提供‘12层HBM4’样品

新闻概要

向主要客户提早供应面向AI的超高性能DRAM新产品‘12层HBM4’样品
经过验证后，预计在下半年开始量产，实现了世界最高水平的带宽和容量
“通过克服技术局限满足客户要求，成为了AI生态创新的领先者”

韩国首尔，2025年3月19日

SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）19日宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。

SK海力士宣布全球首次向客户提供‘12层HBM4’样品

SK海力士强调：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”

此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率。其容量也是12层堆叠产品的最高水平。

此产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽¹。其相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。

¹带宽（Bandwidth）:HBM产品中的带宽，是指一个HBM封装每秒可处理的数据总容量

同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺，实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量。通过此工艺控制了芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

SK海力士从2022年的HBM3开始，在2024年陆续实现了8层和12层HBM3E产品量产，通过恰时开发和供应HBM产品，维持了面向AI的存储器市场领导力。

SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“公司为了满足客户的要求，不断克服技术局限，成为了AI生态创新的领先者。以业界最大规模的HBM供应经验为基础，今后也将顺利进行性能验证和量产准备。”

SK海力士宣布全球首次向客户提供‘12层HBM4’样品

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com，news.skhynix.com.cn。