SK海力士PKG开发担当副社长李康旭在“IEEE-EPS 2024年度大奖”颁奖盛典上，成为首位荣获“电子制造技术奖”的韩国人。
SK海力士31日宣布，本公司PKG开发担当副社长李康旭于30日（美国时间）在美国科罗拉多州丹佛市举行的“电气与电子工程师协会-电子封装学会（IEEE-EPS）2024年度大奖”颁奖盛典上，荣获“电子制造技术奖（Electronics Manufacturing Technology Award）”，成为首位获此殊荣的韩国人。
颁奖典礼由国际电气电子工程领域最权威机构——电气与电子工程师协会下属的电子封装学会主办，是一年一度的业界盛事。作为学会年度大奖，“电子制造技术奖”授予在电子及半导体封装领域取得卓越成就的从业者，自1996年宣布首位获奖者以来，李康旭副社长成为首位获此殊荣的韩国人。
电子封装学会表示，李副社长在全球学术界和产业界从事3D封装1及集成电路领域的研究开发工作超过20年，对推动用于AI的存储器高带宽存储器（HBM）的研发及其制造技术的进步做出了重大贡献。
13D封装：一种将芯片垂直互联，使芯片之间能够直接进行数据传输的封装方式，硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技术是其中有代表性技术。
作为半导体封装技术专家，李副社长于2000年在日本东北大学凭借其在“用于集成微系统的三维集成技术（Three-dimensional Integration Technology for Integrated Micro-System）”领域的研究成果取得博士学位，随后成为美国伦斯勒理工学院的博士后研究员，并曾在日本东北大学出任教授。自2018年起，他在SK海力士担任晶圆级封装（WLP，Wafer Level Package）部门负责人，主导了HBM产品所需封装技术的开发工作。
特别值得关注的是，李副社长在2019年开发第三代HBM产品HBM2E的过程中，成功引入了批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）2的创新封装技术，帮助SK海力士在HBM市场上夺得了领先地位，为公司成为用于AI的存储器市场的全球领导者发挥了关键作用。
2批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：是一种在堆叠半导体芯片间隙注入液态保护材料，并通过融化芯片间的凸块使其相互连接的工艺。相比于在每层芯片堆叠时使用膜状材料的方法，该技术更高效且散热效果更好。
李副社长表示：“我很高兴获得这个殊荣，这代表着SK海力士在HBM领域取得的杰出成就得到了正式认可。”他还说：“随着AI时代的全面到来， 先进封装的作用也变得愈加重要，我们将一如既往地为推进技术创新竭尽全力。”
