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SK海力士李康旭副社长成为首位荣获“IEEE-EPS年度大奖”的韩国人

By 2024年05月31日 No Comments

30日(美国时间),美国科罗拉多州丹佛市,“SK海力士PKG开发担当副社长李康旭在“IEEE-EPS 2024年度大奖”颁奖盛典上,成为首位荣获“电子制造技术奖”的韩国人。

30日(美国时间),美国科罗拉多州丹佛市,“SK海力士PKG开发担当副社长李康旭在“IEEE-EPS 2024年度大奖”颁奖盛典上,成为首位荣获“电子制造技术奖”的韩国人。

30日(美国时间),美国科罗拉多州丹佛市,“SK海力士PKG开发担当副社长李康旭在“IEEE-EPS 2024年度大奖”颁奖盛典上,成为首位荣获“电子制造技术奖”的韩国人。

SK海力士PKG开发担当副社长李康旭在“IEEE-EPS 2024年度大奖”颁奖盛典上,成为首位荣获“电子制造技术奖”的韩国人。

 

SK海力士31日宣布,本公司PKG开发担当副社长李康旭于30日(美国时间)在美国科罗拉多州丹佛市举行的“电气与电子工程师协会-电子封装学会(IEEE-EPS)2024年度大奖”颁奖盛典上,荣获“电子制造技术奖(Electronics Manufacturing Technology Award)”,成为首位获此殊荣的韩国人。

颁奖典礼由国际电气电子工程领域最权威机构——电气与电子工程师协会下属的电子封装学会主办,是一年一度的业界盛事。作为学会年度大奖,“电子制造技术奖”授予在电子及半导体封装领域取得卓越成就的从业者,自1996年宣布首位获奖者以来,李康旭副社长成为首位获此殊荣的韩国人。

电子封装学会表示,李副社长在全球学术界和产业界从事3D封装1及集成电路领域的研究开发工作超过20年,对推动用于AI的存储器高带宽存储器(HBM)的研发及其制造技术的进步做出了重大贡献。

13D封装:一种将芯片垂直互联,使芯片之间能够直接进行数据传输的封装方式,硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术是其中有代表性技术。

作为半导体封装技术专家,李副社长于2000年在日本东北大学凭借其在“用于集成微系统的三维集成技术(Three-dimensional Integration Technology for Integrated Micro-System)”领域的研究成果取得博士学位,随后成为美国伦斯勒理工学院的博士后研究员,并曾在日本东北大学出任教授。自2018年起,他在SK海力士担任晶圆级封装(WLP,Wafer Level Package)部门负责人,主导了HBM产品所需封装技术的开发工作。

特别值得关注的是,李副社长在2019年开发第三代HBM产品HBM2E的过程中,成功引入了批量回流模制底部填充(MR-MUF,Mass Reflow Molded Underfill)2的创新封装技术,帮助SK海力士在HBM市场上夺得了领先地位,为公司成为用于AI的存储器市场的全球领导者发挥了关键作用。

2批量回流模制底部填充(MR-MUF,Mass Reflow Molded Underfill):是一种在堆叠半导体芯片间隙注入液态保护材料,并通过融化芯片间的凸块使其相互连接的工艺。相比于在每层芯片堆叠时使用膜状材料的方法,该技术更高效且散热效果更好。

李副社长表示:“我很高兴获得这个殊荣,这代表着SK海力士在HBM领域取得的杰出成就得到了正式认可。”他还说:“随着AI时代的全面到来, 先进封装的作用也变得愈加重要,我们将一如既往地为推进技术创新竭尽全力。”

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