SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备

新闻概要

韩韩国首尔，2025年9月3日

SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）3日宣布，已将存储器业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA¹ EUV²）引进韩国利川M16工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。

¹数值孔径（NA，Numerical Aperture）：用来衡量透镜汇聚光线能力的数值。NA值越大，电路图案绘制的精密度越高。
²高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV，High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography）：拥有比现有EUV更高数值孔径（NA），可大幅提升分辨率的下一代光刻机。能够绘制当前最微细的电路图案，预计将在缩小线宽和提升集成度方面发挥关键作用。

当日举行的设备入厂庆祝仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿社长、SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长、SK海力士制造技术担当李秉起副社长等领导共同出席，庆祝下一代DRAM生产设备的引进。

SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”

半导体制造公司为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，引进超越现有EUV的下一代技术设备必不可少。

此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固其在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

ASML韩国公司总经理金丙灿社长表示：“High NA EUV是开启半导体产业未来的核心技术。我们将与SK海力士紧密合作，积极推动下一代半导体存储器技术的创新进程。”

SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长表示：“通过此次设备引进，SK海力士为实现公司未来技术发展愿景奠定了核心基础设施。公司将以最先进技术，为快速增长的AI和新一代计算市场开发所需高端存储器，引领面向AI的存储器市场。”

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。 
若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

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