SK海力士在韩国清州建最先进的NAND Flash厂

– 投入2.2万亿韩元修建拟于2019年6月竣工的新厂，以应对与日俱增的NAND Flash需求
– 作为中长期投资计划之一，斥资46万亿韩元
– 为保持生产效率，加大对无锡工厂的投入

首尔，2016年12月22日

SK海力士（或’公司’，www.skhynix.com）宣布将在韩国忠清北道清州市兴建半导体厂，以应对与日俱增的NAND 闪存需求。这是SK海力士在2015年8月M14竣工仪式上发布的中长期投资计划之一。当时公司表示，将斥资46万亿韩元在韩国京畿道利川市和清州市新建三所工厂包括 M14在内的三家工厂。

新工厂（Fab）将坐落于清州科技城（Technopolis）园区内。SK海力士在下个月内开始设计，2017年8月开始进行主体工程和无尘室建设，计划于2019年竣工，总投入2.2万亿韩元。进入工厂的设备安装将根据市场情况和公司的转移计划来决定。

SK海力士自2008年在清州建厂以来，不断扩大了NAND Flash制造厂，而且从明年开始将利用M14的上层楼生产3D NAND Flash。尽管如此，为了公司的进一步发展，尤为重要的是提前确保生产设施，以应对将由3D NAND解决方案引领的NAND Flash市场的增长。而且考虑到一般修建半导体厂需要2年以上的时间，于是公司做出了再建半导体厂的决定。

SK海力士CEO朴星昱表示：“将在清州兴建的新厂将成为有利于公司应对第四次工业革命的关键生产设施之一。衷心感谢中央政府、忠清北道政府、清州市政府提供支持，协助新厂项目及时开工。”

此外，SK海力士计划对无锡DRAM厂加大投入力度，以保持其在生产方面的竞争力。无锡工厂自2006年开始运营以来，一直为公司的增长做出贡献，目前占公司DRAM总产量的一半。然而，随着工艺步骤的增加，转移工艺技术时需要更多的空间，因此空间不足导致生产效率降低是不可避免的。为了弥补晶圆产能降低的可能性，公司决定从2017年7月至2019年4月，投入9500亿韩元扩大无锡工厂的无尘室空间。公司将通过这项投资，保持其在生产方面的竞争力，并在DRAM行业中处于领先地位。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供动态随机存取存储器（DRAM）、NAND快闪存储器（NAND Flash）和CMOS图像传感器（CIS）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站（www.skhynix.com）。