SK海力士成功研制全球首款下一代移动内存LPDDR4

– 已向客户提供20纳米级8GB LPDDR4样品

首尔，2013年12月30日

SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）宣布采用先进的20纳米级技术研发出全球首款8Gb(Gigabit, 千兆位) LPDDR4（Low Power DDR4, 低功耗DDR4）。LPDDR4是目前正推进标准化工作的下一代移动DRAM规格，具有超高速, 低功耗等特点。

这款新产品数据传输速率为3200Mbps，比现有LPDDR3的1600Mbps快两倍；工作电压为1.1V，比现有LPDDR3的1.2V较低。公司已向主要客户和SoC（System on Chip, 片上系统）公司提供LPDDR4样品，力争在下一代移动DRAM规格标准化工作方面加强与客户的合作。

SK海力士继推出全球首款8Gb和6Gb LPDDR3之后，成功研制全球首款8Gb LPDDR4，持续在移动市场保持领先地位。公司计划从明年下半年起投入量产。

SK海力士全球销售与营销部门长Richard Chin表示：“SK海力士开发全球首款下一代移动内存LPDDR4后，向客户提供产品样品，以确保技术领先地位。今后将持续研发高容量、超高速和低功耗产品，进一步增强在移动领域的竞争力。”

LPDDR4将于2014年底应用于旗舰移动设备上，从2015年起实现商业化，预计在2016年成为该行业的主打产品。

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关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器）和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站（www.skhynix.com）。