SK海力士研发出全球首款高容量8GB LPDDR3内存

首尔，2013年6月10日

SK海力士(或 ‘公司’, www.skhynix.com）宣布采用最先进的20纳米级工艺技术，成功研发全球首款8Gb(Gigabit, 千兆位) LPDDR3(Low Power DDR3, 低功耗DDR3)产品。这款产品是兼具高容量, 超高速, 低功耗等特性的高性能移动存储解决方案。

新产品可以堆叠并在一个封装中能现最大4GB(Gigabytes, 32Gb)的高容量解决方案。此外，封装高度比现有基于4Gb的产品更薄。由于其高密度和具有竞争力的封装高度，可满足对超薄型要求高的移动设备最新发展趋势。

该产品的数据传输速率为2133Mbps，远高于现有LPDDR3的1600Mbps，是世界上最快的移动DRAM。使用32-bit I/O，在单通道中每秒处理高达8.5GB数据，在双通道中处理高达17GB数据，而且能在1.2V的超低电压下工作。

新的LPDDR3产品运行速度为LPDDR2两倍，而待机功耗比LPDDR2降低了10%以上，因此能同时满足移动应用较高的低功耗和高性能需求。

这款产品能以各种形式提供，如：封装体叠层（PoP，Package-on-Package）或与“嵌入式多媒体卡（eMMC，embedded Multi Media Card）”安装在移动设备中的单一封装中，以及嵌入在高端超极本和平板电脑中的“板载（On-board）”类型。

SK海力士全球销售与营销部门长Richard Chin表示：“随着20纳米级高容量LPDDR3的问世，SK海力士能够向市场提供适合移动设备的高性能产品。特别是，这一发展具有重要意义，因为公司利用相同的20纳米级工艺技术同步开发PC DRAM，确保了在移动产品市场上的顶级竞争力。”

这款新产品的样品已经运到客户手中，公司计划在今年年底开始批量生产。

从今年下半年开始，超过2GB的高容量LPDDR3内存产品将主要搭载到高端移动设备上。为了满足移动市场日益增长的需求，SK海力士计划为快速发展的移动应用产业开发最先进的技术，并凭借高性能产品引领市场。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器）和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站（www.skhynix.com）。