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[半导体综述系列] 半导体及SK海力士在世界留下的足迹

By 2024年09月06日 No Comments
设想一下,如果没有了智能手机、电脑或互联网,世界会变成怎样?显而易见,缺失这些必需品的生活是无法想象的。然而,如果没有半导体作为推动众多科技发展的引擎,世界无疑便会陷入无法想象的境地。尽管半导体芯片在生活中很常见,但它们的起源、用途、意义等仍然鲜为人知。通过六篇文章,“半导体综述系列”将采用六何分析法(5W1H分析法)对半导体相关知识展开讲解,旨在介绍这项关键技术的基础知识。

 

19世纪,当最早期的半导体器件问世时,一场重塑技术版图的革命拉开了序幕。一系列科学突破接连涌现,这些里程碑事件标志着创新与进步成为新常态的时代已经到来。最终,这些发现改变了人们的生活、工作及交流方式。本期半导体综述系列文章将探讨半导体行业以及SK海力士发展历程中的里程碑和关键转折点,以便更好地理解半导体技术是如何达到如今前所未有的高度。

[半导体综述系列] 半导体及SK海力士在世界留下的足迹

首个半导体是什么时候创造的?

正如大家在本系列首篇文章中看到的,半导体技术的发展历程不能归功于某一人或某一时刻。相反地,是众多先驱和创新者长期互相影响,共同推动了这一领域的发展。

1833年,英国科学家迈克尔·法拉第(Michael Faraday)首次记录了半导体效应的观察结果。此后,随着几项关键发明的出现,半导体领域的发展开始加速。1874年,德国物理学家卡尔·费迪南德·布劳恩(Karl Ferdinand Braun)发明了被广泛认证的史上首个半导体二极管1 。20世纪中叶,又出现了许多关键发明,包括1947年问世的晶体管2 、1958年问世的集成电路3以及1960年问世的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)4, 这些创新都对半导体技术起到了重要推动作用。

半导体存储器的起源可追溯至20世纪60年代

半导体存储器的起源可追溯至20世纪60年代

 

这些创新技术中有许多被应用于存储领域,并催生了首批半导体存储器产品。早期的半导体存储解决方案由各大半导体公司的工程师研发,其中包括:动态随机存取存储器(DRAM)5静态随机存取存储器(SRAM)6NAND闪存

动态随机存取存储器(DRAM)
1966年,IBM的罗伯特·海思·丹纳德(Robert Heath Dennard)发明了动态随机存取存储器(DRAM),这是一种在单个晶体管中容量为1比特(bit)的系统。1970年,英特尔公司使用三晶体管器件设计开发出容量为1千比特(Kilobit)的DRAM芯片,使这项技术得到了广泛应用。这款名为1103的DRAM是首款商用DRAM,它取代了磁芯存储器,成为计算机存储器的新标准技术。

静态随机存取存储器(SRAM)
1963年,罗伯特·诺曼(Robert Norman)在仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor)获得了半导体静态随机存取存储器(SRAM)的设计专利,从而创造出一种更快、更可靠的存储器形式,大幅提升了计算性能。两年后,IBM公司将首款应用于计算机中的SRAM芯片商业化。与DRAM不同,SRAM无需持续刷新即可保存数据。凭借这一性能以及其高速性和可靠性,SRAM成为了现代计算机中不可或缺的组件。

NAND闪存
NAND闪存是当今应用最广泛的闪存技术,其应用涵盖智能手机、固态硬盘(SSD)和数据中心等多个领域。这种电子式非易失性计算机存储器具备擦除和重新编程的功能,最早由东芝存储器株式会社(现名为铠侠“KIOXIA”)的桀冈富士雄(Fujio Masuoka)于1987年首次提出。随后在1991年,该公司将全球首款NAND闪存产品商业化。

半导体存储器从何时开始对人们的日常生活产生重要影响?

随着数据量的迅猛增长和技术的快速进步,半导体存储器也在不断迭代,其重要性日益凸显。回顾过去一个世纪的技术进步历程,不难发现半导体存储器在科技领域和日常生活中发挥着关键作用。

数年来,随着数据生成量的不断增加,对半导体存储器的需求也在迅速增长

数年来,随着数据生成量的不断增加,对半导体存储器的需求也在迅速增长

 

巨型计算机时代:1980年代前
尽管在今天看来难以想象,但像电子数值积分计算机(ENIAC)7这样的初代计算机,体积是十分庞大的,甚至会占据整个房间。这些庞大的设备几乎完全由企业和政府使用,用于进行批量数据处理和复杂计算。在数据存储方面,20世纪70年代发生了里程碑式变化,半导体存储器取代了磁性存储器,成为主流存储技术。

个人电脑的出现:1980年代至2000年代
许多人对于第一台家用电脑的记忆,往往是一台摆在办公桌上的笨重的灰色个人电脑。尽管按照现代标准来看,上世纪80年代开始普及的早期个人电脑颇为原始,但它们却是首批将计算机和数据引入全球家庭中的设备。1982年发布的Commodore 64(简称C64)是当时最流行的个人电脑之一,它配置的是64千字节(KB)随机存取存储器(RAM)8

智能手机与云计算:2000年代至今
尽管初代iPhone并非首款智能手机,但它在2007年一经发布,便掀起了智能手机的热潮。智能手机具备拍照、发送电子邮件、访问互联网等多种功能,并产生大量数据,这些数据都被存储在半导体存储器中。随着数据生成速度持续加快,对于依赖服务器DRAM、NAND闪存及固态硬盘(SSD)的云存储的需求也不断增长。

AI时代与未来
随着AI持续渗透到日常生活的更多方面,半导体存储器正在成为推动这项技术发展的关键。SK海力士研发的高带宽存储器(HBM)9等高性能存储器,已经针对AI应用进行了优化,其处理和访问海量数据的能力得到极大提升。随着AI时代的到来以及未来数据使用速度的持续攀升,可以预见半导体存储器势必在AI和其他先进科技领域中发挥更加重要的作用。

SK海力士是何时开始制造半导体的?

SK海力士成立于1983年,前身为现代电子(Hyundai Electronics),在40余年的发展历程中,公司始终位于半导体行业创新的核心地位。1984年,SK海力士试生产了韩国首款16千比特(Kb)SRAM,由此开启了公司作为半导体制造商的旅程。仅一年后,公司就量产了首款DRAM产品——64 Kb DRAM。两个月后,SK海力士便完成了半导体封装工厂的建设,以提高产量。

随着时间推移,公司不断丰富其产品阵容,并全面确立了其在半导体行业的领先地位。公司取得了一些关键里程碑,包括:2003年成功量产了用于手机的256兆比特(Mb)同步动态随机存取存储器(SDRAM)、2004年研发出512兆比特(Mb)NAND闪存,以及2013年推出的全球首款基于硅通孔(TSV)10技术的HBM。

时至今日,SK海力士已拥有众多高性能解决方案,包括DRAM、NAND闪存、固态硬盘(SSD)及CMOS图像传感器(CIS)11等。公司不断挑战技术极限,成功研发出全球首款321层NAND闪存和行业领先的HBM3E等开创性产品。以最新的12层36GB HBM3E为例,这款面向AI系统的开创性DRAM,其数据存储量相比1985年的64Kb DRAM,实现了约450万倍12的跨越式增长。经过多年发展,SK海力士致力于凭借下一代产品,在半导体领域树立新标准。

自创立初期以来,SK海力士的半导体存储器产品不断实现跨越式发展

自创立初期以来,SK海力士的半导体存储器产品不断实现跨越式发展

 

SK海力士是何时进军全球市场的?

通过不断升级产品线,SK海力士与全球战略合作伙伴建立了牢固的合作关系。在运营合作中,公司从未停下创新的步伐,已成为半导体存储器行业的领军企业。纵观SK海力士的旗舰产品,在2023年第四季度,其DRAM市场份额达到31.8%NAND闪存市场份额达到21.6%。此外,公司同样是HBM市场的领军者,凭借其业界领先的产品,在该领域占据绝对优势。

SK海力士在全球DRAM 和NAND闪存市场中占据重要份额

SK海力士在全球DRAM 和NAND闪存市场中占据重要份额

 

虽没有确切时间节点标志着SK海力士进军全球市场,但多年来,公司已在全球留下了多个重要印记:

1983—成立美国当地法人现代电子美国公司(后更名为SK海力士美国公司),扩展海外市场

1989—在全球半导体行业中排名第20位

1995—在美国成立非存储器当地法人SYMBIOS,并在美国俄勒冈州建造了一座半导体工厂

1996—开始进行首次公开募股(IPO)

2004—转让非存储器业务,以专注于半导体存储器业务

2006—完成中国无锡DRAM芯片工厂的建设

2010—被列入道琼斯可持续发展世界指数(Dow Jones’ Sustainability World Index),开始与惠普(Hewlett-Packard)联合开发下一代存储器产品。同年,完成了中国第二座存储器芯片工厂的建设,该工厂每月可生产1亿个1GB DRAM芯片

2012—加入SK集团,正式更名为SK海力士

2018—创下营业利润新高

2020—投资位于硅谷的人工智能公司,高斯实验室公司(Gauss Labs)

2021—完成收购英特尔NAND闪存业务的第一阶段,以增强人工智能存储器实力

2023—研发并量产具备全球最佳性能的HBM3E,并应用于人工智能系统和应用

2024—宣布计划在美国印第安纳州建设先进芯片封装工厂和研发设施

 

1半导体二极管:一种简易并可实现在单一方向上导电的电子元件。

2晶体管:一种可以调节电流或电压,并作为电子信号开关或逻辑门的半导体器件。

3集成电路(IC,Integrated Circuit):一种由半导体材料上的晶体管、电阻器和电容器等元件组成的小型电子器件。

4金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):一种通过在两个电极间区域表面上的一个绝缘电极处施加电压,以在该区域制造导电通道的有源半导体器件。

5动态随机存取存储器 (DRAM, Dynamic Random Access Memory):一种需要定期刷新以维持数据存储的易失性存储器。与SRAM一样,当电源断开时存储的数据会丢失。

6静态随机存取存储器 (SRAM, Static Random Access Memory):):一种只要通电就能永久保存数据的易失性存储器。与DRAM不同,它不需要定期刷新以维持数据存储。

7电子数值积分计算机 (ENIAC, Electronic Numerical Integrator and Computer):1946年生产的ENIAC是世界上第一台通用电子计算机。

8随机存取存储器 (RAM, Random Access Memory):计算机的主存储器,不论存储顺序如何 ,CPU都可直接并快速地访问其中的数据。

9高带宽存储器 (HBM, High Bandwidth Memory):一种高附加值、高性能存储器,通过硅通孔技术(TSV)垂直互联多个DRAM芯片。与现有的DRAM产品相比,数据处理速度显著提高。

10硅通孔 (TSV, Through-Silicon Via):一种可完全穿过硅裸片或晶圆实现硅片堆叠的垂直互连通道。

11CMOS图像传感器 (CIS, CMOS Image Sensor):作为电子设备的“眼睛”,CIS可将光转换成电信号以生成图片。

12以十进制为基准计算

 

在回顾了半导体技术和SK海力士在全球的发展历程后,下一篇文章将探讨半导体发展方向的更多相关内容。

 

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