SK海力士以突破超微细化DRAM工艺技术极限，再次树立新的里程碑。8月29日，公司宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺1的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。SK海力士表示：“继推出面向AI的超高速HBM DRAM后，公司再次率先开发出第六代10纳米级技术，再次巩固了公司在DRAM技术领域的领先地位。”
110纳米级DRAM工艺技术按1x-1y-1z-1a-1b顺序开发，1c为第六代。
公司就1c工艺开发流程、SK海力士技术研发能力，及DRAM技术发展路线图等议题举办了圆桌讨论会，主导1c工艺开发的SK海力士1c技术（1c Tech TF）担当吴泰京副社长、DRAM设计（DRAM Design）担当赵珠焕副社长、DRAM工艺整合（DRAM PI）担当曹永万副社长、DRAM产品工程（DRAM PE）担当郑昌教副社长、开发测试（Development Test）担当孙守镛副社长及DRAM应用工程（DRAM AE）担当金亨洙副社长出席了会议。
（左起）金亨洙副社长（DRAM AE）、曹永万副社长（DRAM PI）、吴泰京副社长（1c Tech TF）、赵珠焕副社长（DRAM Design）、郑昌教副社长（DRAM PE）、孙守镛副社长（Development Test）
第六代10纳米级（1c）超细微化工艺研发成功，团队共创“技术神话”
1c技术是一项10纳米级超细微化存储器工艺技术。采用了1c技术的DDR5，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），相较于上一代采用1b技术的DDR5，速度提高了11%，同时能效也提高了9%以上。不仅是在性能表现方面，SK海力士还在EUV工艺中开发并应用新材料，通过设计技术革新最大限度地提高了工艺效率，并节约了成本。
1c工艺的问世突破了哪些技术挑战和局限？公司技术团队如何创造出”全球首创”的殊荣？本次对谈围绕各组织的职能展开了深入探讨。
（左起）金亨洙副社长、吴泰京副社长，及曹永万副社长讨论公司开发1c技术的方案
吴泰京（1c Tech TF）：1c Tech TF部门主要负责总管1c技术的开发，我们为自己设定的目标是“开发先行”。为了实现这一目标，我们以卓越性能备受认可的1b平台扩展优势为基础，来制定新技术的开发策略。同时，我们将原有的三阶段（测试、设计、量产准备）开发流程简化为两阶段（设计、量产准备），并选择了直接在量产工程中开发电容器（Capacitor）模块等高难度技术要素的方式。得益于此，我们在与前一代开发相比缩短了2个月时间的情况下，成功开发出了1c技术。
赵珠焕（DRAM Design）：基于经过验证的、具备卓越竞争优势的1b平台扩展技术，我们有效降低了技术风险。但随着产品单元尺寸变小及电阻的增加，依然面临许多挑战需要克服。为此，我们进行了一系列设计创新，如提高电路密度和传感性能等，从而成功地提高了数据处理速度并降低了功耗。此外，我们与工艺整合部门紧密合作，最大限度地提高净芯片2数量，确保成本竞争力。
曹永万（DRAM PI）：1b平台扩展技术方法有效减少了1c技术开发过程中的试错。根据在1b方面积累的经验，我们能够提前预测并解决1c技术可能面临的问题。特别是，我们能够通过及早发现和改善因晶体管劣化3和新材料应用而导致的质量风险，确保微细化元件的可靠性。
2净芯片（Net-die）：在半导体制造过程中，每单位晶圆可以生产的有效芯片（die）的数量。
3劣化：绝缘体的化学和物理特性因外部或内部影响而产生的退化。
（左起）郑昌教副社长、孙守镛副社长，及赵珠焕副社长分享开发过程中所克服的挑战
郑昌教（DRAM PE）：在新技术的开发过程中，我们必然会面临前所未有的新挑战。尤其是随着工艺日益精细化，各种不同于以往的特性变化更加值得关注，因为这可能会导致良品率降低等问题。在1c技术的开发过程中，我们通过提高可以体现主要性能水平的切筋4技术，保证了良率和质量。
4切筋（Trimming）：在不改变半导体设计的情况下，利用电子保险丝（eFuse）提高性能的技术。
孙守镛（Development Test）：为了实现1c工艺技术的及时目标，缩短1c DDR5产品的测试时间无疑是一个很大的挑战。尤其是在与其他旗舰产品同时进行此项操作的情况下，确保提高针对新技术的测试运营效率尤为重要。为此，我们额外获得了测试基础设施，并战略性地部署了安装系统，从而使我们能够提前完成整个测试流程。
金亨洙（DRAM AE）：我们所面临的最大挑战是如何验证1c DDR5的超高速与高性能特性。为了在系统层面充分发挥业界最高速度的1c DDR5性能，我们自主开发了首个以8Gbps速度运行的验证基础设施。此外，通过研发能够有效验证和预测潜在缺陷的软件，我们确保了自身无与伦比的竞争优势。
无与伦比的卓越技术领导力，得益于“一个团队”协作精神
是什么让SK海力士在DRAM市场上独树一帜，成为拥有卓越技术的行业领军者？圆桌会议的与会者们热烈探讨了“有机合作”的重要性和SK海力士所倡导的“一个团队”协作精神。
吴泰京副社长强调，协作是成功开发1c技术的关键
吴泰京（1c Tech TF）：从工作方式改变的角度看，包括TF运营、基于平台的开发，以及早期量产晶圆厂的运营策略等，随着各个领域的创新不断涌现，SK海力士的技术开发能力正在日益增强。最关键的是，我深信团队成员们所展现出的团结精神是推动我们所有成就的重要动力。如果没有一个稳固而高效的合作体系，我前面提到的“从三个阶段缩减至两个阶段的开发方法”的引入、EUV曝光性能的提升，以及降低成本的新材料研发实施等多个举措，都难以顺利实现。
郑昌教副社长表示，公司的“一个团队”精神有助于迅速识别并解决问题
郑昌教（DRAM PE）：在开发1C技术的过程中，最为关键的因素便是“一个团队”协作的企业文化。为了持续巩固“技术领导者”地位，我们必须要面对诸多技术挑战，各个组织之间需要保持紧密合作，以便及早发现并解决问题。 尤其是在DRAM PE部门优化不良筛选的过程中，与设计和工艺相关部门之间的深度协作发挥了至关重要的作用。
金亨洙副社长认为，与客户的紧密沟通对于DRAM的开发至关重要
金亨洙（DRAM AE）：微细化加工工艺的复杂性越来越高，面临着各种技术挑战。然而我认为，解决这个问题的核心在于各个相关组织为实现共同目标而展现出的团队精神。
不仅要关注内部协作，与客户的协作同样至关重要。DRAM作为在客户系统中安装并运行的产品，我们必须在产品规划、设计、工艺流程、测试及验证等各个开发环节中，充分融入客户的视角与需求。因此，与客户之间持续而深入的沟通与技术协作尤为关键。
超越1c工艺，下一代DRAM技术亦要拔得头筹
1c技术的开发意义深远，其适用范围涵盖了HBM、LPDDR、GDDR等一系列前沿的下一代DRAM产品。那么，1c技术将引领哪些技术创新？SK海力士在DRAM领域的发展方向又将如何演变？
孙守镛副社长表示，1c DDR5仅仅是公司1C DRAM产品线的开始
孙守镛（Development Test）：随着1c的成功开发，SK海力士展现了压倒性的技术竞争优势。 1c DDR5只是一个开始，未来1c技术将广泛应用于各类DRAM产品，引领可持续增长与创新之路，我们期待它能完美地契合客户日益增长的多样化需求。
曹永万副社长强调，创新将帮助SK海力士克服DRAM微细化挑战
曹永万（DRAM PI）：1c技术成功开发后，DRAM技术将继续朝着更为精细化的方向发展。尤其是在向10纳米以下的个位数技术转型时，可以预见现有的方法将面临诸多局限。为了克服这一问题，不仅需要最大限度地提高材料和设备的性能，还需要创新技术，例如从2D到3D单元的结构演变、异质结等技术创新等。为了有效应对，SK海力士的DRAM技术开发体系也在持续升级。
赵珠焕副社长认为，准备工作是保持DRAM领导地位的关键
赵珠焕（DRAM Design）：为了在DRAM领域持续保持技术领先地位，公司必须根据长期的技术发展路线图，前瞻性地布局核心技术。在设计层面，我们将进一步强化设计系统，例如开发能够精准预测引入下一代微细化工艺所伴随风险的系统，以减轻团队成员的负担，从而持续提升公司的竞争力。
SK海力士计划在年内完成1c DDR5的量产准备工作，并预计从明年开始正式向市场供应该产品。1c技术兼具最高性能和成本竞争力，有望进一步巩固公司在市场上的领先地位。最后，作为开创DRAM新技术的重要参与者，与会者们在圆桌会议中表达了各自的感悟与抱负。
项目成员计划在未来开发新一代产品，以延续当前的成就
吴泰京（1c Tech TF）：行业领导者，这并不是个简单的头衔，我们为此要奋斗的开发工作仍然任重道远。在余下的时间里，我们将继续弥补短板，提高稳定的量产良率和成本竞争力，从而保持巩固SK海力士的行业领导者地位。
赵珠焕（DRAM Design）：SK海力士如今已然成为DDR5开发领域的真正领导者。在1c技术成功开发的基础上，我们将继续加强竞争力，为1d及后续升级版本带来更多的创新产品。
曹永万（DRAM PI）：面向AI的存储器市场需求呈爆发式增长，客户对高性能存储器产品的期望也越来越高。我认为此时1c DDR5的成功开发无疑是个令人振奋的成就。在此基础上，我们将继续努力，以确保SK海力士DDR5在面向AI的高性能存储器市场中始终保持领先地位。
郑昌教（DRAM PE）：SK海力士凭借卓越的技术实力，诠释了其在全球的行业领导者地位。我们迅速开发出市场所需的创新产品，增强了客户的信任，这让我倍感欣慰与自豪。我们将持续努力，提升生产良率和产品质量，推出更加完善的产品。
孙守镛（Development Test）：这次成绩的取得，是长期不懈努力的结果。我们将继续以SK管理体系（SKMS，SK Management System）为基石，通过优秀的企业文化和团队协作，与我们的成员们携手并进，不断追求成长与发展。
金亨洙（DRAM AE）：SK海力士的1c DDR5将成为未来高性能服务器系统的标准，以压倒性的技术实力引领市场。我深信，这一成就源于所有参与开发工作的团队成员们共同的努力与奉献。我们将继续携手并进，巩固公司在全球行业中的领导者地位。
