由 user | 10 月 25, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品 “将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为AI时代的核心应用。” 韩国首尔，2023年10月25日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司开始推进“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM”1的商用化，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5T...
由 user | 10 月 12, 2023 | featured, 新闻稿
SK海力士将于2023年10月26日（周四）发布截止2023年9月30日的2023年第三季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...
由 user | 9 月 15, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 访问韩国龙仁半导体集群现场，检查工程现状、鼓励员工 提出“未来竞争力”、“气候正像”、“创新与共赢”的新蓝图和发挥作用 SK海力士将于2025年开工建设龙仁首座工厂，并在2027年竣工 韩国首尔，2023年9月15日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）表示，9月15日，SK集团会长崔泰源亲自访问了在韩国京畿道龙仁市远三面建设中的“龙仁半导体集群”（以下简称龙仁集群）现场。 ...
由 user | 8 月 21, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 实现牵引AI技术革新的最高性能，将于明年上半年投入量产 有望继HBM3后持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位 “以业界最大规模的HBM量产经验为基础，扩大供应并加速业绩反弹” 韩国首尔，2023年8月21日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。 1HBM（High Bandwidth...
由 user | 8 月 11, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商 采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能 “率先满足客户要求，引领高端DRAM市场” 韩国首尔，2023年8月11日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）11日宣布，公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM（内存） LPDDR5X1(Low Power Double Data Rate 5...
由 user | 8 月 9, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存 峰会上还介绍了包括PCIe Gen 5及UFS 4.0相关的新一代NAND解决方案 “持续创新，开发满足AI时代需求的高性能NAND” 韩国首尔，2023年8月9日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，通过321层4D NAND样品的发布，正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。...
