SK海力士发布2012财年第三季度财务报告

SK海力士发布2012财年第三季度财务报告

本新闻稿中的财务信息根据(韩国会计准则)编制。 首尔,2012年10月24日 SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)今日发布截至2012年9月30日的2012年第三季度财务报告。 由于DRAM市场低迷,第三季度结合并收入为2.42万亿韩元,较上季度的2.63万亿韩元下降8%。营业亏损150亿韩元,营业利润率为-1%。然而,净利润受到外汇估价收益发生的影响等,由亏转盈,创造20亿韩元的利润。...
SK海力士推出待机功耗低的DDR3L-RS内存

SK海力士推出待机功耗低的DDR3L-RS内存

首尔,2012年9月12日 SK海力士 下载图片 首尔,2012年9月12日 SK海力士(或 ‘公司’,www.skhynix.com)宣布推出可用于移动终端解决方案的20纳米级DDR3L-RS(Reduced Standby, 降低待机功耗)DRAM内存,其最大的优势在于能大幅降低待机功耗。 该产品采用先进的20纳米级技术和有效管理待机电流的解决方案,与现有的DDR3L DRAM相比,在保持DDR3L性能的同时,能够降低70%的待机功率。最近成为主流的DDR3L DRAM工作电压为1.35V,而DDR3...
SK海力士发布2012财年第二季度财务报告

SK海力士发布2012财年第二季度财务报告

本新闻稿中的财务信息根据(韩国会计准则)编制。 首尔,2012年7月26日 SK海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)今日发布截至2012年6月30日的2012年第二季度财务报告。 第二季度结合并收入为2.63万亿韩元,较上季度的2.39万亿韩元增长10%。营业利润为230亿韩元,营业利润率为1%,在连续三个季度亏损后成功扭亏为盈。然而,受到利息支出和汇率导致的外汇相关损失的负面影响,本季度净亏损530亿韩元。 本季度,DRAM的比特出货量(bit...
SK海力士在欧洲成立闪存研发中心

SK海力士在欧洲成立闪存研发中心

首尔,2012年6月12日 SK海力士(或 ‘公司’,www.skhynix.com)今日宣布在意大利成立研发中心“SK海力士意大利有限公司(SK hynix Italy S.r.l.)”。SK海力士收购意大利NAND闪存开发商Ideaflash有限公司(简称“Ideaflash”)并成立新的研发中心,开幕式于2012年6月11日在意大利举行。 Ideaflash主要由50名研发专家组成,平均工龄12年以上,曾从事于意法半导体(ST Micro)和飞索半导体(Spansion),在开发各种闪存设备方面经验丰富,...
SK海力士与IBM联手打造PCRAM

SK海力士与IBM联手打造PCRAM

首尔, 2012年6月10日 SK海力士(或 ‘公司’,www.skhynix.com)宣布与IBM签署关于联合开发PCRAM(Phase Change Random Access Memory, 相变储存器)与技术许可的协议。...
SK海力士发布2012财年第一季度财务报告

SK海力士发布2012财年第一季度财务报告

本新闻稿中的财务信息根据(韩国会计准则)编制。 首尔,2012年4月26日 SK海力士(或 ‘公司’,www.skhynix.com)今日发布截至2012年3月31日的2012年第一季度财务报告。 第一季度结合并收入为2.39万亿韩元,较上季度的2.55万亿韩元下跌约6%。反映奖金等非经常性支出的营业亏损2600亿韩元,较上季度的1670亿韩元有所增加,营业利润率为-11%。净亏损为2710亿韩元。 本季度,由于季节性需求放缓以及市场上除PC...