由 user | 12 月 30, 2013 | 新闻稿
– 已向客户提供20纳米级8GB LPDDR4样品 首尔，2013年12月30日 SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）宣布采用先进的20纳米级技术研发出全球首款8Gb(Gigabit, 千兆位) LPDDR4（Low Power DDR4, 低功耗DDR4）。LPDDR4是目前正推进标准化工作的下一代移动DRAM规格，具有超高速, 低功耗等特点。...
由 user | 10 月 29, 2013 | 新闻稿
本新闻稿中的财务信息根据（韩国会计准则）编制。 首尔，2013年10月29日 SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2013年9月30日的2013年第三季度财务报告。 由于DRAM价格上涨以及全新移动设备的上市，促使NAND闪存比特出货量增加，公司第三季度的结合并收入达4.08万亿韩元，较上季度的3.93万亿韩元增长4%。营业利润为1.16万亿韩元，营业利润率为29%，主要是由于良好的市场环境以及工艺技术转型和产量提升。...
由 user | 7 月 25, 2013 | 新闻稿
本新闻稿中的财务信息根据（韩国会计准则）编制。 首尔，2013年7月25日 SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2013年6月30日的2013年第二季度财务报告。 第二季度合并收入为3.93万亿韩元，较上季度的2.78万亿韩元增长41%，原因是包括移动DRAM在内的高附加值DRAM需求上升，形成了良好的市场环境。工艺技术转型和产量提升，增强了DRAM、NAND闪存和MCP等所有产品的盈利能力，从而创造营业利润1.11万亿韩元，营业利润率28%的业绩。...
由 user | 6 月 10, 2013 | 新闻稿
首尔，2013年6月10日 SK海力士 下载图片 首尔，2013年6月10日 SK海力士(或 ‘公司’, www.skhynix.com）宣布采用最先进的20纳米级工艺技术，成功研发全球首款8Gb(Gigabit, 千兆位) LPDDR3(Low Power DDR3, 低功耗DDR3)产品。这款产品是兼具高容量, 超高速, 低功耗等特性的高性能移动存储解决方案。 新产品可以堆叠并在一个封装中能现最大4GB(Gigabytes,...
由 user | 4 月 24, 2013 | 新闻稿
本新闻稿中的财务信息根据（韩国会计准则）编制。 首尔，2013年4月24日 SK海力士(或‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2013年3月31日的2013年第一季度财务报告。 尽管第一季度是传统淡季，但由于PC和服务器DRAM需求上升，第一季度的结合并收入达2.78万亿韩元，较上季度的2.72万亿韩元增长2%。营业利润为3170亿韩元，营业利润率为11%，较上季度的550亿韩元有显著改善，这得益于工艺技术转型和产量提升，增强了DRAM和NAND闪存产品的盈利能力。...
由 user | 1 月 30, 2013 | 新闻稿
本新闻稿中的财务信息根据（韩国会计准则）编制。 首尔，2013年1月30日 SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2012年12月31日的2012财年和第四季度财务报告。 因季节性需求强劲，第四季度合并收入为2.72万亿韩元，较上季度的2.42万亿韩元增长12%。营业利润为550亿韩元，营业利润率为2%，与上季度的240亿韩元的亏损相比有所好转，这归功于工艺技术转型和高端DRAM和NAND解决方案产品的销量增多。...
