SK海力士推出业内首款基于ZNS的数据中心SSD解决方案

SK海力士推出业内首款基于ZNS的数据中心SSD解决方案

首尔,2019年3月25日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)在日前于美国圣何塞举行的2019年OCP全球峰会上,展出了业内首款符合ZNS(Zoned Namespaces, 分区命名空间)规范的固态硬盘(Solid State Drive, SSD)解决方案,该技术被视为下一代企业级固态硬盘SSD(enterprise SSD, eSSD)的标准。 Open Compute...
半导体产业集群特殊目的公司向龙仁市政府提交投资意向书

半导体产业集群特殊目的公司向龙仁市政府提交投资意向书

首尔,2019年2月21日 旨在为建设半导体产业集群而成立的特殊目的公司(SPC)“龙仁一般产业园区株式会社”2月21日宣布已于20日向龙仁市政府提交投资意向书。该公司已申请448万平方米的建设用地。SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)和50多家国内外公司将参与半导体产业集群建设项目。...
SK海力士发布2018财年和第四季度财务报告

SK海力士发布2018财年和第四季度财务报告

首尔 , 2019年1月24日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日发布截至2018年12月31日的2018财年和第四季度财务报告。公司连续两年刷新年收入、营业利润和净利润最高记录。 SK海力士2018财年的结合并销售额为40.45万亿韩元,营业利润为20.84万亿韩元,净利润为15.54万亿韩元。今年的营业利润率为52%,净利润率为38%。 去年,受对数据中心和高性能移动设备的高需求推动,内存市场形势继续向好。SK海力士积极响应高附加值产品的需求,再次取得了创纪录的经营业绩。...
SK海力士宣布研发出1Ynm 16Gb DDR5 DRAM

SK海力士宣布研发出1Ynm 16Gb DDR5 DRAM

首尔,2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’ 下载图片 首尔,2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布已开发出首款符合JEDEC标准的16Gb(Gigabits, 千兆位)DDR5(Double Data Rate 5, 双倍数据速率5)DRAM。继近期推出1Ynm 8Gb DDR4 DRAM之后,采用相同工艺研发出16Gb DDR5,让公司确保了领先行业的竞争优势。...
SK海力士成功研发1Ynm 8Gb DDR4 DRAM

SK海力士成功研发1Ynm 8Gb DDR4 DRAM

首尔,2018年11月12日 下载图片 首尔,2018年11月12日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布研发完成1Y纳米 8Gb(Gigabits, 千兆位)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。与第一代1X纳米 DRAM相比,该产品的生产效率提高20%,功耗降低15%以上。这款还支持最高3200Mbps的数据传输速率,这是DDR4接口中最快的数据处理速度。 SK海力士采用“四相时钟(4-Phase Clocking)”技术,将传输数据的信号加倍,以提高数据传输速度和稳定性。...
SK海力士全球首推基于CTF的4D NAND闪存(96层512Gb TLC )

SK海力士全球首推基于CTF的4D NAND闪存(96层512Gb TLC )

首尔,2018年11月4日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)推出全球首款96层512Gb(Gigabit, 千兆位)的基于CTF(Charge Trap Flash, 电荷捕获型闪存)的4D NAND闪存。这款产品基于TLC(Triple-Level Cell,三层单元)阵列,采用3D CTF设计和PUC(Peri. Under Cell)技术。SK海力士将于今年内实现96层4D NAND的初期量产。一个512Gb的NAND闪存芯片可以代表64GB(Gigabytes, 千兆字节)的存储空间。...