由 user | 2 月 21, 2019 | 新闻稿
首尔，2019年2月21日 旨在为建设半导体产业集群而成立的特殊目的公司（SPC）“龙仁一般产业园区株式会社”2月21日宣布已于20日向龙仁市政府提交投资意向书。该公司已申请448万平方米的建设用地。SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)和50多家国内外公司将参与半导体产业集群建设项目。...
由 user | 1 月 24, 2019 | 新闻稿
首尔 , 2019年1月24日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日发布截至2018年12月31日的2018财年和第四季度财务报告。公司连续两年刷新年收入、营业利润和净利润最高记录。 SK海力士2018财年的结合并销售额为40.45万亿韩元，营业利润为20.84万亿韩元，净利润为15.54万亿韩元。今年的营业利润率为52%，净利润率为38%。 去年，受对数据中心和高性能移动设备的高需求推动，内存市场形势继续向好。SK海力士积极响应高附加值产品的需求，再次取得了创纪录的经营业绩。...
由 user | 11 月 15, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’ 下载图片 首尔，2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布已开发出首款符合JEDEC标准的16Gb（Gigabits, 千兆位）DDR5（Double Data Rate 5, 双倍数据速率5）DRAM。继近期推出1Ynm 8Gb DDR4 DRAM之后，采用相同工艺研发出16Gb DDR5，让公司确保了领先行业的竞争优势。...
由 user | 11 月 12, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月12日 下载图片 首尔，2018年11月12日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布研发完成1Y纳米 8Gb（Gigabits, 千兆位）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。与第一代1X纳米 DRAM相比，该产品的生产效率提高20%，功耗降低15%以上。这款还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。 SK海力士采用“四相时钟（4-Phase Clocking）”技术，将传输数据的信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。...
由 user | 11 月 4, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月4日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)推出全球首款96层512Gb（Gigabit, 千兆位）的基于CTF(Charge Trap Flash, 电荷捕获型闪存)的4D NAND闪存。这款产品基于TLC（Triple-Level Cell，三层单元）阵列，采用3D CTF设计和PUC（Peri. Under Cell）技术。SK海力士将于今年内实现96层4D NAND的初期量产。一个512Gb的NAND闪存芯片可以代表64GB（Gigabytes, 千兆字节）的存储空间。...
由 user | 10 月 25, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年10月25日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日宣布截至2018年9月30日的2018年第三季度财务报告。第三季度结合并收入为11.42万亿韩元，营业利润为6.47万亿韩元，净利润为4.69万亿韩元。 尽管DRAM价格涨幅放缓且NAND闪存价格持续下降，但由于出货量的增加，公司的收入和营业利润分别比上一季度增长了10％和16％。 由于服务器需求保持强劲，随着移动需求的季节性影响，DRAM比特出货量(bit shipments)增加5％。平均售价上涨1％。...
