SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

新闻概要 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40% “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场” 韩国首尔,2024年5月9日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)9日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI1的移动端NAND闪存解决方案产品‘ZUFS2(Zoned UFS)4.0’ 。...
SK海力士现身“台积电2024年技术研讨会”展示其面向AI的存储器市场领先地位及与台积电合作关系

SK海力士现身“台积电2024年技术研讨会”展示其面向AI的存储器市场领先地位及与台积电合作关系

图1. SK海力士在台积电2024年技术研讨会上的展位   当地时间24日,SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“台积电2024年技术研讨会(TSMC 2024 Technology Symposium)”上,展示了其面向人工智能(AI)的存储器HBM的领先实力,以及公司与台积电在CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)1先进封装技术方面的合作进展。 1CoWoS (Chip on Wafer on...
SK海力士发布2024财年第一季度财务报告

SK海力士发布2024财年第一季度财务报告

结合并收入为12.4296万亿韩元,营业利润为2.886万亿韩元,净利润为1.917万亿韩元 第一季度收入创同期历史新高,营业利润创同期历史第二高 由于eSSD销量增加及价格上升,NAND闪存成功实现扭亏为盈 “凭借面向AI的存储器顶尖竞争力,将持续改善公司业绩” 韩国首尔,2024年4月25日...
SK海力士宣布将清州M15X定为DRAM生产基地

SK海力士宣布将清州M15X定为DRAM生产基地

新闻概要 先期应对HBM需求剧增,总投资额超20万亿韩元,其中包括建设费5.3万亿韩元 加快新工厂建设工程速度,计划于2025年11月竣工并开始量产 “在韩国进行大规模投资,加强面向AI的存储器市场主导权,为经济发展做出贡献” 顺利推进120万亿韩元规模的龙仁半导体集群项目,加强“半导体强国”的地位 韩国首尔,2024年4月24日...
SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力

SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力

新闻概要 双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录 通过采用台积电的先进制程工艺,提升HBM4产品性能 “以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式,突破面向AI应用的存储器性能极限” 韩国首尔,2024年4月19日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)19日宣布,公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术,将与台积电公司密切合作,双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4,即第六代HBM产品。...
2024年第一季度财报 – 电话会议邀请

2024年第一季度财报 – 电话会议邀请

SK海力士将于2024年4月25日(周四)发布截止2024年3月31日的2024年第一季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...