由 user | 11 月 15, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’ 下载图片 首尔，2018年11月15日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布已开发出首款符合JEDEC标准的16Gb（Gigabits, 千兆位）DDR5（Double Data Rate 5, 双倍数据速率5）DRAM。继近期推出1Ynm 8Gb DDR4 DRAM之后，采用相同工艺研发出16Gb DDR5，让公司确保了领先行业的竞争优势。...
由 user | 11 月 12, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月12日 下载图片 首尔，2018年11月12日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布研发完成1Y纳米 8Gb（Gigabits, 千兆位）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。与第一代1X纳米 DRAM相比，该产品的生产效率提高20%，功耗降低15%以上。这款还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。 SK海力士采用“四相时钟（4-Phase Clocking）”技术，将传输数据的信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。...
由 user | 11 月 4, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年11月4日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)推出全球首款96层512Gb（Gigabit, 千兆位）的基于CTF(Charge Trap Flash, 电荷捕获型闪存)的4D NAND闪存。这款产品基于TLC（Triple-Level Cell，三层单元）阵列，采用3D CTF设计和PUC（Peri. Under Cell）技术。SK海力士将于今年内实现96层4D NAND的初期量产。一个512Gb的NAND闪存芯片可以代表64GB（Gigabytes, 千兆字节）的存储空间。...
由 user | 10 月 25, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年10月25日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日宣布截至2018年9月30日的2018年第三季度财务报告。第三季度结合并收入为11.42万亿韩元，营业利润为6.47万亿韩元，净利润为4.69万亿韩元。 尽管DRAM价格涨幅放缓且NAND闪存价格持续下降，但由于出货量的增加，公司的收入和营业利润分别比上一季度增长了10％和16％。 由于服务器需求保持强劲，随着移动需求的季节性影响，DRAM比特出货量(bit shipments)增加5％。平均售价上涨1％。...
由 user | 7 月 27, 2018 | 新闻稿
– 为应对日益增长的内存需求和安装新设备时的空间需求而进行投资 – 预计2018年底开工，2020年10月竣工，总投入3.5万亿韩元 首尔，2018年7月27日 SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）今日宣布将在位于京畿道利川的总部新建半导体制造厂（或称“工厂”），以应对日益增长的内存芯片需求，并确保未来的增长引擎。...
由 user | 7 月 26, 2018 | 新闻稿
首尔，2018年7月26日 SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日宣布截至2018年6月30日的2018年第二季度财务报告。第二季度结合并收入为10.37万亿韩元，营业利润为5.57万亿韩元，净利润为4.33万亿韩元。 因此，公司创造了收入，营业利润，净利润方面历史新高。 第二季度，市场需求持续旺盛，DRAM和NAND闪存的出货量显著增加。因此，收入和营业利润比上季度分别增长了19%和28%。 由于公司积极响应强劲的服务器和PC DRAM市场，因此DRAM比特出货量(bit...
