由 user | 6 月 8, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力 “以NAND技术竞争力为基础，期待下半年业绩回升” 韩国首尔，2023年6月8日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。 SK海力士强调：“公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client...
由 user | 5 月 30, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 实现现有DDR5 DRAM最高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗 期待成功完成最高性能的1b DDR5 DRAM 产品验证 “开始量产最先进的1b工艺，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩” 明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品 韩国首尔，2023年5月30日...
由 user | 4 月 26, 2023 | featured, 新闻稿
结合并收入为5.0881万亿韩元，营业亏损为3.4023万亿韩元，净亏损为2.5855万亿韩元 需求疲软、价格下跌导致营业亏损，但第二季度收入有望改善 “以DDR5、LPDDR5和HBM3等主力产品引领高端市场” 韩国首尔，2023年4月26日...
由 user | 4 月 20, 2023 | featured, 新闻稿
新闻概要 成功开发目前最高容量24GB HBM3 DRAM产品，正进行客户验证 世界上首次垂直堆叠12个单品DRAM芯片，实现高容量、高性能 将在上半年内完成量产准备，“加强尖端DRAM市场主导权” 韩国首尔，2023年4月20日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM31的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）2的HBM3...
由 user | 4 月 12, 2023 | featured, 新闻稿
SK海力士将于2023年4月26日（周三）发布截止2023年3月31日的2023年第一季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...
由 user | 3 月 20, 2023 | featured, 商业, 商业洞察
3月7日至10日，为期四天的“IEEE EDTM 2023”国际学术大会在学术界与从业人员的积极参与下，首次在韩国举行。“IEEE EDTM 2023”作为电子器件领域的国际标杆学术会议，聚焦半导体等各种最新电子器件技术的研发议题。 IEEE1 电子器件技术与制造（EDTM）会议是由电气∙电子∙计算机工程领域的国际机构兼学术组织IEEE EDS2创立的学术大会，每年在亚洲各个半导体产业热点国家循环举办。第七届IEEE EDTM会议首次走进韩国、落地首尔，SK海力士和纳米技术研究协议会（Korea Nanotechnology...
