后摩尔时代，以创新续写芯片发展新篇章

由 user | 12 月 27, 2022 | featured, 技术

1947年，晶体管正式诞生，电子时代迎来飞速发展。在过去的75年中，晶体管技术最明显的变化在于其尺寸实现了从微米级到纳米级的转变。随着硅晶体管稳步集成到设备之中，几乎所有类型的电子设备都依赖于它们来进行数据高速存储与计算。 以“晶体管诞生75周年，全球挑战下的新一代设备革新”为主题，第68届IEEE国际电子器件会议于12月3日至7日正式举行。在晶体管发明75周年的契机下，此次大会聚焦芯粒（Chiplet）、量子计算等后摩尔时代下极具发展潜力的话题，再度强调信息技术创新的远鉴1。 回顾发展历程：基于晶体管的芯片沿革...

实现全球化沟通并提升信任，SK海力士可持续发展公布系统‘SRS’上线

由 user | 12 月 26, 2022 | ESG, featured

透明化沟通逐渐成为ESG管理的关键。随着社会各界对ESG的关注与要求日益高涨，SK海力士顺应时势，率先推行透明化管理，展示客观数据。 SK海力士于27日表示，公司为了加强与全球客户、投资者、员工和民众等利益相关者的沟通，构建了综合ESG信息披露平台——可持续发展公布系统（SRS，Sustainability Reporting System）。...

全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术

由 user | 12 月 22, 2022 | featured, 洞见

CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS) 是一种可以将通过镜头捕获的光的颜色和亮度转换为电子信号，并将其传输至处理器的传感器。因此，图像传感器充当的是智能手机或平板电脑等移动设备“眼睛”的角色。近年来，随着虚拟现实(VR)、增强现实(AR) 、自动驾驶的兴起，CIS技术成为工业4.0的一项关键技术。人们预计，CIS技术将不仅可以作为设备的“眼睛”，还将在功能上有更进一步的发展。...

[半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化

由 user | 12 月 21, 2022 | featured, 技术

  半导体制程工艺概览 在第一篇的最后，我们说到金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的平面式结构让人们可以在晶圆上同时制造出好几个MOSFET。且与第一代晶体管BJT¹不同，MOSFET无需焊接过程。本期内容就让我们来详细了解一下具体的制程工艺。 为方便讲解，我们先来看一下普通电子零件是怎么制成的。只要拆解身边的任何一件电子产品，我们便不难发现：其基本结构都是把晶体管、干电池、蓄电池和电感线圈等各种单位电子元器件固定在PCB²上，制程工艺可简单概括为“电子元器件的制造 → 电子元器件的固定”。 ¹BJT...

从数据到虚拟空间：存储芯片助力投射数字孪生新世界

由 user | 11 月 29, 2022 | featured, 技术

1970年4月13日，阿波罗13号载人登月飞船的氧气罐在距地球321,860公里外的太空发生爆炸，飞船主引擎受损，氧气逐渐泄漏，电力系统关闭。前所未有的空间距离让地面指挥中心的故障排除与维修工作举步维艰，但阿波罗13号仍借助月球引力，最终顺利校正返回轨道。三位宇航员于四天后重返地球家园。...

速度优势是HBM产品成功的关键

由 user | 11 月 24, 2022 | featured, 洞见

高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展，机器学习的应用日渐广泛，而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品，HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。 HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工艺的支持。由于HBM是在3D结构中将一个逻辑die与4-16个DRAM...