[2025年新高管访谈] SK海力士经营分析组织严在光副社长:以均衡发展的视角,实现全球领先的成本竞争力

[2025年新高管访谈] SK海力士经营分析组织严在光副社长:以均衡发展的视角,实现全球领先的成本竞争力

2024年,SK海力士实现了自成立以来的最佳业绩,进一步巩固了公司在全球面向AI的存储器领域的主导地位。 这些成果的取得,离不开经营分析组织的战略支持。该部门通过严格的损益管理、成本和收益性分析,以及模拟经营等方式,为公司财务营收的增长提供了有力保障。 日前,公司正式任命经营分析专家严在光为新任高管,晋升为副社长,这一举措彰显了公司在改善经营状况的基础上,力求实现更大发展的坚定决心。作为2025年新高管访谈系列的第二篇文章,本文采访了严副社长,就他的职业愿景和对新职位的理解进行了深入交流。...
[2025年新高管访谈] SK海力士HBM异构集成技术部韩权焕副社长:构建最佳量产环境,引领下一代HBM技术发展

[2025年新高管访谈] SK海力士HBM异构集成技术部韩权焕副社长:构建最佳量产环境,引领下一代HBM技术发展

在人工智能市场中,HBM仍是“游戏规则改变者(Game Changer)”。随着技术竞争愈发激烈,客户需求也更加多样化。 2024年,SK海力士取得了有史以来的最佳业绩。公司的HBM凭借业界领先的技术实力,在这一成就中发挥了核心作用。今年,为了实现更为显著的增长,需要持续技术创新并提高生产效率,HBM异构集成技术部在提高良率和产品质量、优化成本,以及提升封装技术方面的重要性,比以往任何时候都愈加凸显。 本文采访了2025年HBM异构集成技术部新任副社长韩权焕,就HBM技术在面向AI的存储器市场的创新策略及未来目标进行了深入交流。...
全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM开发主管圆桌讨论会

全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM开发主管圆桌讨论会

SK海力士以突破超微细化DRAM工艺技术极限,再次树立新的里程碑。8月29日,公司宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺1的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。SK海力士表示:“继推出面向AI的超高速HBM DRAM后,公司再次率先开发出第六代10纳米级技术,再次巩固了公司在DRAM技术领域的领先地位。” 110纳米级DRAM工艺技术按1x-1y-1z-1a-1b顺序开发,1c为第六代。...
SK海力士朴文必副社长:加强HBM质量验证、提升客户认可度、推进有机合作,持续保持面向AI的存储器领域领导者地位

SK海力士朴文必副社长:加强HBM质量验证、提升客户认可度、推进有机合作,持续保持面向AI的存储器领域领导者地位

对于技术企业来说,“行业领导者”的荣誉头衔并不能由自己授予,而是要经过客户和市场的全面检验与客观评估后方可获得。SK海力士之所以成为了全球HBM市场的领军企业,并非仅因其拥有顶尖的技术实力,更重要的是通过了激烈严格的市场考验,客观地验证了在行业内的实力。 SK海力士顺利通过了HBM质量验证,并将上市时间(TTM,Time to Market)1缩至最短,进一步巩固了其在HBM市场的领先地位。这很大程度上要归功于HBM PE(Product...
[高层团队访谈]SK海力士金星翰副社长 : 专注核心采购业务,提升面向AI的存储器核心竞争力

[高层团队访谈]SK海力士金星翰副社长 : 专注核心采购业务,提升面向AI的存储器核心竞争力

SK海力士高层团队(Top Team)是指责公司主要业务部门的管理层。公司推出高层团队领导的系列访谈,目的是让读者以关键字为导向,了解领导者们为实现公司愿景而强调的企业策略、组织文化等,读者可以从中获取稳健且富有价值的信息。本期访谈的第四位主人公,是公司前端工艺购买部门担当金星翰副社长。  ...
SK海力士李圭济副社长:新一代封装技术助力HBM持续领先

SK海力士李圭济副社长:新一代封装技术助力HBM持续领先

作为突破AI系统存储技术极限的关键,超高速DRAM堆叠HBM被视为人工智能时代标志性适用于AI的半导体之一。尽管HBM被看作是伴随生成式AI兴起而迅速崭露头角的“明星产品”,但其背后却凝聚了十多年来无数技术专家的辛勤付出与通力合作,可谓是半导体技术革命的结晶。 自11年前研发出全球首个HBM以来,SK海力士一直致力于引领新一代技术的发展。今年3月,公司率先量产并上市了第五代HBM3E,这是迄今为止性能最高的HBM产品,成功持续占据了市场主导地位。...