![[品牌短片] 解锁AI时代的无限可能](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/09/30044721/Sk-hynix_brand-film_thumbnail.png)
由 user | 9 月 30, 2024 | featured, 商业
AI彻底改变了各个行业，助力全球人类释放潜能。无论是提供量身定制的方案，还是生成沉浸式画面和视频，亦或是分享朗朗上口的音乐节拍，AI都能引领用户探索全新境界。而这一切成就的背后，离不开SK海力士HBM等高性能半导体产品所给予的强大支持，它们为全球AI发展注入了源源不断的动力。作为全球顶级面向AI的存储器供应商领导者，SK海力士正解锁无限可能。了解更多详情，请观看以下品牌短片。... ![[Rulebreakers’ Revolutions] 创新设计方案带领HBM3E攀登新高峰](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/09/26100835/SK-hynix_Rulebreaker_3_HBM3E-Design_thumb.png)
由 user | 9 月 30, 2024 | featured, 技术
挑战传统，打破限制，勇攀高峰，打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后，将推出一系列文章，展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种“打破常规”的创新举措。本系列第三篇文章将介绍6相RDQS设计方案在HBM3E中的应用。 “设计不仅关乎外观和感觉，设计更是与工作原理密切相关。”苹果联合创始人史蒂夫·乔布斯（Steve... 
由 user | 9 月 27, 2024 | featured, 企业文化和员工
SK海力士以突破超微细化DRAM工艺技术极限，再次树立新的里程碑。8月29日，公司宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺1的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。SK海力士表示：“继推出面向AI的超高速HBM DRAM后，公司再次率先开发出第六代10纳米级技术，再次巩固了公司在DRAM技术领域的领先地位。” 110纳米级DRAM工艺技术按1x-1y-1z-1a-1b顺序开发，1c为第六代。... 
由 user | 9 月 26, 2024 | featured, 新闻稿
新闻概要 将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E 与上一代相较单一DRAM芯片薄40%，维持相同的整体厚度的同时，其容量却提高了50% “将以压倒性的产品性能和竞争力延续HBM的成功故事” 韩国首尔，2024年9月26日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司全球率先开始量产12层HBM3E，实现了现有HBM1产品中最大2的36GB（千兆字节）容量。 1高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory):... ![[半导体综述系列] SK海力士全面揭秘半导体全球生产基地及应用领域](https://dfovt2pachtw4.cloudfront.net/wp-content/uploads/2024/09/26003730/SK-hynix_Semiconductor-101-4-Where_thumb.png)
由 user | 9 月 25, 2024 | featured, 技术
设想一下，如果没有了智能手机、电脑或互联网，世界会变成怎样？显而易见，缺失这些必需品的生活是无法想象的。然而，如果没有半导体作为推动众多科技发展的引擎，世界无疑便会陷入无法想象的境地。尽管半导体芯片在生活中很常见，但它们的起源、用途、意义等仍然鲜为人知。通过六篇文章，“半导体综述系列”将采用六何分析法（5W1H分析法）对半导体相关知识展开讲解，旨在介绍这项关键技术的基础知识。 ... 
由 user | 9 月 23, 2024 | featured, 新闻稿
新闻概要 自主研发可搭载于Linux系统的存储器控制解决方案“HMSDK”，竞争力得到广泛认可 HMSDK可有效优化异构存储器之间的性能，带宽提升30%，性能提升12%以上 “提高HBM等面向AI的存储器硬件实力的同时，也提升软件竞争实力，双管齐下促进行业生态系统发展” 韩国首尔，2024年9月23日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）23日宣布，公司已将用于优化CXL1（Compute Express...
