[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – 人工智能半导体

由 user | 5 月 9, 2023 | featured, 技术

人工智能（AI）半导体是一种超高速、低功耗芯片，可高效处理应用于AI服务的大数据和算法。在以上视频中，“记录今天”展呈现了数千年来人类如何通过绘画和书写等各种方式记录信息。如今，人类正在以越来越快的速度通过数据形式记录信息。如此海量的数据正在被用来创造新的数据，我们因此将这个时代称之为“大数据时代”。...

[We Do Future Technology] 与SK海力士一起成为半导体专家 – HBM

由 user | 5 月 2, 2023 | featured, 技术

高带宽存储器（HBM）是一项先进的高性能技术，它通过使用硅通孔（TSV）1垂直堆叠多个DRAM，可显著提升数据处理速度。这一突破性存储器解决方案采用了先进的封装方法，通过DRAM中的数千个微孔将上下芯片垂直互连。得益于这一封装工艺，HBM产品的性能有所提高，同时尺寸有所减小。 1硅通孔（TSV）：一种可完全穿过硅裸片或晶圆以实现硅片堆叠的垂直互联通道。...

SK海力士发布2023财年第一季度财务报告

由 user | 4 月 26, 2023 | featured, 新闻稿

结合并收入为5.0881万亿韩元，营业亏损为3.4023万亿韩元，净亏损为2.5855万亿韩元 需求疲软、价格下跌导致营业亏损，但第二季度收入有望改善 “以DDR5、LPDDR5和HBM3等主力产品引领高端市场” 韩国首尔，2023年4月26日...

SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品

由 user | 4 月 20, 2023 | featured, 新闻稿

新闻概要 成功开发目前最高容量24GB HBM3 DRAM产品，正进行客户验证 世界上首次垂直堆叠12个单品DRAM芯片，实现高容量、高性能 将在上半年内完成量产准备，“加强尖端DRAM市场主导权” 韩国首尔，2023年4月20日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM31的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）2的HBM3...

2023年第一季度财报 – 电话会议邀请

由 user | 4 月 12, 2023 | featured, 新闻稿

SK海力士将于2023年4月26日（周三）发布截止2023年3月31日的2023年第一季度财务报告。 财报等相关资料将在当天上午9点前发布。 电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference Call)邀请供您参考。...

[半导体后端工艺：第一篇] 了解半导体测试

由 user | 4 月 6, 2023 | featured, 技术

半导体制作工艺可分为前端和后端：前端主要是晶圆制作和光刻（在晶圆上绘制电路）；后端主要是芯片的封装。随着前端工艺微细化技术逐渐达到极限，后端工艺的重要性愈发突显。作为可以创造新附加价值的核心突破点，其技术正备受瞩目。 此系列文章将以《提高半导体附加价值的封装与测试》一书内容为基础，详细讲解后端工艺。 #1 半导体后端工艺...