全面了解SK海力士的可视化ESG进程:​ SK海力士践行创新举措，创造绿色未来​

由 user | 9 月 11, 2023 | ESG, featured

[半导体后端工艺：第七篇] 晶圆级封装工艺

由 user | 9 月 4, 2023 | featured, 技术

在本系列第六篇文章第六篇文章中，我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集，重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装（WLP）。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺，包括：光刻（Photolithography）工艺、溅射（Sputtering）工艺、电镀（Electroplating）工艺、光刻胶去胶（PR Stripping）工艺和金属刻蚀（Metal Etching）工艺。 封装完整晶圆 晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In...

镜头背后：SK海力士员工们以分享精彩摄影作品共同庆祝世界摄影周

由 user | 8 月 24, 2023 | featured, 企业文化和员工

一对新人作为新郎新娘的首次共舞、一次难忘的旅行中拍摄到熠熠生辉的海滩日落、一位母亲第一次拥抱她的新生儿，这些生活中特别的时刻被照片永远的记录下来，让人们在这些照片被拍摄后的很长一段时间里，瞬间回到那些难忘的时刻。在8月12日至26日举行的全球性活动“世界摄影周”期间，摄影力量及摄影艺术、历史、及其技术进步都将得到弘扬。 为了纪念这一时刻，SK海力士新闻中心采访了三位员工，他们分别来自全球不同地区的分公司，讨论了令他们印象最为深刻的照片、分享旅行地点，并探讨摄影对他们生活的影响。 “摄影是一种责任与使命”...

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向客户提供样品进行性能验证

由 user | 8 月 21, 2023 | featured, 新闻稿

新闻概要 实现牵引AI技术革新的最高性能，将于明年上半年投入量产 有望继HBM3后持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位 “以业界最大规模的HBM量产经验为基础，扩大供应并加速业绩反弹” 韩国首尔，2023年8月21日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。 1HBM（High Bandwidth...

SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM

由 user | 8 月 11, 2023 | featured, 新闻稿

新闻概要 目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商 采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能 “率先满足客户要求，引领高端DRAM市场” 韩国首尔，2023年8月11日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）11日宣布，公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM（内存） LPDDR5X1(Low Power Double Data Rate 5...

SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品

由 user | 8 月 9, 2023 | featured, 新闻稿

新闻概要 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存 峰会上还介绍了包括PCIe Gen 5及UFS 4.0相关的新一代NAND解决方案 “持续创新，开发满足AI时代需求的高性能NAND” 韩国首尔，2023年8月9日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，通过321层4D NAND样品的发布，正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。...