– 生产率和投资效率分别提高40%和60%，收益性大幅提升
– 预计今年下半年出售，适合应用于大容量存储移动终端和企业级固态硬盘(eSSD)
首尔，2019年6月26日
SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布将量产全球首款128层1Tb(Terabit, 兆比特) TLC（Triple-Level Cell，三层单元）4D NAND闪存。公司继推出96层4D NAND闪存后，时隔8个月再出新产品。
此次实现量产的128层1Tb NAND闪存垂直堆叠高度业内最高，NAND单元超过3600亿个，每个单元存储三个位(bit)。SK海力士为此在自主研发的4D NAND技术上搭配创新技术，如：超均匀垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元形成技术、超高速低功耗电路设计技术等。
此款TLC闪存新品提供业内最高的1Tb存储密度。包括SK海力士在内，多家企业曾开发1Tb QLC（Quad-Level Cell，四层单元）NAND闪存，而SK海力士在业内首次实现1Tb TLC NAND闪存的商业化。TLC凭借卓越的性能与可靠性占据NAND闪存市场的85%以上。
SK海力士4D NAND的最大优势是小芯片尺寸，使其能够实现1Tb超高密度的NAND闪存。公司于2018年10月宣布将3D CTF（Charge Trap Flash）设计与PUC（Peri. Under Cell）技术相结合，推出创新的4D NAND闪存。
通过相同的4D平台和流程优化，在96层NAND的基础上堆叠多达32层实现128层堆叠，制造工艺减少了5%。其结果，从96层到128层过渡时期的投资成本降低了60%，投资效率有了显著提高。
与公司曾经出的96层4D NAND相比，128层1 Tb 4D NAND将每个晶圆的生产率提高了40％。
SK海力士将于下半年发售投入量产的128层4D NAND闪存，同时继续推出各种解决方案。
凭借其在单芯片中的四平面架构，该产品在1.2 V时实现1400Mbps（Megabits/sec, 兆位/秒）的数据传输速率，适合应用于高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD。
SK海力士计划于2020年上半年为高端旗舰智能手机用户开发下一代UFS 3.1产品。相比512Gb NAND，凭借SK海力士128层1Tb 4D NAND，实现1TB容量所需的NAND芯片数量将减少一半，它将为用户提供在1毫米薄的封装中功耗降低20％的移动解决方案。
此外，公司还将在2020年上半年大规模生产采用自研控制器和软件的2TB消费级SSD，并推出用于云计算数据中心的16TB和32TB容量NVMe（Non-Volatile Memory express, 非易失性内存主机控制器接口规范）SSD。
SK海力士执全球营销部门长(Head of Global Sales & Marketing)吳鍾勳表示：“SK海力士通过128层4D NAND闪存确保了其NAND业务的竞争力，凭借该产品在业界的最高堆叠和容量密度，将及时为客户提供各种解决方案。”
SK海力士后续将专注于研发176层4D NAND闪存，利用技术优势持续增强NAND业务的竞争力。
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*本中文新闻稿是根据英文新闻稿翻译。
