首尔，2014年4月7日
SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）宣布成功研发全球首款基于20纳米级8Gb(Gigabit, 千兆位) DDR4的最高容量128GB(Gigabytes, 千兆字位)模块。
这款模块采用硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技术，容量比现有的64GB高出一倍。此款新产品的数据传输速率为2133Mbps，64-bit I/O每秒处理高达17GB的数据，而且还运行在1.2V的超低电压下，低于现有DDR3的1.35V。
SK海力士提供基于8Gb DDR4的全球首款128GB和64GB模块样品，持续在服务器DRAM市场保持领先地位。公司计划从明年上半年开始批量生产。
SK海力士DRAM开发部门长洪性柱表示：“开发全球首款128GB DDR4模块对打开超高容量服务器市场具有重要意义。随着高容量，超高速和低功耗产品的发展，公司在高端DRAM领域的竞争力有望进一步提升。”
根据市场调查机构Gartner预测，随着移动环境不断扩展，服务器DRAM市场将到2018年实现年均37%的增长。不仅如此，新款DDR4预计今年获得客户认证，从2015年起实现商业化，并从2016年开始成为该行业的主打产品。
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器）和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站（www.skhynix.com）。
媒体关系联系人(Media Contact)
SK Hynix Inc.
Public Relations
Assistant Manager
Heeyoung Son
Phone: +82.2.3459.5316
E-Mail: heeyoung.son@sk.com>
SK Hynix Inc.
Public Relations
Senior Manager
Seong-Ae Park
Phone: +82.2.3459.5325
E-mail: seongae.park@sk.com
*本中文新闻稿是根据英文新闻稿翻译。
