– 面向高附加值市场
– 11月份向主要客户交付样品，并比预期提前量产
· 适用于5G智能手机的超薄（1.0毫米）1TB UFS 3.1
· 具有业内最高功效的2TB cSSD
· 适用于下一代数据中心的16TB E1.L eSSD
基于128层1Tb 4D NAND的 Solution产品
（顺时针从上到下）116TB E1.L eSSD, 2Tb cSSD, 1TB UFS 3.1
本月，SK海力士向主要客户交付了基于128层1Tb 4D NAND闪存采用CTF（Charge Trap Flash, 简称CTF）的TB级高密度Solution工程样品。这些样品包括 ▲1TB UFS 3.1、▲2TB客户端cSSD以及▲16TB企业级E1. L eSSD。
今年6月，SK海力士领先行业，首次成功量产128层1Tb TLC 4D NAND。一个小芯片尺寸的SK海力士4D NAND赋予超低功耗和超薄Solution产品TB级的容量。
适用于5G智能手机的超薄（1.0毫米）1TB UFS 3.1
适用于5G智能手机的超薄（1.0毫米）1TB UFS 3.1
今年11月，SK海力士向主要智能手机制造商交付了基于128层1TB 4D NAND闪存的1TB UFS3.1工程样品。使用SK海力士1TB UFS 3.1，1TB产品所需的芯片数量要比512Gb NAND减少一半，并可实现1毫米的封装厚度，充分迎合5G智能手机超薄设计的发展趋势。采用1TB UFS 3.1的智能手机有望在2020年下半年实现大规模量产。
1TB UFS 3.1还采用了下一代业内标准技术Write Booster以及SK海力士自主研发的新控制器与固件，能够将顺序写入性能提高一倍。应用该产品下载一部15GB的4K超高清电影（UHD）仅需20秒。
具有业内最高功效的2TB cSSD
具有业内最高功耗的2TB cSSD
2TB cSSD适用于更高规格的超薄笔记本电脑和游戏电脑。在这产品中，128层1Tb TLC NAND闪存能在仅1.2V低电压下实现1,200Mbps（Megabits/Sec）的数据传输速率，并配合搭载应用硬件自动化技术的SK海力士控制器，在PCIe Gen3平台中实现最佳性能。
这次交付给客户的2TB cSSD样品，功耗从之前96层SSD产品的6W降低到3W，达到业内最佳水平。经过客户认证后，预计主要PC制造商有望从2020年上半年起开始使用2TB cSSD。
适用于下一代数据中心的存储标准16TB E1.L eSSD
适用于下一代数据中心的存储标准16TB E1.L eSSD
与此同时，SK海力士还推出了基于128层1Tb 4D NAND的16TB eSSD，是一种E1.L新规格形态，支持最新NVMe 1.4协议和PCle接口，有望于明年下半年开始大规模量产。该产品可存储超过1,000部15GB容量4K超高清（UHD）电影。此外，该产品还搭载SK海力士控制器和固件，顺序读取速度高达3,400MB/秒，顺序写入速度高达3,000MB/秒，达到业内最佳性能水平。
预计到2023年，企业级PCle eSSD市场每年将以平均53%的速度增长，而SK海力士正加大对该市场的投入。今年第二季度，SK海力士在企业级PCle SSD市场所占份额达到10.3%，相较去年同季度的1.8%大幅上涨。市场增长率和市场份额数字源于市场调研机构TRENDFOCUS）。
SK海力士NANDSolution发展战略副总裁罗翰柱 表示：“128层4D NAND拥有业内最高的密度、性能和成本竞争力。128层4D NAND Solution具备高度的生产效率和投资效率，通过加速发展相关业务，SK海力士计划进一步加强其在NAND闪存业务领域的竞争力。”
适用于下一代数据中心的存储标准16TB E1.L eSSD
