新闻概要
- 将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E
- 与上一代相较单一DRAM芯片薄40%,维持相同的整体厚度的同时,其容量却提高了50%
- “将以压倒性的产品性能和竞争力延续HBM的成功故事”
韩国首尔,2024年9月26日
SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)26日宣布,公司全球率先开始量产12层HBM3E,实现了现有HBM1产品中最大2的36GB(千兆字节)容量。
1高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory): 一种高附加值、高性能存储器。与现有的DRAM产品相比,通过垂直互联多个DRAM芯片,使数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代(HBM)-第2代(HBM2)-第3代(HBM2E)-第4代(HBM3)-第5代(HBM3E)的顺序开发,HBM3E是HBM3的扩展版
2现有的HBM3E最大容量为24GB,由8颗3GB DRAM芯片垂直堆叠而成
公司将在年内向客户提供此次产品,继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后,仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。
SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品,不仅满足了人工智能企业日益发展的需求,同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”
公司又表示,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。
SK海力士将此新产品的运行速度提高至现有内存的最高速度9.6Gbps,其是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型(LLM)‘Llama 3 70B’3时,每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。
3Llama 3:Meta于2024年4月推出的开源大型语言模型,其提供8B(十亿)、70B、400B的三种规模
公司还堆叠12颗3GB DRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。为此,公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%,并采用硅通孔技术4(TSV)技术垂直堆叠。
此外,SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF5工艺应用到此次产品中,放热性能较上前一代提升了10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保了稳定性和可靠性。
4硅通孔技术(TSV,Through Silicon Via):一种在DRAM芯片上打数千个微孔使其垂直互连至电极的先进封装(Advanced Packaging)技术。
5批量回流底部模制填充(MR-MUF,Mass Reflow Molded Underfill):在堆叠半导体芯片后,为了保护芯片间的电路,在其中填充液体保护材料,使其固化。有评价称,与每堆一个芯片就铺设薄膜型材料的方式相比,该技术提高了效率和散热效果。特别是SK海力士的先进MR-MUF技术,较现有技术减少了芯片堆叠时所施加的压力,提高了芯片的翘曲控制力(Warpage Control),这是确保HBM稳定量产的关键。
SK海力士AI Infra担当金柱善社长表示:“我们再次突破了技术壁垒,证明了我们在面向AI的存储器市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战,我们将稳步准备下一代存储器产品,以巩固‘全球顶级面向AI的存储器供应商’的地位。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器),NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多,请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
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