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[Rulebreakers’ Revolutions] SK海力士全球首次应用HKMG工艺,突破移动端DRAM微细化壁垒

By 2024年09月10日 No Comments

挑战传统,打破限制,勇攀高峰,打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后,将推出一系列文章,展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种“打破常规”的创新举措。本系列第二篇文章将介绍移动 DRAM中HKMG工艺的应用。

 

在日新月异的半导体行业中,是什么推动了进步?发明创新无疑是进步的重要驱动力,然而重新构建现有技术的创新应用,同样能够打破进步壁垒。SK海力士正是通过这种方式,在移动端DRAM领域取得了巨大进展。

在半导体行业不懈努力追求移动端DRAM持续微细化1之际,SK海力士已凭借全球首次将HKMG(High-K Metal Gate)工艺成功引入移动端DRAM的举措,取得了重大技术突破。通过对成熟的HKMG工艺进行再创新性应用,公司成功研发出新一代LPDDR2产品,并树立了产品性能新标杆。

1微细化:通过缩小半导体的尺寸,以提高设备性能、优化功耗效率,并降低成本。
2低功耗双倍数据速率 (LPDDR):用于智能手机、平板电脑等移动设备的低功耗DRAM产品,致力于尽可能降低功耗,并在低电压下运行。

本期文章将聚焦 SK海力士对HKMG工艺的突破性应用,以及回顾当时将此工艺整合到移动端DRAM时所克服的挑战。
[Rulebreakers’ Revolutions] SK海力士全球首次应用HKMG工艺,突破移动端DRAM微细化壁垒

使命:解决功耗问题,持续推进移动端DRAM微细化

随着端侧AI(On-Device AI)和其他应用的不断发展,对移动设备性能的要求也日益提高。因此,移动端DRAM必须不断进行微细化改进,以实现更快的处理速度,并在保持低功耗的同时支持相关应用。然而,通过传统工艺不断缩小移动端DRAM晶体管的尺寸存在一定的技术问题。

DRAM通常由存储数据的单元晶体管和负责数据输入与输出的外围晶体管(peri.)组成。为了提高DRAM性能,需要缩小晶体管的尺寸,使源极(Source)3和漏极(Drain)4更接近,以便增加电流。而为了降低功耗,则需要降低栅极(Gate)5的工作电压。因此,必须减薄栅极绝缘膜,以在较低电压下提高晶体管的性能。

在普通DRAM产品中,包括移动端DRAM在内,绝缘膜通常由氮氧化硅(SiON)制成,其厚度减薄后会出现可靠性问题。此外,SiON绝缘膜减薄会导致漏电流6增加,进一步增加功耗。考虑到低功耗对延长单次充电使用时间至关重要,因此对于需要电池供电的移动设备而言,这是一个极为重要的问题。

3源极 (Source):大多数电荷载流子通过其流入晶体管的端子。
4漏极 (Drain):大多数电荷载流子从晶体管流出的端子。
5栅极 (Gate):晶体管中的一种元件,通过充当开关来控制电流的流动。
6漏电流:晶体管处于关闭状态时出现的非预期电流。

传统晶体管中的SiON绝缘膜阻碍了DRAM微细化发展

传统晶体管中的SiON绝缘膜阻碍了DRAM微细化发展

 

为了解决功耗问题,并确保移动端DRAM在保持性能的同时持续微细化,SK海力士再次打破常规,采用了一项历史悠久的工艺——HKMG。

过去成就未来: 全球首创的 HKMG 应用与集成挑战

早在十几年前,HKMG工艺就已实现了商业化应用。最初,它被用于逻辑半导体领域,随后又被应用到高性能DRAM存储器中。尽管HKMG工艺属于成熟的技术范畴,但当其他公司仍沿用传统工艺时,SK海力士早已将其视为能够解决移动端DRAM微细化壁垒的解决方案。SK海力士对HKMG工艺进行了开创性的应用和工艺优化,彻底改变了移动端DRAM领域的格局,并为超低功耗和超高速DRAM解决方案铺平了道路。

HKMG工艺的突破性应用,为移动DRAM带来了持续微细化发展的无限可能

HKMG工艺的突破性应用,为移动DRAM带来了持续微细化发展的无限可能

 

那么,HKMG工艺是什么?它又是如何解决传统 SiON工艺的现有问题呢?HKMG工艺是一种使用高K薄膜替代晶体管中传统SiON绝缘膜,从而防止漏电流并提高可靠性的技术。高K薄膜具有极高的介电常数7,其电气特性相当于五倍厚度的普通薄膜,这种更薄的薄膜实现了更为微细化的晶体管结构,与采用SiON绝缘膜的晶体管相比,速度更快、功耗更低。

7介电常数:栅极内可存储多少电子的程度。

HKMG工艺解决了传统晶体管中SiON绝缘膜相关的功耗和性能问题

HKMG工艺解决了传统晶体管中SiON绝缘膜相关的功耗和性能问题

 

由于HKMG整体工艺之前从未应用于移动端DRAM,SK海力士不得不优化相关工艺,克服挑战以确保其顺利应用。公司当时最为担忧的主要风险之一是将HKMG工艺应用于移动端DRAM可能会导致产品缺陷,尤其是首次将HKMG工艺应用于LPDDR产品时,新材料可能会引发稳定性问题从而导致芯片产生缺陷。为解决这一难题,SK海力士对实验产品进行了预评估。通过各项评估和测试,并结合跨公司的专业知识,SK海力士成功地最大化了晶体管性能,最终为移动端DRAM提供了集成工艺解决方案。

解锁全新 LPDDR 解决方案

首款应用HKMG工艺的移动端DRAM产品在功率和速度方面实现了巨大飞跃

首款应用HKMG工艺的移动端DRAM产品在功率和速度方面实现了巨大飞跃

 

SK海力士成功将HKMG工艺与移动端DRAM结合,为其开发新型超低功耗和超高速LPDDR解决方案铺平了道路。2022年11月,SK海力士发布了全球首款集成HKMG工艺的移动端DRAM——LPDDR5X(Low Power Double Date Rate 5X)。其超低运行电压为1.01-1.12V,运行速度达8.5 Gbps,较上一代产品速度提升了33%,功耗降低了21%,这不仅符合降低碳排放的可持续性目标,同时也满足了技术指标要求。

仅两个月后,SK海力士再次树立了移动端DRAM新标准,推出了LPDDR5T(Low Power Double Data Rate Turbo)。与LPDDR5相比,两者运行电压相同,其功耗却降低了21%,速度较上一代产品也有大幅提升。LPDDR5T发布时,创造了全球最快的移动端DRAM速度,运行速度达9.6Gbps,比LPDDR5X快13%,比LPDDR5快50%,如此高的速度原本被认为只有在下一代LPDDR6上才能实现。而公司之所以能够提前达到新高度,很大程度上要归功于HKMG工艺的应用。

打破常规者专访:产品解决方案PI部门,崔钟赞TL

打破常规者专访:产品解决方案PI部门,崔钟赞TL

为了解更多在移动DRAM中应用HKMG工艺的 “打破常规 ”方法,本文采访了产品解决方案PI部门的崔钟赞TL。曾在HKMG工艺首次应用于LPDDR产品时,协助开发工艺解决方案的崔钟赞TL分享了HKMG工艺的未来发展方向,并探讨了其在移动DRAM领域以外的潜在应用。

 

您能分享下更多将HKMG工艺应用于移动 DRAM的原因吗?

“在AI时代,市场对移动端DRAM的需求是兼备功耗低和速度快的特性。一般来说,功耗和速度之间存在着一种权衡关系,很难做到同时提升两方面的性能。然而,HKMG工艺正是可以攻克这一难题的解决方案。

“为了重新夺回移动端DRAM市场的领导地位,并实现最快的速度的目标,我们决定将HKMG技术应用于移动端DRAM。我相信,通过显著改善漏电和速度问题,它将为满足客户不同需求、拓展各种DRAM 应用奠定坚实基础。”

 

您如何看待HKMG工艺及基于HKMG工艺的解决方案发展前景?

“SK海力士将持续优化设备和工艺,以最大程度提升第一代HKMG技术平台的竞争力。此外,随着客户对高速和低功耗需求的不断提高,我们必须持续研发能够最大限度提升DRAM性能的技术。基于此,我们正在致力于开发下一代HKMG技术平台。”

“就具体产品而言,LPDDR5系列的应用范围越来越广泛,不仅涵盖移动设备,还包括需要大量功耗的数据中心。这些超低功耗LPDDR解决方案降低了能耗,不仅有助于减少碳排放,同时也最大限度地实现了SK海力士所追求的ESG价值。”

打破常规者专访:产品解决方案PI部门,崔钟赞TL

 

在应用 HKMG工艺的过程中,您遇到了哪些挑战?SK海力士的 “打破常规 ”精神是如何帮助您克服这些障碍的?

“HKMG是一项极具挑战性的技术,需要充分的准备才能确保其成功应用。我们发现当时的预验证流程存在局限性,因此大幅增强了HKMG工艺的验证程序,并制定了一个于我们而言‘具有挑战性但可实现’的时间表和目标。这表明我们不断追求突破极限,力求达到新高度的决心。”

“合作也是项目成功的关键所在。当我们决定采用HKMG技术来克服移动端DRAM高速和低功耗方面存在的局限性问题后,整个公司为此积极组建了团队,并为技术开发提供了充足的资源支持。”

“我相信,强调HKMG工艺的重要性和价值、肯定对成功技术开发所做的贡献、并且奖励所取得的成就,将有助于激励成员们保持专注,更加坚定我们的长期发展目标。”

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