SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备

SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备

新闻概要 下一代半导体制造核心设备EXE:5200B成功引入韩国利川M16厂,庆祝仪式于9月3日举行 相较于现有EUV设备,其精密度和集成度可分别提升1.7倍和2.9倍,确保下一代半导体存储器的量产竞争力 车宣龙副社长:“将以最先进技术开发核心产业所需的高端存储器,引领面向AI的存储器市场” 韩韩国首尔,2025年9月3日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)3日宣布,已将存储器业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA1 EUV2)引进韩国利川M16工厂,并举行了设备入厂庆祝仪式。...
SK海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动DRAM

SK海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动DRAM

新闻概要 产品封装中采用“High-K EMC”,热导率提高到3.5倍,热阻降低47% 有助解决端侧AI运行时产生的发热问题,获得了全球客户高度评价 “通过材料技术创新,引领新一代移动DRAM市场” 韩韩国首尔,2025年8月28日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)25日宣布,已开发完成并开始向客户供应业界首款采用“High-K EMC1”材料的高效散热移动DRAM产品。 1EMC(环氧模封料,Epoxy Molding...
SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存

SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存

新闻概要 完成现有最高集成度的QLC产品开发,将通过客户验证,并计划于明年上半年上市 通过扩大独立运作单位“plane”,同时实现了大容量和高性能,特别适用于AI服务器的超高容量eSSD “将扩大具有价格竞争力的高容量产品阵容,以应对迅速增长的AI需求和高性能要求” 韩韩国首尔,2025年8月25日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)25日宣布,已开发出321层2Tb(太比特,Terabit) QLC1 NAND闪存产品,并开始量产。...
SK海力士发布2025财年第二季度财务报告

SK海力士发布2025财年第二季度财务报告

  新闻概要   营业收入为22.232万亿韩元,营业利润为9.2129万亿韩元,净利润为6.9962万亿韩元 随着面向AI的存储器销量增加,营收和营业利润均创下了季度历史新高 “适时推出面向AI的最高品质和性能的产品,满足客户需求并引领市场增长”   韩国首尔,2025年7月24日  ...
2025年第二季度财报 – 电话会议邀请

2025年第二季度财报 – 电话会议邀请

SK海力士将于2025年7月24日(周四)发布截止2025年6月30日的2025年第二季度财务报告。财报等相关资料将在当天上午9点前发布。电话会议(Conference Call)将在同一天上午9:00以韩语-英语交替传译进行直播。 *请在下面找到电话会议(Conference...
SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品  UFS 4.1

SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品  UFS 4.1

新闻概要 具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性,专为端侧AI进行优化 产品厚度减薄15%,适用于超薄旗舰智能手机 “凭借全球最高321层的产品组合,公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位” 韩国首尔,2025年5月22日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)22日宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。...