[半导体综述系列] SK海力士详述半导体制造过程及如何在不断发展的行业中规划职业

由 user | 11 月 28, 2024 | featured, 技术

设想一下，如果没有了智能手机、电脑或互联网，世界会变成怎样？显而易见，缺失这些必需品的生活是无法想象的。然而，如果没有半导体作为推动众多科技发展的引擎，世界无疑便会陷入无法想象的境地。尽管半导体芯片在生活中很常见，但它们的起源、用途、意义等仍然鲜为人知。通过六篇文章，“半导体综述系列”将采用六何分析法（5W1H分析法）对半导体相关知识展开讲解，旨在介绍这项关键技术的基础知识。  ...

SK海力士宣布固定股息上调25%，公布股东回报新政策和价值提升计划

由 user | 11 月 27, 2024 | featured, 新闻稿

新闻概要 回报政策将在2025年至2027年间实施，年度固定股息上调25%，每股1500韩元 为了保持适当的投资规模，同时发表“设备投资原则”等价值提升计划 “推进符合公司发展趋势的股东回馈，增强财务结构稳定性，与股东携手谋求长期发展。” 韩国首尔，2024年11月27日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）27日公布了2025年至2027年间的股东回报政策和企业价值提升（Value-up）计划。 根据当天出台的股东回报政策，公司决定维持将累计自由现金流（Free Cash...

[Rulebreakers’ Revolutions] 面向当今数据中心的灵活协作式 eSSD 虚拟化开发

由 user | 11 月 27, 2024 | featured, 技术

挑战传统，打破限制，勇攀高峰，打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后，将推出一系列文章，展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种“打破常规”的创新举措。本系列第五篇文章将深入探讨企业如何将虚拟化技术应用于企业级固态硬盘（eSSD），并对此进行全面详尽地阐述。...

SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存

由 user | 11 月 21, 2024 | featured, 新闻稿

新闻概要 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升 “加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’” 韩国首尔，2024年11月21日 SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）14D NAND闪存。...

SK海力士于2024年SK AI峰会上正式宣布开发全球最大容量16层堆叠HBM3E

由 user | 11 月 6, 2024 | featured, 商业

自11月4日，为期两天的“2024年度SK AI峰会”(以下简称AI峰会)在首尔三成洞的国际会议中心(COEX)举行，SK海力士作为重要参与者亮相此次盛会。本次活动以“AI Together, AI Tomorrow”为主题，SK海力士正式宣布开发目前全球最大容量的48GB(千兆字节)HBM1产品——16层堆叠HBM3E，并展示了其卓越的核心成果。同时，公司还分享了其致力于成为全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)的愿景。 1高带宽存储器(HBM, High Bandwidth...