由 user | 9 月 8, 2022 | featured, 技术
SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）产品HBM3，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。 SK海力士于2021年10月成功开发出HBM3，并于2022年6月开始量产。SK海力士还将向英伟达系统供应HBM3，而该系统预计将于2022年第三季度开始出货。 SK海力士是如何成功保持市场领导地位，又是从前几代HBM产品开发中汲取了哪些经验教训？ HBM1——第一代产品，占据先行优势...
由 user | 9 月 6, 2022 | featured, 新闻稿
新闻概要 M15X将于今年10月动工，预计2025年初竣工，决定在今后5年内投资约15万亿韩元 自2012年并入SK集团10年后，将开启新10年的第一个生产设施 在世界经济萧条中提早决定韩国内投资，奠定未来成长基础 SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）于6日表示，公司为了奠定未来成长基础，将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。 公司综合考虑市场情况等，决定在已确保的用地上提早开工M15的扩建工厂M15X。...
由 user | 9 月 1, 2022 | featured, 技术
随着对宇宙的了解逐渐深入，人类对世界的好奇与想象愈发多样，而解决未知的方式则离不开大量数据的积累与处理。大数据时代下，各行各业对数据存储、处理及分析的需求皆愈发高涨。作为此类挑战的应对方式之一，超级计算机通过集中大量处理器，执行个人计算机无法完成的海量数据高性能运算。...
由 user | 8 月 4, 2022 | featured, 洞见
在上一篇发表于《电子工程专辑》的文章中，SK海力士DRAM产品规划担当柳成洙和SK海力士IPM规划Technical Leader李圣学介绍了HBM3如何满足市场对DRAM和内存产品的更高需求。两位作者再次合作，通过本文介绍他们的团队在SK海力士未来计划中所发挥的作用。...
由 user | 8 月 2, 2022 | featured, 新闻稿
新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 “公司将持续创新并不断突破技术瓶颈” SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)1 4D...
